(GBR)抄録/ポイント:抄録/ポイント文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。部分表示の続きは、JDreamIII(有料)でご覧頂けます。J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。正方向,逆方向,あるいは零バイアスのかかっている半導体P-N接合の実効並列抵抗や容量を測定する允めに2特別に設計されたP-N接合アドミタンス・ブリッヂの紹介。1kcから1Mcの周波数範囲で,抵抗は1Ωから1MΩ,容量は1pFから100,000pFまでが測定できた。ReservedTOP。