JavaScriptを有効にして再度、お越しください。ログイン~2013年の「ノーベル物理学賞」はヒッグス粒子の理論を提唱した物理学者ヒッグス氏とアングレール氏が受賞しました。KEKの岩崎先生がヒッグス粒子についてのご発表資料をリポジトリで公開されています。ご興味のある方120教材→05サイエンスカフェへをご覧ください。同様にKEKの中村先生のヒッグス粒子についてのご発表資料は、120教材→01中高生のための科学セミナーにございます。OA~」をアップしました。●2019年3月修了者の博士論文をアップしました。●2019年9月修了者の博士論文要旨をアップしました。(N-ITB)をもつプラズマの熱輸送機構を解明する研究を行った。この内部輸送障壁は、従来観測されて来たトカマク型装置の内部輸送障壁と同様に、プラズマの閉じ込めに重要な役割を果たしている。本トムソン散乱計測システムは、ヘリカル型システムのボートアクセシビリティの困難さを解決するために、後方散乱光を利用している。受光散乱光量を増加させるために大型ミラー(有効径50cm)を用いて集光し、この散乱光を結合効率が優れた大口径(2mm)光ファイバーによって24台の3ch.干渉ポリクロメーターに導き分光する。検出器はYAGの波長(1064nm)において量子化効率の優れたアバランシエフオトダイオードを使っている。本装置の空間分解能は1-3cmである。/>を用いることによって10msの短い時間間隔で、電子温度及び電子密度分布の時間発展を計測することが可能である。ショット後に、CAMACデータ収集システムで取り込み、エラーによって重みをつけられた多重データ参照テーブル法を使って電子温度密度を瞬時に導出し、プラズマの分布の様子をショット後ただちに確認することができる。このツールを利用しヘリカル型装置では初めて観測された内部輸送障壁の研究を行った。12cm-3になるようにガスパフを調節するとプラズマをと中心温度が2.2keVに達する。この時、電子温度分布のρ=0.3の付近に急峻な温度勾配(-0.6keV/cm)が形成さる。値が新古典拡散レベル(~5m2/s)まで減少しておりN-ITBが形成されていることがわかった。重イオンビームプローブ(HIBP)を用いた計測によると、この時プラズマの中心部に大きな電場(~5kV/m)が形成され、またN-ITBの位置で電場のシア(~-100kV/m2)が増大していることが分かった。したがって、この輸送改善の原因が電場および電場のシアによるものであると考えられる。HIBPで輸送障壁付近の電子密度揺動を観測すると約40%減少していた。これは電場のシアが存在することにより、プラズマの異常輸送が抑制されていることを示している。N-ITBの生成条件は電子密度に依存している。12cm-3の密度では中心電子温度が約4keVになる。13cm-3の電子密度のプラズマにおいてもN-ITBが形成されることを確かめた。12cm-3)のNBIプラズマを130kWのECHによって加熱した場合も中心の電子温度が~3keVに達した。この時、ECHプラズマの場合と同じように電子の温度分布に急峻な勾配が形成されN-ITBが形成されているが、このプラズマに対して荷電交換分光及び中性粒子分析器の計測によってイオン温度を調べたところ、温度が~500eVに達し、ρ=0.6の位置でイオン温度分布に急峻な勾配(dTi/ft~-15keN-ITB/m)が形成されていることがわかった。12cm-3)をECH加熱した場合はN-ITBが形成されない。この時、電子、イオン温度分布とも急峻な勾配が存在せず・中心電子温度が約900eVでイオン温度もN-ITB形成が形成されているプラズマと比較して半分以下に減少する。このN-ITBプラズマに輸送解析を行って、イオンの熱輸送係数がN-ITBの形成されている場所で大きく減少(~1×10m2/s)していることを確かめた。HIBP計測によってECHの実験と同様にプラズマの中心部に大きな電場(~10kV/m)とρ=0.6の付近に電場のシアが形成されていることが確認された。シアリングレイトの大きさと同程度である。Kαラインの二次元分布を軟X線CCDカメラのフォトン力ウンティングモードで観測することによってN-ITBが形成されているプラズマの粒子輸送を調べた。Kαラインの平均エネルギーは4.68keVから4.73keVにシフトする。導出することができる。m2/sに減少していることが分かった。このように、ヘリカル型装置におけるN-TBにおいてもトカマク型装置の内部輸送障壁と同様に、電子及びイオンのエネルギー及び粒子の閉じ込めが改善されていることが確かめられた。