SHONOはじめに近年の基板配線は高密度化のため、細線化要求は高く、現状においてはセミアディティブ工法によるパターンめっきでの配線形成が必要不可欠となっている。上記セミアディティブ工法では、「5銅シード層除去」のエッチング後に銅配線の下部(裾部)が過剰腐食されるアンダーカットが多く見られる。アンダーカットは配線の密着性低下に繋がり、配線が細くなるほど剥離するリスクが高くなる。そのため、微細配線形成の課題の一つとなっている。アンダーカット発生の要因は、主に「2DFパターン現像」後のレジスト残渣であり、一般的にスカムと呼ばれている。これがシード層と銅めっきの界面に残留することで、「5エッチング液」が過剰浸食し、アンダーカットが発生すると考えている。アンダーカット対策として、プラズマ処理によるスカム除去(以下、デスカム)が有効である。プラズマ装置で「2現像」後にデスカム処理を行うことでアンダーカットが低減され、L/S=2/2μmまでの微細配線形成が可能な事を確認している。一方で、既存のラインを使用したウェット処理によるアンダーカット対策も求められている。これらの要求に対して、現像工程内の現像処理後に追加薬液処理することでスカム除去し、アンダーカット抑制可能なウェットデスカムを開発した。性能比較ウェットデスカムの有無及び、プラズマ処理の比較を表1に示す。ウェットデスカムはプラズマ処理と同等のアンダーカット抑制効果が確認された。ウェットデスカムの銅シード層の除去性もプラズマ処理と同等であり、顕著な銅裾残りは見られない。ウェットデスカムの有無及び、プラズマ処理の比較を表1に示す。ウェットデスカムはプラズマ処理と同等のアンダーカット抑制効果が確認された。ウェットデスカム処理を追加することを想定しており、従来の工程と生産性は変わらない。既存の水洗槽を利用することができる。ウェットデスカム処理を追加することを想定しており、従来の工程と生産性は変わらない。既存の水洗槽を利用することができる。ウェットデスカム(5~15秒処理)→水洗→乾燥ウェットデスカムの原理めっきレジストのDFパターン形成は、まずシード層に貼り付けたDFにUVを照射(露光)し、モノマー成分をポリマー重合(硬化)させる。未硬化のモノマー部分を現像液により溶解除去する事でDFパターンを形成する。現像時に、DFパターンの裾部分や、狭いDFスペース間では現像液の浸食効力が低下するのでモノマー成分の除去が不十分となり、それがスカムとして残留し、アンダーカットの要因となっていると予想される。ウェットデスカムは、現像で除去困難なモノマー成分のみを溶解することで、プラズマ処理(有機物除去)と同等のスカム除去が可能と推測する。めっきレジストのDFパターン形成は、まずシード層に貼り付けたDFにUVを照射(露光)し、モノマー成分をポリマー重合(硬化)させる。未硬化のモノマー部分を現像液により溶解除去する事でDFパターンを形成する。現像時に、DFパターンの裾部分や、狭いDFスペース間では現像液の浸食効力が低下するのでモノマー成分の除去が不十分となり、それがスカムとして残留し、アンダーカットの要因となっていると予想される。ウェットデスカムは、現像で除去困難なモノマー成分のみを溶解することで、プラズマ処理(有機物除去)と同等のスカム除去が可能と推測する。おわりにウェットデスカムWDシリーズは、パターンめっき用DFレジストのスカム除去として、SAPに限らずMSAPにも適用可能である。本プロセスは現像工程内への導入により生産スループットは変わらず既存の生産性を維持する事が可能であり、また、更なる微細配線化に必要な技術であると考える。