インフィニオン、第5世代1200V「thinQ!TM」SiCショットキーダイオードを提供開始。ServiceContactトレードショー&カンファレンスビデオニュース総合案内プレスリリースマーケットニュースプレスキットメディアプールイベント問合せ先Homeインフィニオンについてニュースマーケットニュースインフィニオン、第5世代1200V「thinQ!TM」SiCショットキーダイオードを提供開始。単相/三相アプリケーションで効率性、信頼性を向上インフィニオン、第5世代1200V「thinQ!TM」SiCショットキーダイオードを提供開始。マーケットニュース2014年6月16日、ノイビーベルク(ドイツ)独インフィニオンテクノロジーズは、第5世代1200V「thinQ!TM」SiCショットキーダイオードの提供開始によって、包括的なSiCポートフォリオを拡大しました。SiCダイオードは、動作温度でも超低順方向電圧を実現するほか、サージ電流耐量は100%以上向上しており、傑出した熱特性を実現します。相スイッチモード電源(SMPS)、モータ駆動装置では、大幅な効率化が実現します。第5世代SiCダイオードは、最新のコンパクトチップ設計を使用しており、これは、ショットキーのセルフィード内でpn接合を結合する技術によって、実現しています。ップ面積あたりの抵抗が低くなります。イオード損失を旧世代比で最大30%低減することが可能ですジャンクション温度が150°Cの場合、順方向電圧(Typ.値)はわずか1.7Vで、旧世代比で30%低くなっています。SiCダイオード市場で最小の順方向電圧となっています。ため、新型SiCダイオードは、UPSシステムなど、比較的高負荷で動作するアプリケーションに最適です。スイッチング周波数が低い場合でも、システム効率が向上します。ダイオードのアンペア定格によって異なりますが、サージ電流耐量は、定格電流の最大14倍の定格であり、アプリケーションのサージ電流イベント時には、堅牢なダイオード動作を保証します。イパスダイオードが不要となり、複雑性とシステムコストが軽減されます。Stele)(IGBT/SiCパワーディスクリート担当マーケティングディレクター)は、次のように述べています。インフィニオンが目指しているのは、お客様の設計から、最高の効率性を引き出す機会を実現する製品の提供であり、新登場の第5世代ダイオードは、こうした目標を強調するものです。広範なスイッチング周波数への対応が可能であると同時に、サージ電流耐量の向上により、信頼性もさらに高まっています。iCショットキーダイオードを実装することで、システムレベルで極めて大きなメリットが得られます。=ヒートシンクの小型化や効率化)やEMI(電磁干渉)の軽減(より小型で、コスト効果に優れたEMIフィルタ)によって、「Highspeed3」IGBTのパフォーマンスが向上します。第5世代SiCダイオードの全ポートフォリオは、TO-247、TO-220、DPAKのパッケージで提供されます。極を共通とし、インターリーブトポロジでさらなる省スペース化を実現するデュアル構成も提供されます。TO-247パッケージ版のサンプル出荷はすでに開始しており、量産出荷は、2014年7月に開始します。他のパッケージの派生製品は、2015年中の提供開始予定です。セキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。業員は世界全体で約2万6,700人です。国では店頭取引市場のOTCQXに株式上場しています。インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。インフィニオン、第5世代1200V「thinQ!TM」SiCショットキーダイオードを提供開始。