Abstract平成21年度の本科研により、Siイマージョン回折格子の大型品(約30mm×約70mm×約30mm)の詳細設計を行い、また大きな溝刻印面積(30mm×77mm)を持つ基板の製作に成功した。(波長分解能7万以上)」を開発する上で極めて重要な前進となった。製作した大面積溝基板を評価した結果、32.94μmピッチの高精細な溝刻印が施された全面に対して良好な溝ピッチ誤差(8.1nm)を達成していることを確認した。この大面積溝基板については、平成22年度以降において、より詳細な性能評価を行う。Siイマージョン回折格子の総合組み上げに必須な技術である「Si溝基板とSiプリズムとのオプティカルコンタクト」の高精度化を追求する開発研究を進めた。本課題で達成すべきオプティカルコンタクトは、数nm以下の間隔を持つ接合が必要とされる。この為、通常の光学素子に対して用いられる既成のコンタクト方式は適用できない。洗浄を施した上で接合を行うことで密着度を向上し、(b)その後、高温度でアニーリングを適用することで接合面に生じた空気泡を効率的に除去する、ことに成功し、この新接合方式の有効性を確認した。平成22年度においては、中型品(Si溝基板+Siプリズム;接合面積20mm×33.5mm)での接合試験へと進む計画である。