大場隆之教授はWOWアライアンス[用語1]と共同で、バンプレスTSV配線[用語2]を用いると、3次元積層デバイスの熱抵抗を従来のバンプ[用語3]の接合構造と比較して、30数%(1/3)まで低減できることを明らかにした。有限要素法(FEM)[用語4]と熱回路網の計算手法を用いて解析した。熱抵抗の主要因であることがわかった。Kcm2/Wにまで低減可能であることがわかった。この成果は山形県天童市で4月19~21日に開かれるエレクトロニクス実装国際会議「ICEP2017」で発表された。背景3次元積層デバイスは、上下の接続層において、アンダーフィル材料[用語5]のような、絶縁膜、有機膜を使用する必要があるために、熱抵抗が大きくなり、放熱技術が非常に大きな課題となっている。そのため、大場教授らはウエハーを薄化してから積層し、TSVで直接上下チップを接続配線するバンプレスTSV配線を開発した。この技術を用いると、積層方向の熱抵抗の低減が期待できる。らの研究グループは、ウエハーを薄化してから積層し、TSVで直接上下チップを接続配線するバンプレスTSV配線を開発している。この方法を用いれば、バンプが不要になり、薄化プロセスの限界までウエハーを薄くすることができる。この方式においては、各層間の接続に、TSV配線を利用できるために、接続部の熱抵抗が低減できると期待される。今回、全体の熱抵抗を見積もるために、(1)3次元積層デバイスの構造を仮定する、(2)「各層の熱抵抗はFEMを用いて推定する、(3)全体の熱抵抗を熱回路網解析で推定する、という手順で実施した。3次元積層デバイスはマイクロバンプタイプとバンプレスタイプの断面構造の比較図(図1)に示したように、シリコン基板、TSV設置シリコン基板、BEOL[用語6]、垂直方向の接合構造(マイクロバンプ構造、バンプレス構造)で構成されている。今回の研究では、BEOLと垂直方向の接合構造の熱抵抗に関しては、FEMで熱伝導率を推定、また、全体の熱抵抗の計算に関しては、熱回路網を用いて推定した。総合的な熱抵抗の推定において、マイクロバンプ構造の熱抵抗の計算に関しては、参考文献[1]の計算手法を参考に計算した。Kcm2/Wと算出することができ、熱抵抗が高い要因の多くが、BEOLと垂直配線の接合構造にあることがわかった。次に、各要素のFEM解析を図2に示すようなモデルを用いて等価熱伝導率を推定していくことにより、バンプレスタイプの熱抵抗を推定した。その結果を図3に示す。同じバンプレスタイプの垂直方向の接合の熱抵抗は、マイクロバンプタイプのそれと比較して、同じ占有率を想定した場合、150倍小さくなることが推定できた。垂直接合部の熱抵抗の占有面積依存性のグラフこの結果から、バンプレスのTSVの密度を全体の1%程度にまで減らしたとしても、熱抵抗が改善できることが分かる。そのため、TSVの本数としては、信号線として使用される本数を想定することで、放熱性としては、十分であることが分かった。Kcm2/Wにまで低減可能であることがわかった。°Cの温度上昇ですむことが推定された。マイクロバンプタイプとバンプレスタイプの温度上昇の比較グラフ以上の結果から、現行の温度上昇を許容するとした場合、3~4倍のDRAM積層が可能になる。GBに容量を増やすことができる。このようなメモリーの大容量化はIoT(モノのインターネット)に向けた応用が期待される。薄化ウエハーの積層と高密度TSV配線で実証実験を行い、携帯端末およびサーバー向け大容量メモリー技術として実用化を行う。熱の伝わりにくさを表す値のこと。半導体は高発熱体であるため、熱が伝わりにくくなると、半導体の温度が上昇し、動作不良の原因になる。複数企業および研究機関からなる研究グループ。薄化したウエハーを簡単に積層することができ、バンプレスTSV配線を用いた三次元化技術に世界で初めて開発に成功した。Through-Silicon-Viaの略で、シリコンウエハーを貫通させ埋め込み配線で上下チップチップを接続させる接続孔。interconnects)とした方がわかりやすい。電極部にメッキで形成した配線接続のための突起。有限要素法という数値解析手法の一種。バンプが形成されたICチップを実装される際に用いられる絶縁材料。半導体前工程の中の金属配線層作成プロセス、および、このプロセスで作成された層のことを指す。教職員向け(学内限定)。