【産業上の利用分野】本発明は電子機器あるいは各種電気装置の実装用の薄膜多層配線基板とその製法に関する。【従来の技術】電子計算機の演算速度の高速化を図るには、用いられる実装用モジュール基板の信号伝送速度の高速化が重要な課題となっている。【0003】従来、こうしたモジュール基板には、主としてWやMo等からなる配線層をセラミックへの積層焼結法により形成した厚膜基板が用いられてきた。信号伝送速度の高速化を図るため、最近ではセラミック基板上に誘電率の低いポリイミドを層間絶縁膜として形成し、高導電性のCu,Al,Au等を導体層とした多層薄膜配線基板が注目されている。【0004】しかし、近年、計算機の高性能化はますます進み、実装ゲート数の増大も顕著であり、これに対応するためには薄膜配線方式における配線層数の増大が必要とされる。ついては、いくつか報告されているが、一般に逐次積層方式が採用されている。Alなどの導体層を形成し、ビアホール及び絶縁層のパターニングをフォトリソグラフィ技術によって形成し、電気的接続を行うものである。【0006】上記の層間接続には、直径100μm以下のビアホールやスルーホールの形成技術が必要とされている。required,例えば、150〜500μmの接続パッド間に上記配線を2〜5本敷設すると云うものである。この場合、ビアホール径としては、おおよそ20〜30μmが要求される。70μmが限界であり、それより小さい穴径のものは他の方法を適用せざるを得ない。【発明が解決しようとする課題】上記のような微細穴の加工に好適な方法として、近年、レーザ加工法、ドライエッチング法が注目されつつある。これらはいずれも微細加工性に優れているが、加工された穴の形状に差異が見られる。【0008】エキシマレーザによる方法は、微小ビアホールやスルーホール形成用として優れた加工法であることが知られている(特開昭60−261685号公報)。加工された穴の投影法による形状は、穴の軸に対して約20〜30度のテーパ状になり、先端(底部)が先細りの穴になるという傾向がある。【0009】これを解消する方法として、有機絶縁層の穴加工したいパターン部に金属膜に窓を空けたマスクを用い、このマスク越しにレーザ加工する方法、いわゆるコンフォーマルマスク法が有効である。15〜5度のテーパ角(θ)となり、先端(底部)の先細り現象をかなり抑えることができる。θは小さくなり、穴のストレート性を向上することができる。【0010】一方、上記レーザ加工法に対し、低い圧力(例えば、5Pa以下)に制御された酸素プラズマによるドライエッチング法によれば、上記テーパ角(θ)が5度以下のほとんどストレート状の穴を形成することができる。一連の実験によれば、ポリイミドのような有機絶縁層のドライエッチング加工で、プラズマガス圧が5Paよりも高くなると、加工穴断面はビア樽状にわん曲してくることが分かった。【0011】こうしたドライエッチング加工法は、従来、LSI用半導体プロセスにおいて、配線や絶縁層のパターン形成に用いられている。(1.33〜6.65Pa)と規定している。holes,導電性金属が充填されたビアスタッドにより基板の上下配線層が接続された薄膜多層配線基板およびその製法を提供することにある。【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発明の要旨は次のとおりである。【0016】微細薄膜パターンを得るには、前記のようなテーパ角度のビアホールを配置し、できるだけ配線エリアを確保することが不可欠である。【0017】なお、上記のビアスタッドとは、学術用語ではないが、プリント回路プロセス技術でしばしば用いられている。スタッドの持つ意味「鋲、釘あるいは栓」から、ビアホール内を鋲のようなもので完全に埋めた(充填した)ものを意味する。本発明においては、電気的接続を得るための柱状の金属層間接続体を云う。前記ビアスタッドと第2の金属配線層との接続面のビアスタッド側が研磨面である薄膜配線基板。表面に第1の金属配線層を有する基板に絶縁性接着シートを接着して絶縁層を形成し、該絶縁層にドライエッチングまたはレーザ加工によりビアホールを形成し、次いで前記ビアホール内を無電解めっきにより導電性金属を充填することによりビアスタッドを形成し、前記ビアスタッドが絶縁層より突出した部分を研磨することにより前記絶縁層面と平坦化し、次いで第2の金属配線層を前記絶縁層上に前記ビアスタッドと接続,形成する薄膜多層配線基板の製法。metal,(5)前記ビアホールに充填した導電性金属が前記絶縁層の表面より突出した部分を研磨し平坦化してビアスタッドを形成する工程、(6)前記絶縁層上に第2の金属配線層を形成し前記ビアスタッドと接続する工程を有する薄膜多層配線基板の製法。sheet前記の薄膜多層配線基板の製法。Zuma層配線基板の製法。laser形成する前記の薄膜多層配線基板の製法。【0023】本発明のビアスタッド接続型の薄膜多層基板の一例を図1に示す。polyimide)2を形成し、該絶縁層2にビアホールを形成し、金属配線層4間を無電解めっきの導電性金属の充填体からなるビアスタッド3で接続しながら絶縁層2を積層し、上記と同様にしてビアスタッド3で逐次接続した金属配線層4を積層した薄膜多層配線基板である。【0024】図3は、2層の薄膜多層配線基板の製法(製造工程)の一例を模式断面図で示すフロー図である。金属配線層4を有する基板1上にレジスト11を形成し、エッチング(図示せず)により第1の金属配線層9を形成し、これの上に絶縁層2を形成してAlのエッチングマスク8を介してドライエッチングによりビアホール7を形成する。plating内に導電性金属を充填してビアスタッド3を形成する。3.その後、金属配線膜4を蒸着またはスパッタリングにより形成し、ウエットエッチング法により第2の金属配線層10を形成するものである。(d)以下をくり返すことにより、3層以上の多層配線板を形成することができる。【0026】前記絶縁層2として、ポリイミド前駆体のワニスをコーテイングし熱硬化させた膜、あるいは、ポリイミド膜に接着層を形成しシート化した複合シートが用いられるが、作業性の点では複合シートが優れている。【0027】なお、上記絶縁層(ポリイミド)は、ドライエッチング法(酸素ガスプラズマ)もしくはエキシマレーザ加工法により、第1の金属配線層(銅)のランド部を終点とするビアホールを形成し、次いで、穴底のランド部から無電解めっき法によりビアスタッドを成長させる。【作用】本発明において、ビアスタッド形成に無電解めっき法を選んだ理由は、逐次積層法では基板上に形成された第1の金属配線層の上に絶縁層を形成するプロセスをとるため、おおむね、上記金属配線パターンは独立したパターンであり、電解めっきのように共通電極を引き出すことは容易ではない。この点無電解めっきはこうした共通電極を必要としない。JP-5−335713号公報があるが、これは絶縁層の裏面が銅箔で閉塞されたスルーホール内に円柱状導通めっきを施して層間接続を形成すると同時に表面の導体箔に接続するものである。この方法は、配線パターンが比較的大きく、導体層も数十μmと厚い場合には有効な方法である。【0030】しかし、絶縁層がこれよりも薄く微小なビアスタッドで接続する薄膜多層配線基板では、上記のような両面に導体箔を設けたものでは導体箔(配線層)を薄くできないため、第2の金属配線層の微細パターンをウエットエッチング法で形成することは困難である。従って、本発明では第1番目の配線層のみ導体箔(接続用ランド)を用いている。5度以下(基板面とのテーパ角では85度以上)の極めてストレート性に優れた微小ビアホールを形成することができる。【0032】なお、図4は厚さ20μmのポリイミドシートにビアホールを形成した場合の上記テーパ角とプラズマの酸素ガス分圧との関係を示す。【0033】高周波(RF)出力を500W、酸素流量を25ml/分と固定し、ドライエッチング加工した結果、酸素分圧が1〜5Paではテーパ角が10〜15度であるが、酸素分圧10Paでは15度以上になり加工穴のストレート性が低下する。【0034】上記に基づく薄膜多層配線基板は、ビアスタッドの接続性(接続率で示す)も良好で、表1に示すように60μm以下の小径のものでも接続率が高く、また、図5に示すように、ビアスタッド抵抗も小さいことが分かった。【0036】本発明によるビアスタッドの断面は、めっき終点となる上部においても水平にめっき銅が生長していることを確認した。したビアスタッド表面の平坦性は、第2の金属配線層を形成する上でフォトリソグラフィのパターン形成精度が良くなる他に、第2のビアスタッドの垂直接続が可能となる。表面が平坦に生長したビアスタッド面に次の層の接続用配線ランドを形成し、更に、その直上に次層のビアスタッドを乗せることができる。これによって、層間の配線長がより短縮できるので、信号の高速伝送化を図ることができる。【0037】また、ビアスタッドの形成後に平坦化研磨,ポリシング工程等を加えて、更にビアスタッド面の平坦性を向上させることにより、層間接続抵抗をより小さくすることができる。C.,100時間の高温放置試験においても、その特性の変化は殆ど見受けられなかった。0.99〜500μmの接続パッド間に上記配線を2〜5本敷設することが可能となる。【0040】また、前記絶縁層としてポリイミドワニス等の塗布による逐次積層方法に比べて、前記複合シートを接着する方法は、ワニスのキュア工程がないので、製造工程をより簡略化できると共に、高信頼性の高密度実装が可能な薄膜多層配線基板を提供することができる。1〕本発明の実施例を図面により詳細に説明する。【0042】図6は、銅/ポリイミド薄膜多層配線基板の製造工程の一例を示す各工程における基板の模式断面図によるフロー図である。Cr(Cr:500Å厚さ、Cu:5μm厚さ)からなる導体膜をAr中スパッタリングにより形成した。【0044】工程(b):上記のCr/Cu/Cr導体膜上にレジストパターン(ポジ型レジスト)を形成し、ウエットエッチング法により第1の金属配線層9を形成した。2で加圧接着し、硬化処理した。【0046】工程(d):次に、ドライエッチング用マスクとして、厚さ2000ÅのAl膜12を真空蒸着法により形成した。method,次いで、ガス圧3Pa,RF出力500Wの酸素ガスプラズマによる平行平板型ドライエッチング装置(図示せず)によりビアホール7を形成した。20〜25分エッチングを続行すると、ビアホール底のランド13の面のCr層(500Å)が除去されてCu面が露出する。前記ポリイミドのドライエッチング速度は0.2〜0.3μm/分であった。as,直接化学銅めっきを生長(通称パターンめっき法と呼ばれる)させて、Cuからなるビアスタッド3を形成する。Cuビアスタッド形成に要する化学銅めっき時間は約5時間であった。【0052】このようにして上記を繰り返すことによって3層以上の薄膜多層配線基板を製造することができる。【0053】また、図7は上記実施例1で得た薄膜多層配線基板24に、LSI14を搭載した実装基板の模式断面図である。16I14を搭載,接続した。step(c)で用いた半硬化状態のポリイミド系接着シートの代わりに複合シートを用いて行った、銅/ポリイミド薄膜多層配線基板の製造工程の一例を示す各工程における基板の模式断面図によるフロー図である。【0055】上記複合シート17としては、化学構造中にキナゾリン環を有する脱水縮合型ポリイミド樹脂とフッ素基を有する熱硬化性マレイミド樹脂からなる接着層18を、予めポリイミドシート19上に塗布形成したもので、ポリイミドシート19の厚さが10μm、接着層18の厚さが10μmである。2で加圧し接着した工程(c)以外は、実施例1と同様にして行った。【0057】なお、工程(e)におけるビアホールの形成は、ガス圧3Pa,RF出力800Wの酸素ガスプラズマにより形成した。【0058】ちなみに、直径30μm×高さ20μmのビアホール7の形成に要するドライエッチング時間は約100分であり、上記複合シート17のドライエッチング速度は0.2μm/分で、実施例1のポリイミド層の加工速度とほぼ同程度であった。3〕図9は、実施例2で用いた複合シート17の上面に銅箔を有する銅張り複合シート20を用いた、銅/ポリイミド薄膜配線基板の製造工程の一例を示す模式断面図である。【0060】上記銅張り複合シート20としては、化学構造中にキナゾリン環を有する脱水縮合型ポリイミド樹脂とフッ素基を有する熱硬化性マレイミド樹脂からなる接着剤を、予め銅張りポリイミドシートにコートしたもので、銅層,ポリイミドシートおよび接着層の厚さがいずれも10μmのもので、上記銅層はビアホール形成用のドライエッチングマスク8となる。2で加圧し接着した工程(c)以外は、実施例1と同様にして行った。【0062】なお、工程(e)におけるビアホール7の形成は、ガス圧3Pa,RF出力800Wの酸素ガスプラズマにより形成した。【0063】なお、本実施における、直径30μm×高さ20μmのビアホール7の形成に要するドライエッチング時間は約100分(0.2μm/分)であり、実施例1のポリイミド層の加工速度とほぼ同程度であった。4〕6層の金属配線層を有するビアスタッド接続基板の一例を図1の模式断面図に示す。【0065】本実施例では、絶縁層2となる接着層成分が化学構造中にキナゾリン環を有する脱水縮合型ポリイミド樹脂とフッ素基を有する熱硬化性マレイミド樹脂からなる複合シートを用い、エキシマレーザによってビアホールを形成し、前記実施例と同様にビアスタッド接続により多層化を図った薄膜多層配線基板の例である。5〕図10は前記実施例1によって得られる薄膜多層配線基板を大型計算機用基板に用いた実装例を示す模式断面図で、大型プリント配線基板21上にピン挿入型のモジュール基板22を搭載した一例である。23が設けられている。このモジュール基板22上に本発明になる薄膜多層配線基板24を形成して、はんだバンプ16によりLSI14が接続搭載されている。【0068】本実施例の実装基板によれば、配線総数も約1/4に減らすことができ、配線密度を上げることがでた。conventional.5倍速くすることができる。/2以下にすることが可能である。【発明の効果】本発明による薄膜多層配線基板は、実装の高密度化と配線長の短縮による信号伝送の高速化を図ることができる。シート状の絶縁層(例えば、前記ポリイミド系複合シート)を採用することにより製造工程を大幅に短縮することができる。DRAWINGS【図1】本発明のビアスタッド接続による薄膜多層基板の模式断面図である。invention.【図2】本発明のビアホールの模式断面図である。invention.【図3】本発明のビアスタッド接続型の薄膜2層配線基板の製造工程の一例を模式断面図で示すフロー図である。section.【図4】本発明のエッチングによる加工テーパ角と酸素ガス分圧との関係を示すグラフ図である。FIG.【図5】本発明のビアスタッド径と抵抗値との関係を示すグラフ図である。invention.【図6】実施例1の薄膜多層配線基板の製造工程図である。1.【図7】本発明の薄膜多層配線基板を用いた実装構造体の模式断面図である。invention.【図8】実施例2の薄膜多層配線基板の製造工程図である。2.【図9】実施例3の薄膜多層配線基板の製造工程図である。実装例を示す模式断面図である。25...スルホール。electricallyすることを特徴とする薄膜多層配線基板の製法。Table面に予め第1の金属配線層が形成されている基板とを積層し、該キャリアシートを除去した後、前記接着層を硬化して絶縁層を形成する請求項2に記載の薄膜多層配線基板の製法。