NチャンネルMOSFETを発表しました。ずれもリードレスパッケージにおける世界最小のオン抵抗(RDS(on))を実現しています。ーバ向けの同期整流SMPS(スイッチング電源)アプリケーションにおいて、電力密度を最大で50%向上させます。専有面積でD2-Pakパッケージと同等のオン抵抗を達成します。インフィニオンテクノロジーズのゲルハルト・ヴォルフ(パワーマネジメント&ドライブ事業ユニット担当ディレクター)は、次のように述べています。3」のオン抵抗は、40Vで最小1.8mΩ、60Vでは同2.8mΩ、80Vは同4.7mΩというクラス最高の値です。uperSO8フットプリントで新たな基準を打ち立てるものであり、最新の競合製品と比較してもオン抵抗を最大で50%低減します。標準TOパッケージの同等製品に対して25%以上も優れており、高速スイッチングに対応すると同時にスイッチング損失と駆動損失が最小限に抑えられます。力密度の向上とドライバ発熱量の削減が可能になります。イッチング動作時のリンギングを最小限に抑えます。面冷却ソリューションにも効果があり、例えば組み込みシステムやPCBモジュールに最適です。ヴォルフは次のように述べています。「パワー半導体の世界的技術リーダーであるインフィニオンは、電力密度を50%向上させる極小パッケージへのトレンドを加速させています。40V、60V、80V製品は、高い効率と電力密度を要求する電力変換やパワーマネージメントアプリケーション向けです。Cモータドライバが挙げられます。(降圧)DC/DCなどのニーズに応えます。MOSFETファミリは、40Vから80Vクラスの低オン抵抗MOSFETの新たな基準となります。3O8パッケージで提供される60V、80VのMOSFETも業界初であり、標準SO8やSuperSO8デバイスに比べて専有面積を60%削減します。いオン抵抗でも同様の効率を期待することができます。詳しい情報は、下記のウェブサイトをご参照ください。キュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。従業員は世界全体で約4万3,000人(キマンダの従業員約1万3,500人を含む)でした。ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。インフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。ンフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。