Transisterの略であり、電界効果型トランジスタを意味しています。トランジスタと名が付いていることからわかるとおりFETもトランジスタの一種です。これまで取り上げてきたトランジスタは、FETと区別する際には、バイポーラトランジスタと呼んでいます。それぞれバイポーラトランジスタのベース、エミッタ、コレクタに相当します。部品の外見だけから見ると、バイポーラトランジスタとFETではほとんど違いがありません。バイポーラトランジスタには構造によってNPN型とPNP型がありましたが、FETでも構造によりN型とP型に分けられます。MOSFETの回路図記号NPN型のバイポーラトランジスタでは、ベースに電流を流すと、コレクタからエミッタに電流が流れました。N型のFETでもこれと同様に、ゲートにソースより高い電圧を加えると、ドレインからソースに電流が流れます。両方ともスイッチ的な役割を果たしていますので、機能的にはバイポーラトランジスタとFETはよく似ています。FETの場合、オンにしたときのドレイン、ソース間の抵抗が、数ミリから数十ミリΩしかありません。抵抗が少ないということは、電圧降下が少なくなり、そうすると、損失も少なくなり、結果、大きな電流を流せるということになります。バイポーラトランジスタの場合、オンにしている間は、少ないながらも、ベースに電流を流し続ける必要があります。FETの場合は、ゲートに「電圧」を掛けてFETが一旦オンになれば、その後はゲートには電流は流れ込みません。そのためFETはバイポーラトランジスタに比べて、制御に要する消費電力が少ないということになります。FETはバイポーラトランジスタと比べてスイッチング速度が高速で、高周波での負荷の駆動にも対応できます。FETには構造の違いにより接合型FET(JFETとも呼ばれます)とMOSFETに分かれます。現在多く使用されているのはMOSFETです。