」に訂正する(請求項1の記載を引用する請求項2、3及び5?10も同様に訂正する。(2)訂正事項2特許請求の範囲の請求項4を削除する。製造方法」に訂正する(請求項5の記載を引用する請求項6?10も同様に訂正する。製造方法」に訂正する(請求項6の記載を引用する請求項7?10も同様に訂正する。製造方法」に訂正する(請求項7の記載を引用する請求項8?10も同様に訂正する。製造方法」に訂正する(請求項8の記載を引用する請求項9及び10も同様に訂正する。製造方法」に訂正する(請求項9の記載を引用する請求項10も同様に訂正する。製造方法」に訂正する。訂正の目的について訂正事項1の訂正は、「第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第2工程」の発明特定事項について、第2工程終了時の第1半導体層の裏面の結晶欠陥の状態を特定することにより発明特定事項を限定するものであるとともに、「前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×10^(9)cm^(-2)以下とする第3工程」の発明特定事項について、裏面近傍の領域を除去する厚さを特定することにより発明特定事項を限定するものである。よって、訂正事項1は、特許法第134条の2第1項ただし書第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。「本件特許図面」という。)には、以下の記載がある。下線は当審で付与した。図3に示した機械研磨装置30を用いて、n型GaN基板1の裏面(窒素面)をn型GaN基板1の厚みが約120μm?約180μmになるまで研磨する。具体的には、ホルダ12の下面に取り付けられた窒化物系半導体レーザ素子構造20のn型GaN基板1の裏面(図4参照)を、研磨剤が配置されているバフ13の上面に、一定の負荷で押圧する。バフ13(図3参照)に水またはオイルを流しながら、ホルダ12をR方向に回転する。このようにして、n型GaN基板1の厚みが約120μm?約180μmになるまで機械研磨を行う。n型GaN基板1の厚みを、約120μm?約180μmの範囲に加工するのは、この範囲の厚みであれば、後述する劈開工程を良好に行うことができるためである。【0048】この後、本実施形態では、反応性イオンエッチング(RIE)法により、n型GaN基板1の裏面(窒素面)を、約20分間エッチングする。このエッチングは、ガス流量、Cl2ガス:10sccm、BCl_(3)ガス:5sccm、エッチング圧力:約3.3Pa、RFパワー:200W(0.63W/cm^(2))、エッチング温度:常温の条件下で行った。これにより、n型GaN基板1の裏面(窒素面)を約1μmの厚み分だけ除去する。起因して発生した結晶欠陥を含むn型GaN基板1の裏面近傍の領域を除去することができる。n型GaN基板1の裏面を、機械研磨のみで加工した場合と比べて、より平坦な鏡面にすることができる。n型GaN基板1の裏面の反射像を目視により良好に確認することができる表面状態を鏡面とする。Microscope)分析により測定した。その結果、エッチング前には、結晶欠陥密度は、1×10^(10)cm^(-2)以上であったのに対して、エッチング後には、結晶欠陥密度は、1×10^(6)cm^(-2)以下にまで減少していることが判明した。エッチング後のn型GaN基板1の裏面近傍の電子キャリア濃度を、エレクトロケミカルC-V測定濃度プロファイラーにより測定した。その結果、n型GaN基板1の裏面近傍の電子キャリア濃度は、1.0×10^(18)cm^(-3)以上であった。これにより、RIE法によるエッチングによって、裏面近傍の電子キャリア濃度を、n型GaN基板1の基板キャリア濃度(5×10^(18)cm^(-3))と同程度にできることがわかった。次に、RIE法を用いてn型GaN基板の裏面(窒素面)のエッチングを行う本発明の効果をより詳細に確認するため、以下の表1に示すような実験を行った。結果としては、RIE法を用いてn型GaN基板の裏面のエッチングを行った本発明による試料3?7では、従来と同様の方法により作製された試料1よりもコンタクト抵抗が大きく低減された。具体的には、試料1のコンタクト抵抗は、20Ωcm^(2)であったのに対して、本発明による試料3?7のコンタクト抵抗は、0.05Ωcm^(2)以下であった。これは以下の理由によると考えられる。本発明による試料3?7では、機械研磨により発生した結晶欠陥を含むn型GaN基板の裏面近傍の領域が、RIE法によるエッチングにより除去されたと考えられる。このため、n型GaN基板の裏面近傍における結晶欠陥に起因して電子キャリア濃度が低下するのが抑制されたためであると考えられる。「【0061】また、Cl_(2)ガスを用いたRIE法により、n型GaN基板の裏面を約1μmの厚み分だけ除去した試料4では、Cl_(2)ガスを用いたRIE法により、n型GaN基板の裏面を約0.5μmの厚み分だけ除去した試料3よりも、低いコンタクト抵抗を得ることができた。これは、約0.5μmの厚み分の除去では、機械研磨により発生した結晶欠陥を含むn型GaN基板の裏面近傍の領域を十分に除去することができなかったためであると考えられる。これらの試料において、n型GaN基板の裏面の結晶欠陥(転位)密度を、TEM分析により測定したところ、試料3の結晶欠陥密度は1×10^(9)cm^(-2)であった。試料4では、観察した視野中に結晶欠陥は観察されず、結晶欠陥密度は1×10^(6)cm^(-2)以下であった。したがって、RIE法によりn型GaN基板の裏面を約1.0μm以上の厚み分除去するのが好ましい。本件特許明細書の段落【0049】には、「エッチング前には、結晶欠陥密度は、1×10^(10)cm^(-2)以上」と記載されており、また、段落【0056】の【表1】には、試料1の「GaN基板裏面研磨→n側電極形成」として「コンタクト抵抗値(Ωcm^(2))」「20」と記載されている。すると、研磨の後にエッチングを行わずn側電極形成をする試料1の「第2工程の終了時に第1半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が1×10^(10)cm^(-2)以上であ」り、「裏面にn型電極を形成すると、20Ωcm^(2)のコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であるといえる。動作を困難とする高いコンタクト抵抗であることは自明である。本件特許明細書の段落【0056】の【表1】の試料1と試料3?7とをみると、本件特許明細書には、上記結晶欠陥をエッチングしたことが記載されている。指摘した事項(後記bで検討する。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり)」との訂正事項は、本件特許明細書の記載の範囲内でなされたものといえる。指摘した点について検討する。(a)「転位密度が1×10^(10)cm^(-2)『程度』」について訂正拒絶理由通知は、本件特許明細書の段落【0049】の「結晶欠陥密度は、1×10^(10)cm^(-2)以上」との記載を根拠に「程度」という文言を用いることが、新規事項を追加するものである旨説示したところである。「1×10^(10)cm^(-2)」との値は測定値であると解されるところ、そうであるならば、一定の誤差が当然に含まれている。すると、当業者であれば、本件特許明細書の「転位密度が1×10^(10)cm^(-2)以上」との文言を「転位密度が1×10^(10)cm^(-2)程度以上」と理解することが明らかである。したがって、「転位密度が1×10^(10)cm^(-2)『程度』」との訂正事項は、新規事項を追加するものではない。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」(である)との文言(以下「本件文言」という。)が、転位密度が1×10^(10)cm^(-2)程度の際には、当該裏面にn型電極を形成すると、高いコンタクト抵抗が生じる場合と生じない場合があり、転位密度が1×10^(10)cm^(-2)程度であっても、そのうちの高いコンタクト抵抗が生じる場合を選択することをも意味しているならば、新規事項を追加するものである旨説示したところである。本件特許明細書の段落【0009】には、「しかしながら、上記特許文献1に開示された従来の方法では、n型GaN基板の裏面を機械研磨する際に、n型GaN基板の裏面近傍に応力が加わる。このため、n型GaN基板の裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合がある。その結果、n型GaN基板と、n型GaN基板の裏面(窒素面)上に形成されたn側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった。動作を困難とする高いコンタクト抵抗になるものと解される。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」となるとの前提においてなされたものであると解される。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」に必然的になるような「転位密度が1×10^(10)cm^(-2)程度」の転位であっても、「第3工程」の対象とすることを特定しているにすぎないものと解される。よって、本件文言についての訂正事項は、上記aのとおり、本件特許明細書の記載の範囲内でなされたものである。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり)」との訂正事項は、本件特許明細書の記載の範囲内でなされたものである。(ウ)「裏面近傍の領域を0.5μm以上除去して」との訂正事項について本件特許明細書の段落【0061】には、本発明による「裏面を約0.5μmの厚み分だけ除去した試料3」及び「裏面を約1μmの厚み分だけ除去した試料4」について、「試料3の結晶欠陥密度は1×10^(9)cm^(-2)」であり、「試料4」の「結晶欠陥密度は1×10^(6)cm^(-2)以下」であることが記載されている。よって、「前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を0.5μm以上除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×10^(9)cm^(-2)以下とする第3工程」とする訂正は、本件特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正である。(エ)以上のとおりであるから、訂正事項1は、新規事項を追加するものではない。実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正か否かについて訂正事項1は、上記アのとおり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないし、上記イのとおり、新規事項を追加するものでもない。よって、訂正事項1は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正に該当するものではないから、特許法第134条の2第9項で準用する同法第126条第6項に適合するものである。訂正事項1についてのまとめ以上のとおりであるから、訂正事項1は、訂正要件に適合する。(2)訂正事項2について訂正事項2は、本件訂正前の請求項4を削除するものである。よって、訂正事項2は、特許法第134条の2第1項ただし書第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。本件特許図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第134条の2第9項で準用する同法第126条第5項及び6項に適合するものである。よって、訂正事項2は、訂正要件に適合する。(3)訂正事項3?8について訂正事項3?8は、訂正事項2における請求項4を削除する訂正に伴い、請求項5?10が有していた請求項4への引用を削除するための訂正であって、特許法第134条の2第1項ただし書第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。本件特許図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第134条の2第9項で準用する同法第126条第5項及び6項に適合するものである。よって、訂正事項3?8は、訂正要件に適合する。(4)一群の請求項について請求項1?10は一群の請求項であるところ、本件訂正は、一群の請求項に対して請求されたものである。以上のとおりであるから、本件訂正は適法である。よって、訂正後の請求項[1?10]について訂正を認める。2のとおり、本件訂正は認められたので、本件特許の特許請求の範囲の請求項1?10に係る発明(以下、それぞれ「本件訂正発明1」?「本件訂正発明10」という。)は、以下のとおりのものと認められる。第1事件についての請求人の主張の概要(本件併合通知前)請求人は、「特許第4180107号の請求項1乃至10に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は無効とすべきものであると主張している。「第」及び「号証」は略する。審判請求書における主張の概要(1)無効理由1(甲2に記載された発明に基づく進歩性欠如)請求人は、審判請求書において、本件特許の請求項1?10に係る発明(以下、それぞれ「本件特許発明1」?「本件特許発明10」という。)は、甲2に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第29条第2項の規定に違反して、特許されたものであるという無効理由1を主張しており、そのうち、本件特許発明1についての主張は概ね次のとおりである。1では、第1半導体層とn側電極とのコンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)以下」とされるのに対し、甲2には、GaN結晶膜65とn型電極74とのコンタクト抵抗の値が明記されていない点。相違点について(審判請求書32頁14行?34頁5行)(ア)本件特許明細書には、キャリア濃度が「1×10^(18)cm^(-3)」よりも低いGaN基板で「0.05Ωcm^(2)」よりも遥かに小さいコンタクト抵抗が得られる旨が記載されているところ(甲1の【0054】における表1の試料4の欄を参照。)、当該記載に従えば、キャリア濃度が「1×10^(18)cm^(-3)」である甲2発明のGaN結晶膜65においても(甲2の【0212】)、「0.05Ωcm^(2)以下」のコンタクト抵抗は、当然に達成される。(イ)甲3の1として提出するとおり、甲2に記載された発明のコンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)」であると仮定すると、甲2に記載された発明におけるレーザ素子の発振閾値電圧は249V程度になってしまうが、常識的に考えて、このような電圧でレーザ素子を発振させることはできないから(このような高電圧を印加すれば熱によりレーザ素子が破壊される。)、甲2に記載された発明のGaN結晶膜65においては、コンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)以下」より遥かに低い値になっていると考えるのが当然である。(ウ)本件特許明細書には、「0.05Ωcm^(2)以下」のコンタクト抵抗を得るにあたり、転位密度を「1×10^(9)cm^(-2)以下」とする以外に特別な設計条件が必要であるとの記載がないから、転位密度を「2×10^(8)/cm^(2)以下」とする以外に特別の設計条件を用いていない甲2に記載された発明においても、当然に「0.05Ωcm^(2)以下」のコンタクト抵抗が得られている。(エ)以上のとおり、相違点に係る構成は、甲2において明記こそされていないものの、甲2に記載された発明においても当然に達成されている構成である。したがって、本件特許発明1は、当業者が甲2に記載された発明から容易に発明することができたものである。(2)無効理由2(甲11に記載された発明に基づく進歩性欠如)請求人は、審判請求書において、本件特許発明1ないし10は、甲11に記載された発明に基づいて当業者が特許出願前に容易に発明することができたものであり、特許法第29条第2項の規定に違反して、特許されたものであるという無効理由2を主張しており、そのうち、本件特許発明1についての主張は概ね次のとおりである。」である点で一致し、次の点で相違する。・相違点2本件特許発明1では、第1半導体層とn側電極とのコンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)以下」とされるのに対し、甲11には、GaN基板600とn型電極61とのコンタクト抵抗の値が明記されていない点。相違点1について(審判請求書43頁6行?44頁7行)(ア)甲11に記載された発明は、GaN基板の研磨によって生じた「表面歪み」をエッチング除去することにより、コンタクト抵抗を低減するものである(甲11の【0202】)。すると、甲11に記載された発明において、コンタクト抵抗を低減するためにGaN基板の研磨面をエッチングすれば、必然的にその転位密度も一定以下となっているはずであるから(半導体レーザ素子に用いるGaN基板の転位密度としては典型的には1×10^(6)cm^(-2)?1×10^(7)cm^(-2)程度であり、甲11に記載された発明において、コンタクト抵抗を低減するために研磨によって生じた表面歪みを完全に除去すれば、その転位密度は1×10^(6)cm^(-2)?1×10^(7)cm^(-2)程度になっている)、甲11に記載された発明においてエッチング除去後のGaN基板の転位密度を1×10^(9)cm^(-2)以下とすることは設計事項に過ぎない。(イ)本件特許明細書の【0056】の表1ないし【0061】の記載によれば、本件特許発明1の転位密度である「1×10^(9)cm^(-2)」は、機械研磨した半導体裏面の結晶欠陥を一部(約0.5μmの厚み分)のみ除去した試料3の場合でも達成されている値である。GaN基板の裏面を0.5μm以上除去する程度のことは周知技術であるから(甲10の【0041】参照)、甲11に記載された発明においても、当然「1×10^(9)cm^(-2)」以下の転位密度が得られている。(ウ)GaN基板の裏面を0.5μm以上除去する程度のことは周知技術であるから(甲10の【0041】参照)、甲11に記載された発明においても、当然「1×10^(9)cm^(-2)」以下の転位密度が得られている。相違点2について(審判請求書44頁8行?末行)(ア)本件特許発明1の「0.05Ωcm^(2)以下」は、コンタクト抵抗の値として本件特許発明1の出願時に周知である(甲4の【0053】、甲12の【0054】を参照)。(イ)本件特許明細書の【0056】の表1によれば、本件特許発明1のコンタクト抵抗である「0.05Ωcm^(2)」との値は、機械研磨した半導体裏面の結晶欠陥を一部(約0.5μmの厚み分)のみ除去した場合でも達成されるものであって、良好な特性ということは到底できないものである。これに対し、甲11には、エッチング処理は「研磨によって生じた表面歪及び酸化膜を除去し、n型電極のコンタクト抵抗」を「低減するために行う」ことを明記している。半導体基板の研磨面のコンタクト抵抗の低減のためエッチング処理をすべき旨教示している。この甲11に記載された発明の教示に接した当業者が、コンタクト抵抗を低減するためのエッチング処理を行うに際し、エッチングにより除去する範囲を「0.5μm」未満とし、「0.05Ωcm^(2)」超の劣ったコンタクト抵抗値の製品を製造することはおよそありえない。当業者であれば、当然、エッチングの厚みを「0.5μm」以上とし、コンタクト抵抗を「0.05Ωcm^(2)」以下とするといえる。(請求人)4頁8行?9頁22行)甲2に記載された発明の「研磨」(甲2の【0215】)は、「機械研磨」と「除去」の2工程を含んでおり、前者(機械研磨)は、本件特許発明1の「第2工程」に該当し、後者(除去)は、本件特許発明1の「第3工程」に該当する。よって、本件特許発明1の構成C「前記第1工程及び前記第2工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×10^(9)cm^(-2)以下とする第3工程」は、甲2に記載された発明との関係において一致点となる。(請求人)9頁23行?12頁6行)(ア)甲14には、「転位」のひとつである刃状転位が多いとGaN膜の抵抗率が高くなることが示され、この甲14に記載された知見を踏まえて、甲2発明において研磨により発生した転位を含むGaN結晶膜またはGaN基板の裏面近傍の領域を除去してGaN基板を研磨前の状態に戻し、これによってGaN結晶膜またはGaN基板の裏面の転位密度をこれらが元々有していた転位密度である1×10^(9)cm^(-2)以下とすることは、当業者が容易に想到することができたというべきである。(イ)甲2の【0210】以下の「実施例2」に関する記載からは、研磨により厚み加工される形態である甲2第一発明と、ドライエッチングにより厚み加工される形態である甲2第二発明とを把握することができ、エッチングの方が機械研磨より基板にダメージを与えないことは周知であり、また、機械研磨の方がエッチングより速く基板を除去できることも周知であることも踏まえて、基板に大きなダメージを与える甲2第一発明(研磨により厚み加工される形態)における研磨を途中で止めて、残りの研磨工程をダメージを与えない甲2第二発明のドライエッチングに代えることは、当業者であれば当然に行う設計事項に過ぎない。(ウ)甲11の【0202】には、研磨後にエッチング処理を行うことが開示されているが、エッチングの方が機械研磨より基板にダメージを与えないことは周知であり、また、機械研磨の方がエッチングより速く基板を除去できることも周知である。したがって、甲2第一発明に甲11に記載された知見も踏まえて、研磨されたGaN結晶膜をエッチング処理し、その転位密度を研磨前の状態に戻し10^(9)cm^(-2)以下とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。(請求人)12頁7行?13頁2行)甲3の1に関して、前述のとおり甲2の「研磨」では転位密度が増大しないので、電極面が研磨されているか否かは、仮定の当否に影響しない。【0037】に300μm(0.3mm)や250μm(0.25mm)のチップ幅が開示されているとおり、0.4mmという値はチップ幅として一般的な値である。したがって、甲3の1における仮定は合理的である。(請求人)14頁15行?18頁1行)平成24年(行ケ)10302号の判決は、「本件特許発明にいう『転位』とは,基板の機械研磨によって生じ得る加工変質層(甲24)(審決注:本件審判の甲29)のうち,結晶中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥を意味するものと認めるのが相当である。」(28頁)としているところ、甲30には、甲29と同様の「加工変質層」のモデル図が記載され、さらに「歪み層」を含む「加工変質層」は電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去しなければならないことが記載されており、一方、甲11には、「表面歪み」が研磨によって生じたものであり、エッチングによって除去されるものであり、しかも、電気的特性に悪影響を与えるものであることが記載されているから、甲11に記載された発明で除去されている「表面歪み」が甲29、甲30における「ひずみ層」又は「歪み層」と同じものであることは明らかである。してみると、上記判決の「転位」の意味に関する認定に従えば、「転位」という文言の有無にかかわらず、甲11には「転位」及びその除去について開示されているということにならざるをえない。(請求人)18頁2行?19頁5行)(ア)「0.05Ωcm^(2)以下」というコンタクト抵抗の値は、甲4、甲12のほか、甲36、甲37にも開示されている。(イ)本件特許発明では基板表面が鏡面になるまでの加工をしていることが前提になっているところ(甲3の3の6頁)、甲11の研磨も鏡面になるまでの研磨であるから、甲11の研磨による基板への影響は、本件明細書の実施例と大きな違いはないといえる。したがって、甲11において0.5μm程度のエッチングをすれば本件明細書の実施例と同様の結果になる。無効理由1本件特許発明の構成Cは一致点であり、たとえ相違点であるとしても、本件特許発明の構成Eと同様に当業者が容易に想到し得たものに過ぎない。したがって、被請求人の主張はすべて誤りである。無効理由2甲11の開示にしたがえば自動的に(少なくとも、容易に)本件特許発明の最良の実施形態に至るのであるから、当業者が本件特許発明が開示する転位密度やコンタクト抵抗の具体的な数値を想定するか否かとは関わりなく、本件特許発明は容易想到である。(請求人)22頁21行?32頁17行)審判合議体は、次のア及びイの無効理由を職権で取り上げるべきである。請求項1ないし10に係る発明は、甲2第一発明、甲36に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。請求項1ないし10に係る発明は、甲11発明、甲36に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。(請求人)による審判請求書の請求の理由の補正の許否(1)上記3(1)イについて上記2(1)のとおり、審判請求書では、無効理由1(甲2に記載された発明に基づく進歩性欠如)については、「本件特許発明1では、第1半導体層とn側電極とのコンタクト抵抗が『0.05Ωcm^(2)以下』とされるのに対し、甲2には、GaN結晶膜65とn型電極74とのコンタクト抵抗の値が明記されていない点」のみを本件特許発明1と甲2に記載された発明との相違点としていた。(請求人)では、上記3(1)イのとおり、前記相違点に加え、甲2に記載された発明は、本件特許発明1の構成C(第3工程)を備えない点も相違点(以下「相違点2」という。)であるとし、当該相違点2は、刃状転位が多いとGaN膜の抵抗率が高くなるという甲14に記載の知見を踏まえれば、当業者が容易に想到できるとしている。(請求人)の上記3(1)イは、請求の理由の要旨を変更する補正に当たる。(請求人)では、上記3(4)のとおり、甲36を新たに追加して、本件は職権による無効理由の通知が相当であるとしている。(請求人)の上記3(4)は、請求の理由の要旨を変更する補正に当たる。第2頁第22行?第3頁第6行「この意味において、・・・見出されたものでもない。」、第14頁第18?20行「また、・・・既に開示されている。(請求人)において、甲14を新たに追加し、「転位」のひとつである刃状転位が多いとGaN膜の抵抗率が高くなるという特許を無効にする根拠となる事実を立証しようとしているのであるから、甲14が特許を無効にする根拠となる周知事実を立証するための証拠や補強証拠に当たらないことは明らかである。(請求人)の甲14に基づく主張は、請求の理由の要旨を変更する補正に当たる。第2頁第22行?第3頁第6行「この意味において、・・・見出されたものでもない。」、第14頁第18?20行「また、・・・既に開示されている。職権による無効理由の通知が相当であることについて」)の各箇所の記載による請求の理由の補正については、口頭審理において、審判長は、特許法第131条の2第1項の規定に基づき、許可しないと決定した。第1事件についての被請求人の主張の概要(本件併合通知前)被請求人は、「本件審判の請求は成り立たない」、「審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め、請求人の主張は、全く理由がないものであり、本件特許は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものではないから、本件特許は無効にされるべきものではないと主張している。被請求人が提出した証拠方法は次のとおりである。第2事件についての請求人の主張の概要(本件併合通知前)請求人は、「特許第4180107号の請求項1乃至10に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は無効とすべきものであると主張している。(請求人)4頁9行?13行参照。はじめに?本件特許発明の意義について」の記載内容に対して実質的な反論を行っている(審判事件答弁書4頁25行?8頁11行)ので、当審合議体は、上記箇所の記載が独立した一つの無効理由(以下「無効理由0」という。)を主張するものとして扱い、その当否について判断することとした。請求人は、審判請求書(31頁下から2行?32頁13行参照。)において、本件特許の請求項1に係る発明を次のように分説して符号AないしFを付与しており、審判請求書を通じて、分説された発明の各構成要件を前記符号AないしFを用いて構成要件Aないし構成要件Fと称している。はじめに?本件特許発明の意義について」)において、本件特許の請求項1ないし10に係る発明(以下、それぞれ「本件発明1」ないし「本件発明10」といい、本件発明1ないし本件発明10を総称して「本件発明」という。)が解決しようとする課題は公知であり(甲9、甲10、甲11ないし13)、本件発明が周知技術そのものである(甲24、甲25、甲7、甲8、甲26、甲27、甲16)から、本件発明は特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由を主張しており、そのうち、本件発明1についての主張は概ね次のとおりである。本件発明の課題はGaN系、非GaN系を含め公知であったこと(審判請求書34頁17行?37頁末行)刃状転位等の欠陥は、キャリアをトラップして調整した膜の電気的特性を損ねることが知られている(甲9)。転位の一つである刃状転位が多いとGaN膜の抵抗率が高くなる(甲10)。研磨に起因するダメージ部分においては、転位密度が高くなるので、光励起されたキャリヤはダメージ部分でトラップされる(甲11)。刃状転位にはダングリングボンドが存在する(甲12)ところ、ダングリングボンドは・・・キャリアのトラップなどの作用をする(甲13)。以上のことからみて、「転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大する」という課題は、本件発明によって初めて見出されたものではなく、従前から当業者が当然のこととして認識していた事項に過ぎない。「半導体基板は転位が少ないことが望ましいこと」は、当業者における技術常識であり、基板裏面をエッチング処理することで「転位」を除去できることも技術常識であるから(甲7、甲8等)、これらの技術常識に基づき「転位」を除去しようとすることは当然であり、そうであるとすれば、機械研磨によって発生した転位を除去する動機付けの有無を検討するにあたり、「コンタクト抵抗」への影響の有無を知っていたかどうかを問題にするまでもなく、「研磨により発生した転位を含む・・・裏面近傍の領域を除去」する動機付けは十分にある。24年(行ケ)第10302号)の判決(甲17)が認定した「転位」の意味や、甲18ないし甲22、甲7、甲8、甲23の記載を踏まえると、「転位」とは加工変質層に含まれるものである。しかるに、Si、Geなどの半導体結晶を表面機械加工する際に生じる加工変質層(本件発明の「転位を含む・・・領域」に相当(甲17、甲22、甲7、甲8、甲23)。)は当該半導体結晶の電気的特性に悪影響を与えるものであり、エッチングによって完全に除去すべき(つまり、加工変質層を除去して元の基板の状態に戻すべき)ものである(甲24、甲25、甲7、甲8)。GaN系においても、加工変質層を除去することは周知技術である(甲26、甲27、甲16)。半導体の薄型加工工程において、「加工変質層」すなわち本件発明でいう「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態(研磨前の基板の状態)に戻すことは、本件出願前から、製造現場で日常的に行われていた周知技術そのものであり、本件発明は加工変質層に関する周知技術そのものの工程を記載したうえで、これに「転位」という表現を使い、かつ、「転位密度」と「コンタクト抵抗」の数値によってn側電極を付ける面の状態が元の基板の状態よりも悪い状態を規定しただけの発明である。(2)無効理由1(甲2に記載された発明に基づく進歩性欠如)請求人は、審判請求書において、本件発明1ないし本件発明10は、甲2に記載された発明(下記甲2第一発明)に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由1を主張しており、そのうち、本件発明1についての主張は概ね次のとおりである。甲2に記載された発明(審判請求書52頁13行?23行)甲2には次の発明が記載されている。「平滑なエピレディ表面を得るためn型GaN基板におけるGa面とN面の両方を機械研磨とドライエッチ処理してGa面およびN面ともに代表的な転位密度を10^(7)cm^(-2)よりも低くする工程と、その後、n型GaN基板のGa面とN面にTi/Al電極を形成する工程と、を備え、Ga面上に形成されたTi/Al電極の接触抵抗値を2×10^(-5)Ωcm^(2)とする、n型GaNからなるショットキーダイオードの製造方法。」(以下「甲2第一発明」という。いずれかからなる第1半導体層」に該当するが、甲2第一発明はn型GaN基板「の上面上に、活性層を含む窒化物系半導体層からなる第2半導体層を形成する」工程を行うものではないから、この点が相違点1となる。「自立GaNは、転位密度が低く、熱伝導率が高く、劈開が容易であることから、光電子デバイスの基板として注目されて」おり、当業者が甲2のn型GaN基板を「光電子デバイス」すなわちLDやLEDの基板として用いる動機がある。甲2は、「活性層を含む素子構造は、通常GaN基板のGa極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はGaNのN極性側に形成する必要がある。Ga極性およびN極性のGaN基板上のオーミック電極間の電気特性の比較はほとんど行われてこなかった」という事情の下でなされた研究であり、GaN基板に活性層を含む素子構造が形成され得ることを当然の前提としている。構成要件B(一致点だが、仮に相違点とすれば、相違点2)及び相違点2について(審判請求書54頁4行?22行)本件発明の「厚み加工」を「劈開のための厚み加工」に限定解釈すれば、本件発明の構成要件Bにおいて相違点2が生じる余地もある。n型GaN基板に活性層を含む素子構造を形成して光電子デバイスを製造することは当業者が容易に想到し得た構成であるところ、この場合においては、素子分離及び共振器端面を形成するために当然に劈開が行われるから、劈開に適した厚みとするための厚み加工を行う動機がある。甲2第一発明が構成要件Cを備えない点(相違点3)及び相違点3について(審判請求書54頁23行?57頁10行)甲2第一発明の「ドライエッチ処理」はn型GaN基板に活性層を含む素子構造を形成した後(第1工程の後)に行われるものではない。したがって、本件発明の構成要件Cのうち「前記第1工程・・・の後」の点は相違点(相違点3)である。n型GaN基板に活性層を含む素子構造を形成して光電子デバイスを製造することは当業者が容易に想到し得た構成であり、その際、先に当該素子構造を形成する工程(第1工程)を行い、その後に「厚み加工」の工程(第2工程)と「除去」の工程(第3工程)を行うことは当然である。構成要件D及び構成要件Eについて(審判請求書57頁11行?17行)構成要件D及び構成要件Eは一致点である。必然的に形成されることになる。(3)無効理由2(甲2に記載された発明に基づく進歩性欠如)請求人は、審判請求書において、本件発明1ないし本件発明10は、甲2に記載された発明(下記甲2第二発明)に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由2を主張しており、そのうち、本件発明1についての主張は概ね次のとおりである。甲2に記載された発明(審判請求書65頁5行?14行)甲2には次の発明が記載されている。「平滑なエピレディ表面を得るためn型GaN基板におけるGa面とN面の両方を機械研磨とドライエッチ処理してGa面およびN面ともに代表的な転位密度を10^(7)cm^(-2)よりも低くする工程と、その後、n型GaN基板のGa面とN面にTi/Al電極を形成する工程と、を備え、GaN/AlNヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により、n型GaN基板のN面上の電極は、非線形の電流-電圧曲線を示し1eVを超える高いショットキー障壁が測定された、n型GaNからなるショットキーダイオードの製造方法。」(以下「甲2第二発明」という。構成要件A(相違点1)、構成要件B(一致点だが、仮に相違点とすれば、相違点2)、構成要件C(相違点3)、構成要件D、及び構成要件F(一致点だが、仮に相違点とすれば、相違点4)並びに相違点1ないし相違点4について(審判請求書65頁17行?20行)無効理由1と同様であるが、加えて、n型GaN基板のGa面に活性層を含む素子構造を形成することは本件特許の優先日当時において周知技術(甲3、甲9、甲30、甲31、甲34)であった。構成要件Eについて(審判請求書59頁11行?60頁5行、65頁21行?66頁12行)(ア)無効理由1の本件発明2について述べたところと同様である。甲2は、・・・GaN基板をLDやLEDに使用することを意図してなされた研究であり、・・・たまたま実験に用いたTi/Al電極については、n側電極がGaN基板のN面にショットキー接触するという技術常識とは異なる結果が得られたというものである。実際、甲2では、ショットキー接触になる原因が解明されているが、このように原因を解明するということは、たとえn側電極としてTi/Al電極を用いた場合であっても、その原因に対処することによりGaN基板のN面とn側電極をオーミック接触させることができることを意図しているというべきであり、その原因の開示を受けた当業者であれば、当然に、逆向きのピエゾ電界を発生させないよう電極形成の条件を変更したり、あるいはTi/Alはなく他の電極材料を使ったりすることなどにより、n側電極をGaN基板のN面に容易にオーミック接触させることができる。(イ)そもそもショットキー接触であるからといってコンタクト抵抗が0.05Ωcm^(2)より高いとは限らない。本件明細書には転位密度を低減すること以外にコンタクト抵抗を低減する条件が記載されていないのであるから、この点で本件明細書と甲2との開示内容に差はなく、甲2第二発明において本件発明1と同じコンタクト抵抗を実現することは明細書に記載するまでもない設計事項の適用に過ぎない。(4)無効理由3(甲3に記載された発明に基づく進歩性欠如)請求人は、審判請求書において、本件発明1ないし本件発明10は、甲3に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由3を主張しており、そのうち、本件発明1についての主張は概ね次のとおりである。」である点で一致し、次の相違点1ないし相違点3の点で相違する。相違点1(構成要件C):本件発明1は、「前記第1工程及び前記第2工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×10^(9)cm^(-2)以下とする第3工程」を備えるのに対し、甲3には当該「第3工程」が明記されていない点。相違点2(構成要件D):本件発明1では、第3工程の後に、「前記転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に」n側電極を形成する第4工程を備えるのに対し、甲3発明は、n側電極を形成する工程を備えるが、「前記転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍が除去された第1半導体層の裏面上に」との構成がない点。相違点3(構成要件E):本件発明1では、第1半導体層とn側電極とのコンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)以下」とされるのに対し、甲3には、GaN結晶膜65とn型電極74とのコンタクト抵抗の値が記載されていない点。相違点1(構成要件C)について(審判請求書77頁23行?81頁24行)(ア)相違点1は、甲3発明に周知技術または甲37を適用することにより容易想到である。マスクを常法により研磨除去するが、常法はこの当時の技術常識あるいは周知技術によるものと解される。甲37には、機械的なラッピングと研磨がGaN基板の両面で実施され、TEM観察で測定された自立GaN基板の転位密度は2×10^(5)cm^(-2)であり、また、ウエットエッチング後のSEMで観察されたエッチピット密度(EPD)が5×10^(5)cm^(-2)であることが記載されている。当時のGaN結晶の研磨技術として、CMPが挙げられるが、CMPでは、条件によって、転位が発生する場合と発生しない場合があり、転位が発生しない条件も本件出願日当時、すでに知られていた(甲16、甲42)。(イ)相違点1は、甲3発明に甲2(甲2第一発明または甲2第二発明)を適用することにより容易想到である。甲2には、N面にn電極を設けることが記載されているところ、甲3においてもN面にn電極を設けることが記載されているから、電極形成面に関する甲2の技術事項を甲3に適用する動機があり、また、甲2には、「平滑」な面を得るためにGaNの機械研磨面をドライエッチ処理し、これにより「Ga面およびN面ともに、代表的な転位密度は10^(7)cm^(-2)よりも低かった。」と記載されているところ、甲3の請求項57に「結晶面を・・・平坦化する」と記載されているとおり、n型電極の形成面を平滑にすることは甲3発明においても望ましいこととされているから、甲3発明に甲2に記載された技術事項を適用することには強い動機付けがあり、さらに、本件出願前から転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという問題が認識されていたから、甲3発明においても、当該問題を回避するために、研磨で増加した転位密度を低減させる技術事項を適用する動機付けが認められる。その結果、甲3発明に対して、甲2に記載された技術事項を適用して、研磨されたGaN結晶膜をドライエッチ処理し、その転位密度を研磨前の状態に戻し1×10^(9)cm^(-2)以下とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。(ウ)相違点1は、甲3発明に加工変質層に関する周知技術を適用することにより容易想到である。(エ)相違点1は、甲3発明に技術常識(機械研磨とエッチングの組み合わせ)を適用することにより容易想到である。甲3発明に対して、転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという課題を解決するために、機械研磨とドライエッチング又はウエットエッチングを組み合わせるという技術常識を適用し、転位を除去することは容易想到である。相違点2(構成要件D)について(審判請求書81頁25行?82頁4行)相違点2は「前記転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に」という点であり、相違点1と同内容であるところ、相違点1は容易想到であるから、相違点2も同様に容易想到である。相違点3(構成要件E)について(審判請求書82頁5行?83頁12行)(ア)相違点3は、甲3発明に加工変質層に関する周知技術を適用することにより容易想到である。相違点1は容易想到であり、また、甲3には、基板のキャリア濃度として、【0212】「GaN結晶膜65は、1×10^(18)cm^(-3)以上のキャリア濃度であった。」との記載があり、本件明細書【表1】(試料3)のとおりキャリア濃度が「1×10^(17)cm^(-3)」程度であれば、コンタクト抵抗は0.05Ωcm^(2)となるから、キャリア濃度が「1×10^(18)cm^(-3)以上」であれば、そのコンタクト抵抗は0.05Ωcm2以下であることは明らかであり、現に、例えば甲9には、コンタクト抵抗が「1×10^(-5)Ω・cm^(2)以下」という低いコンタクト抵抗値が開示されているとおり、本件出願当時において、0.05Ωcm^(2)以下というコンタクト抵抗値は既に得られていた(甲6、甲43(甲31、甲5))から、高いキャリア濃度が開示されている甲3において、0.05Ωcm^(2)以下というコンタクト抵抗を得ることは容易である。(イ)相違点3は、甲3発明に甲2第一発明を適用することにより容易想到である。甲2第一発明には、Ga面にn電極を設けて、コンタクト抵抗を「0.05Ωcm^(2)以下」とする構成が開示されているところ、半導体素子の作製においてコンタクト抵抗は低い方が望ましいことは技術常識であり(甲4、甲24)、甲3にはGa面にn電極を設ける構成が開示されているから(【0201】)、甲3発明に対して、当該技術常識を踏まえて、甲2の技術事項を適用する動機付けがあり、甲3発明に甲2に記載された技術事項を適用して、第1半導体層とn電極とのコンタクト抵抗を「0.05Ωcm^(2)以下」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。)請求人は、審判請求書において、本件発明1ないし本件発明10は、甲3に記載された発明であるから特許法第29条第1項第3号に該当し、また、甲3に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由4を主張しており、そのうち、本件発明1についての主張は概ね次のとおりである。相違点1(構成要件C)について(審判請求書88頁13行?20行)本件発明1に関して、甲3では「常法」による「研磨」がなされているが、当時の研磨の常法とは、甲37に示されるような方法であり、甲37の研磨後の転位密度は5×10^(5)cm^(-2)であるところ、甲3においても「常法」として甲37記載の方法と同様の研磨が実施されていると考えられ、この結果、転位密度は5×10^(5)cm^(-2)程度になっていると考えられるから、相違点1は実質的には相違点ではない。相違点2(構成要件D)について(審判請求書88頁21行?89頁1行)相違点1と同内容であるから、相違点1が実質的な相違点ではない以上、相違点2も実質的な相違点とはいえない。相違点3(構成要件E)について(審判請求書89頁2行?11行)甲3では、転位密度は5×10^(5)cm^(-2)という、本件発明1の「1×10^(9)cm^(-2)」より低い数値であるところ、甲10のとおり、転位密度が低下すると抵抗率が低下し、抵抗率が低下するとコンタクト抵抗は低下するという関係にあるから、甲3のコンタクト抵抗は、本件発明1のコンタクト抵抗より低くなっており、また、コンタクト抵抗に関しては、甲3の発明者による論文甲5に関して、実際にそのコンタクト抵抗の上限値を計算すると「0.021Ωcm^(2)」であって(甲43の2)、甲3のコンタクト抵抗の上限値も「0.021Ωcm^(2)」程度であると考えられるから、相違点3は実質的な相違点ではない。(6)無効理由5(甲4に記載された発明に基づく進歩性欠如)請求人は、審判請求書において、本件発明1ないし本件発明10は、甲4に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由5を主張しており、そのうち、本件発明1についての主張は概ね次のとおりである。」である点で一致し、次の相違点1及び相違点2の点で相違する。相違点1(構成要件C):本件発明1では、第3工程の除去により第1半導体層の裏面の転位密度が1×10^(9)cm^(-2)以下とされるのに対し、甲4には、第3工程のエッチングにより達成されるGaN基板600の転位密度が明記されていない点。相違点2(構成要件E):本件発明1では、第1半導体層とn側電極とのコンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)以下」とされるのに対し、甲4には、GaN基板600とn型電極61とのコンタクト抵抗の値が明記されていない点。相違点1(構成要件C)について(審判請求書95頁10行?98頁1行)(ア)相違点1は、甲4発明および甲2(甲2第一発明または甲2第二発明)の記載から容易想到である。甲2第一発明、甲2第二発明には、転位密度を「1×10^(9)cm^(-2)以下」とする構成が開示されている。しかるに、甲4発明と甲2発明とは同じGaN系の半導体素子に関する発明であり、GaN基板を研磨した後に電極を設ける点でも一致している。本件出願前から、転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという問題が認識されていたから、甲4発明においても、当該問題を回避するために、研磨で増加した転位密度を低減させようとして、甲2に開示された転位密度を10^(7)cm^(-2)よりも低減させる技術事項を適用する動機付けが認められる。よって、甲4発明に対して、甲2に記載された技術事項を適用して、研磨されたGaN結晶膜をドライエッチ処理し、その転位密度を研磨前の状態に戻し10^(9)cm^(-2)以下とすること(転位密度を10^(7)cm^(-2)より低くすること)は、当業者が容易に想到し得たことである。(甲17)が認定した「転位」の意味に基づけば、半導体の薄型加工工程において、「加工変質層」すなわち本件発明でいう「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態(研磨前の基板の状態)に戻すことは、本件出願前から、製造現場で日常的行われていた周知慣用の技術である(甲7、甲8、甲16、甲24、甲25、甲26、甲27)。本件出願当時において、GaN基板の元の転位密度は「1×10^(6)cm^(-2)」以下程度であった(甲37?甲39)。よって、相違点1は、甲4発明に上記周知技術を適用することにより、当業者が容易に想到し得たことである。(ウ)相違点1は、甲4発明に技術常識(機械研磨とエッチングの組み合わせ)を適用することにより容易想到である。機械研磨によって転位が発生すること、転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという課題、厚み加工において機械研磨とドライエッチングやウェットエッチングを組み合わせること(甲2、甲8、甲27、甲42)、ドライエッチングおよびウェットエッチングによっては転位が発生しないことなどは、いずれも技術常識である。本件出願当時において、GaN基板の元の転位密度は「1×10^(6)cm^(-2)」以下程度であった(甲37?甲39)。よって、甲4に対して、上記課題(転位密度増大によるコンタクト抵抗の低減)を解決するために、当該技術常識を適用して、機械研磨によって生じた「転位」をエッチングで完全に除去しその転位密度を元の基板の転位密度である「1×10^(6)cm^(-2)」以下程度(1×10^(9)cm^(-2)以下)とすることは、甲4発明に技術常識を適用することにより、当業者が容易に想到し得たことである。(エ)相違点1は実質的な相違点ではない(表面歪みの除去)。甲4の【0202】には「研磨によって生じた表面歪み・・・を除去」することが記載されているが、甲18の図-3において、ひずみ層(甲4の表面歪み)は加工変質層の最下部に位置するから、ひずみ層(表面歪み)を除去すると、加工変質層がすべて除去されることになる。審決取消訴訟の判決(甲17)によれば、本件発明の「転位」は加工変質層も含まれるから、甲4で表面歪みを除去すると、自ずと、本件の「転位」もすべて除去されることになる。甲8(表面の構造)106頁には、加工変質層が生じた面をエッチングして、表面状態の変化を観察しているが、ここで、「次に仕上面より0.03μmエッチされた領域では、菊池線がより明瞭となった電子回折像が得られ、より以上の結晶の完全性を示しているが、X線では引っかききずを別にしても、まだかなりの転位が残留していると思われるトポグラフが得られている。表面から0.1μ除去されたところになると、電子回折ではパターンの変化は認められないにもかかわらず、X線ではひずみ層がほとんど除去されたことがわかり・・・」として、転位が残留していないことを指して、ひずみ層がほとんど除去されたと述べて、ひずみ層(甲4の表面歪み)に転位が含まれていることが示されている。以上から、甲4では、表面歪みを除去することにより、「転位」が除去されていることが分かる。これによって、甲4では、転位密度は元の基板の転位密度である「1×10^(6)cm^(-2)」以下に戻っていることになるため、相違点1は実質的な相違点とはいえない。相違点2(構成要件E)について(審判請求書98頁2行?99頁3行)関連特許の無効審判事件(無効2013-800119号)の審理事項通知(甲44、19頁)で合議体が認定しているとおり、甲4は【0040】等に示されるように、n型電極のコンタクト抵抗を低減するために、研磨によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去するエッチング処理を行っているのであるから、エッチングする範囲を大きくすることで、コンタクト抵抗「0.05Ωcm^(2)以下」とすることは当業者において容易に想到しうることである。甲4に対して、加工変質層に関する周知技術の適用、または、甲2第一発明の技術事項を適用することにより、「0.05Ωcm^(2)以下」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである点は、甲3に関して述べたのと同様である。甲4には、【0028】「該n型GaN基板のn型極性は、Siをドーピングすることによって得られ、該Siの濃度は、2×10^(18)/cm^(3)であった。前記n型GaN基板中に約2×10^(17)/cm^(3)の塩素をドーピングしている。」、【0186】「続いて、前記ストライプ形状に加工した誘電体膜30の付いたウエハーをHVPE装置中にセットし、成長温度1100°C、Si濃度3×10^(18)/cm^(3)、塩素濃度1×1017/cm3をドーピングしながら、350μmの塩素ドーピングされたn型GaN厚膜40を積層する。」との記載があるとおり、甲4のキャリア濃度(n型不純物濃度)は「2×10^(18)/cm^(3)」や「3×10^(18)/cm^(3)」と十分に高い濃度であるから、コンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)」以下であることは明らかである(本件明細書【表1】におけるキャリア濃度とコンタクト抵抗の関係を参照。コンタクト抵抗がキャリア濃度のみに基づいて決定されるものでないとしても、電極材料を適宜選択してコンタクト抵抗を低減すること、コンタクト抵抗を0.05Ωcm^(2)以下とすることは周知技術であるから、甲4に対して上記周知技術を適用して、コンタクト抵抗を0.05Ωcm^(2)以下とすることは容易想到である。(請求人)4頁下から6行?5頁13行)。(請求人)10頁下から6行?12頁2行)。1(構成要件C)本件発明1は、「前記第1工程及び前記第2工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×10^(9)cm^(-2)以下とする第3工程」を備えるのに対し、甲3第一発明には、当該「第3工程」が明記されていない点。相違点2(構成要件D)本件発明1では、第3工程の後に、「前記転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に」n側電極を形成する第4工程を備えるのに対し、甲3第一発明は、n側電極を形成する工程を備えるが(【0216】、【0189】)、「前記転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に」との構成が記載されていない点。相違点3(構成要件E)本件発明1では、第1半導体層とn側電極とのコンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)以下」とされるのに対し、甲3第一発明には、GaN結晶膜65とn型電極74とのコンタクト抵抗の値が記載されていない点。(請求人)12頁4行?13頁下から5行)審判請求書では、「甲3発明」に関し、上記2(4)イの(ア)?(エ)を指摘して、相違点1が容易想到であると主張したが、この(ア)?(エ)はいずれもそのまま甲3第一発明にあてはまる。上記2(4)イ(イ)に関して、以下のとおり説明を追加する。甲3第一発明と甲2第一発明では、n電極が形成される面が異なるが(甲3第一発明はN面、甲2第一発明はGa面にn電極が形成される(審判請求書52頁))、審判請求書79頁12行以下のとおり、甲3第一発明と甲2に開示された発明(甲2第一発明および甲2第二発明)は、次のaないしcのことからみて、甲3第一発明に甲2発明(甲2第一発明および甲2第二発明を含むが、とりわけ甲2第二発明)を適用する動機付けが認められる。同じGaN系の半導体素子に関する発明であり、GaN基板を研磨した後に電極を設ける点で一致している。甲2には、「平滑」な面を得るためにGaNの機械研磨面をドライエッチ処理し、「Ga面およびN面ともに、代表的な転位密度は10^(7)cm^(-2)よりも低かった。」と記載されており(甲2の訳文2頁2行?3行、及び同頁6行?7行を参照)、Ga面であろうが、N面であろうが、いずれにせよ電極形成面はエッチングすることが開示されている。甲3の請求項57に「結晶面を・・・平坦化する」と記載されているとおり、n型電極の形成面を平滑にすることは甲3においても望ましいこととされている。ここでは電極形成のために平滑にする面がN面であるかGa面であるかは問題とはされていないから、甲2の「電極形成面をエッチングして転位密度を10^(7)cm^(-2)以下にする」との技術事項を甲3第一発明に適用することについて強い動機付けがある。甲3第一発明と甲2第二発明とは共にN面に電極を形成することさえも共通しているのであるから、甲3第一発明に甲2第二発明の電極形成面であるN面をエッチングして転位密度を10^(7)cm^(-2)よりも低くするとの技術事項を適用することには非常に強い動機付けがある。本件出願前から認識されていた問題(転位の増大によりコンタクト抵抗が増大する)を回避するため、甲3第一発明に、甲2のGa面、N面の転位を10^(7)cm^(-2)よりも低減させる技術事項を適用する動機付けがある。(請求人)13頁下から4行?14頁1行)相違点2については、審判請求書で「甲3発明」について述べた主張(上記2(4)ウ参照。)がそのまま甲3第一発明にあてはまる。(請求人)14頁2行?15頁4行)審判請求書では、「甲3発明」に関し、上記2(4)エの(ア)、(イ)を指摘して、相違点3が容易想到であると主張したが、このうち、(ア)はそのまま甲3第一発明にあてはまる。(イ)については、甲3第一発明と甲2第一発明では、n電極形成面が異なることから、甲2第一発明の技術事項(Ga面にn電極を設けて、コンタクト抵抗を「0.05Ωcm^(2)以下」とする)を適用したのみでは甲3第一発明のN面において「0.05Ωcm^(2)以下」との数値が得られるかは明らかではないとの反論が考えられるが、前述のとおり、甲2には甲2第二発明も記載されており、この発明では電極はN面に形成されており、しかるところ、本件明細書において、コンタクト抵抗「0.05Ωcm^(2)以下」を得るための条件としては、「転位を含む・・・領域」を除去して転位密度を「10^(9)cm^(-2)以下」とすること(それにより、基板のキャリア濃度が元の基板のキャリア濃度に近づくこと)以外なにも記載されていない。すると、コンタクト抵抗「0.05Ωcm^(2)以下」との数値は、転位密度「10^(9)cm^(-2)以下」とすることによって、その他電極材料等を当業者が適宜選択することによって得られる設計事項であることは明らかである。上記相違点1について述べたとおり、転位密度「10^(9)cm^(-2)以下」とすることは容易想到であるから、あとは電極材料などの条件を適宜選択することによって、コンタクト抵抗「0.05Ωcm^(2)以下」を得ることもまた容易想到である。(請求人)19頁5行?9行)本件発明1と甲3第二発明との一致点・相違点の特定、相違点に関する検討については、いずれも、審判請求書の「甲3発明」について述べた内容(上記2(4)ア?エ参照。)がそのまま妥当する。(請求人)19頁下から7行?20行末行)。審判事件答弁書において、被請求人は、縷々主張するが、要するに、ただ単に請求人が提出した証拠には、「GaN基板の電極形成面の加工変質層を除去する」という文言が明記されていないと主張しているだけのことである。昭和47年には発行されていた論文(甲7)に、「すべての材料は加工されれば加工変質層が生じ、なんらかの形で物性に影響を及ぼしているはずである。して使用する材料に関してはこれを除去するか、変質層を生じないような加工法をとることに努力が向けられた。固体を工業上の目的に使用するためには、その材料に対してなんらかの加工をほどこさなければならない。一般に加工に際しては材料の性質を変えないことが望ましいのであるが、加工のとき作用する力、発生する熱、外気の作用、新生面効果などによって材料はなんらかの変化をうけ、表面には内部とは違った層を形成する。このような層を加工変質層とよんでいる。半導体材料の加工変質層」の項目のなかで「(d)加工変質層の除去」として「加工変質層を除去するための方法の一つはエッチングによる除去である。」(109頁)として、加工変質層を除去することが記載されている。以上のとおり、加工変質層が材料の物性に悪影響を与えるため、材料系および位置(発生箇所)を問わず、発生した加工変質層を除去する必要があることは昭和46年頃の教科書的な書物にさえ記載される程度の技術常識である。被請求人は、請求人が指摘した文献について、GaN系の材料に関する記載ではないとか、電極形成面に関して言及した文献ではないと主張しているが、転位を含む加工変質層は材料系・位置を問わず完全に除去すべきことが技術常識なのであるから、例え請求人が指摘した文献の一部がGaN系の文献や電極形成面に関するものでなかったとしても、それらの文献に記載されている技術事項(加工変質層の完全な除去)をGaN系の材料や電極形成面に対して適用することに強い動機づけが認められることはいうまでもない。したがって、被請求人の主張にはまったく理由がない。(請求人)30頁3行?16行)本件発明についての被請求人の主張には理由がない。(請求人)30頁17行?34頁5行)本件発明の課題が公知であることについての被請求人の主張には理由がない。(請求人)34頁6行?35頁下から5行)半導体基板において転位が少ないことが望ましいことは技術常識であるから、本件発明を想到する動機付けは十分にあることについての被請求人の主張には理由がない。(請求人)35頁下から4行?40頁下から4行)特許第3933592号に関する審決取消訴訟の判決によっても本件発明が周知技術そのものであることについての被請求人の主張には理由がない。(請求人)40頁下から3行?47頁3行)無効理由1についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。(請求人)47頁4行?50頁1行)無効理由2についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。(請求人)50頁2行?60頁下から8行)無効理由3についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。(請求人)60頁下から7行?63頁1行)無効理由4についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。(請求人)63頁2行?67頁7行)無効理由5についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。本件発明の転位と請求人が理解する従来から除去されていた加工変質層との位置関係は、次の図1のようになる。この位置関係については争いはない。本件発明の転位は従来技術において知られていた「加工変質層」に含まれるという位置関係にある。しかるところ、甲24の記載から、従来、上記図における「加工変質層」は完全結晶層の状態になるまで完全に除去されていたのであるから、「加工変質層」に含まれる本件発明の「転位」も従来技術において完全に除去されていたことになる(上申書(請求人)3頁下から6行?4頁末行)。本件発明の「転位」と被請求人が主張する従来から除去されていた加工変質層との位置関係は、次の図2のようになる。甲24には加工変質層は完全に除去されるとあり、クラック層までの加工変質層を除去するがその下の加工変質層は除去しないなどとは記載されておいない。被請求人が自らの主張の根拠にしている甲17判決が述べたのは次の図3のような内容であって、要するに当該事件で問題となった「ダメージ層」が加工変質層(転位を含む領域)のどの部分に相当するのか不明であるから、本件発明の「転位」との位置関係が分からないとしているだけである。被請求人の主張には根拠がなく、本件発明の転位は従来技術によって完全に除去されていた(上申書(請求人)5頁1行?7頁2行)。(2)乙3について本件発明は「機械研磨によって発生した転位」はキャリアをトラップしてコンタクト抵抗を上げることを述べるものであり、これは甲24等の多くの周知例に示された技術常識そのものであるのに対し、乙3は「結晶成長中に発生する転位」については条件によっては逆にキャリア濃度を高める場合があることを述べるだけであるから、乙3は本件とは無関係な発明である(上申書(請求人)7頁末行?8頁6行)。第2事件についての被請求人の主張の概要(本件併合通知前)被請求人は、「本件審判の請求は成り立たない」、「審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め、請求人の主張は、全く理由がないものであり、本件特許は特許法第29条第1項第3号に該当せず、また、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものでもないから、本件特許は無効にされるべきものではないと主張している。本件発明の課題はGaN系、非GaN系を含め公知であったことに対する反論(審判事件答弁書4頁32行?5頁26行、6頁6行?14行)甲9は、素子層の欠陥による電気的特性の低下に関するものであり、GaN基板裏面のコンタクト抵抗の上昇とは関係しない。甲10は、MOVPEによりサファイア基板上に成長したGaN膜における電気抵抗と転位密度との関係を探究した文献であり、MOVPEにより成長したGaN膜の螺旋転位と混合転位は、刃状転位とは異なり、転位密度が高くなると、電気抵抗が低くなる(刃状転位と電気抵抗との関係とは逆の傾向である)ことが示されている。甲10には、結晶成長されたGaN膜における電気抵抗と転位密度との関係は、転位の種類によって様々であり、一律の傾向にないことが示されているのであって、結晶成長とは異なる機械研磨により発生した転位が電気抵抗にどのような影響を与えるかについては、甲10からは不明である。甲11は、撮像素子を構成するHgCdTe結晶層の研磨に起因するダメージ部分に関するものであり、光励起されたキャリアがトラップされるということが記載されているだけで、GaN基板と電極との界面におけるコンタクト抵抗とは全く関係がない。甲12と甲13については、両文献の記載を合わせて理解したとしても、刃状転位のダングリングボンドが再結合中心・キャリアのトラップなどの作用をする場合もあるという推論ができるだけであり、GaN基板と電極との界面におけるコンタクト抵抗とは関係がない。「半導体基板は転位が少ないことが望ましいこと」は、結晶成長面では技術常識かもしれないが、電極形成面においては、そのような技術常識は存在しない。甲7、甲8には、エッチングにより転位を除去することができることが記載されているだけで、電極が形成される基板裏面をエッチングすることについては記載されておらず、電極が形成される基板裏面をエッチング処理することで転位を除去することも技術常識ではない。したがって、電極が形成される基板裏面の転位を除去することは、技術常識ではなく、そのようなことを行う動機付けもない。本件発明の課題解決手段(構成)は周知技術であったことに対する反論(審判事件答弁書6頁23行?7頁17行)甲24及び甲25は、シリコンウエハの加工時における加工変質層の除去についてのものであり、GaN基板の電極形成面に関するものではない。甲7及び甲8は、加工変質層の除去についての一般論が記載されているだけであり、GaN基板の電極形成面に関するものではない。甲8には、加工変質層の測定方法として接触電気抵抗が記載されているが、加工変質層には、転位以外の結晶欠陥(クラック等)も含まれており、この記載からは、加工変質層のうちの転位によって接触電気抵抗が影響を受けるとは理解することはできない。甲8からは、加工変質層により、接触電気抵抗が変化する場合もあるということは理解できても、接触電気抵抗が高くなるのか、低くなるのかについては理解できない。甲26及び甲27は、GaN基板の表面(結晶成長面)に対する処理に関するものであり、また、甲16は、エピタキシャル成長用基板の表面を原子的に滑らかにするための処理に関するものであって、いずれの文献にも、GaN基板の電極形成面の加工変質層を除去することは記載されておらず、電極形成面における「加工変質層」を除去することは周知技術ではない。相違点1について(審判事件答弁書9頁27行?33行)甲2第一発明は、n型GaN基板のGa面上の電極とN面上の電極との電気特性を比較するための実験用試料の製造方法であって、LDやLEDの製造方法は関係なく、甲2第一発明において、活性層を含む第2半導体層(素子構造)を形成する第1工程は行われない。このような素子構造は、n型GaN基板の両面(Ga面とN面)に形成された電極の電気特性を測定するには邪魔であり、甲2第一発明において、第1工程は全く不要なものである。相違点2について(審判事件答弁書10頁20行?11頁12行)甲2第一発明は実験用試料の製造方法であり、素子構造を形成する必要はないから、GaN基板には表と裏の関係はなく、素子構造が形成される面とは反対側の面である裏面は存在しない。甲2に記載された発明において、仮に素子構造を形成するとしても、Ga極性側となるから、甲2の「n型GaN基板のGa面」は本件発明の構成要件Bにおける「第1半導体層の裏面」に該当しない。甲2第一発明の機械研磨は、平滑なエピレディ表面を得るための処理であって厚み加工ではない。「劈開のための厚み加工」については、甲2第一発明が実験用試料の製造方法であるから、共振器端面を形成する必要はなく、共振器端面を形成するための劈開とは関係しないものである。相違点3について(審判事件答弁書11頁26行?12頁2行)甲2第一発明においては、活性層を含む第2半導体層(素子構造)を形成する第1工程は行われないから、「第1工程」の後に行う「第3工程」自体も存在し得ない。甲2第一発明の「機械研磨」を「厚み加工」として、甲2第一発明では素子構造を形成した後、「厚み加工」と「除去」を行っているとしているが、甲2第一発明の「機械研磨」と「ドライエッチ処理」は、GaN基板の両面に電極を形成する前に行う平滑なエピレディ表面を得るための処理であり、素子構造を形成した後に行う「厚み加工」と「除去」ではない。本件発明2ないし10について(審判事件答弁書14頁1行?16頁4行)本件特許の請求項2?10は請求項1を引用するものであり、本件発明1が甲2第一発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明2ないし10も、甲2第一発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。本件発明2、6、7、9及び10については、次の(ア)ないし(オ)の点でも、請求人の主張は誤りである。(ア)本件発明2について請求人は、甲2に開示されるとおり、「活性層を含む素子構造は、通常、GaN基板のGa極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はGaNのN極性側に形成する必要がある」のであり、n型GaN基板の窒素面を裏面としてこれにn側電極を形成することは本件特許の優先日当時において周知であるから、本件発明2は、甲2第一発明それ自体から当業者が容易に発明できたものであり、少なくとも、甲2第一発明に周知技術を適用することにより当業者が容易に発明できたものであると主張している。請求人による甲2第一発明の認定では、GaN基板の裏面をGa面としてコンタクト抵抗の値を説明しており、GaN基板の裏面をN面とした場合には、0.05Ωcm^(2)以下のコンタクト抵抗が得られないから、ここでの請求人の主張は、本件発明1についての無効理由と一貫性がない。請求人は、甲2では、ショットキー接触になる原因(GaN/AlNへテロ構造における逆向きのピエゾ電界)が解明されているが、このように原因を解明するということは、たとえn側電極としてTi/Al電極を用いた場合であっても、その原因に対処することにより、GaN基板のN面とn側電極をオーミック接触させることができることを意図しているというべきであり、その原因の開示を受けた当業者であれば、当然に、逆向きのピエゾ電界を発生させないよう電極形成の条件を変更したり、あるいはTi/Alではなく他の電極材料を使ったりすることなどにより、n側電極をGaN基板のN面に容易にオーミック接触させることができると主張している。そもそも甲2には、N面で低いコンタクト抵抗が得られる技術は全く記載されていない。甲2においてN面がショットキー接続になったのは、電極材料がTi/Alであることによるものであり、電極材料を変えればオーミック接触させることができるとのことである。甲2においてGa面で低いコンタクト抵抗が得られたのは、電極材料がTi/Alの場合にAlNが形成されたためであって、電極材料を変えれば、Ga面ですら低いコンタクト抵抗が得られるかは不明である。電極材料がTi/Alの場合ですらショットキー接触になるN面において、電極材料を変えればオーミック接触させることができるということなど、甲2から理解できるはずがない。(イ)本件発明6について請求人は、甲2第一発明においてn型GaN基板に活性層を含む素子構造を形成して光電子デバイスを製造することは当業者が容易に想到し得た構成であり、この際、当該素子構造を形成する工程(第1工程)の後に機械研磨(第2工程)を行うことは当然のことであると主張しているが、甲2第一発明は、GaN基板の両面に電極を形成する実験用試料の製造方法であり、活性層を含む第2半導体層(素子構造)を形成する第1工程は行われないから、「第1工程」の後に「第2工程」を行うことも行われない。(ウ)本件発明7について請求人は、劈開により共振器端面を形成することは本件特許の優先日当時における周知技術であると主張しているが、甲2第一発明は、実験用試料の製造方法であるから、半導体レーザのような共振器端面を形成する必要のないものである。(エ)本件発明9について請求人は、MOCVD法は本件特許の優先日当時における周知技術であると主張しているが、甲2第一発明は、実験用試料の製造方法であるから、活性層を含む第2半導体層(素子構造)を形成する第1工程は行われないものである。(オ)本件発明10について請求人は、n型GaN基板の厚みを180μm以下とすることは本件特許の優先日当時において周知であると主張しているが、甲2第一発明では、機械研磨は平滑なエピレディ表面を得るための処理であり、厚み加工を行っていない。構成要件AないしD及び構成要件Fについて(相違点1ないし相違点4について)(審判事件答弁書17頁2行?3行)無効理由1に対する反論で述べたとおり、本件発明1の構成要件AないしDについての請求人の主張は誤りである。構成要件Eについて(審判事件答弁書14頁32行?15頁10行、17頁12行?15行)(ア)甲2には、N面で低いコンタクト抵抗が得られる技術は全く記載されていない。請求人の主張は、甲2においてN面がショットキー接続になったのは、電極材料がTi/Alであることによるものであり、電極材料を変えればオーミック接触させることができるとのことである。甲2においてGa面で低いコンタクト抵抗が得られたのは、電極材料がTi/Alの場合にAlNが形成されたためであって、電極材料を変えれば、Ga面ですら低いコンタクト抵抗が得られるかは不明である。電極材料がTi/Alの場合ですらショットキー接触になるN面において、電極材料を変えればオーミック接触させることができるとうことなど、甲2から理解できるはずがない。(イ)甲2には、GaN基板のN面の電極とのコンタクト抵抗が0.05Ωcm^(2)以下になることは、全く記載されていないから、N面の電極のコンタクト抵抗は不明なのであり、また、設計事項の適用で得られる値ではない。本件発明2ないし10について(審判事件答弁書17頁16行?20行)本件特許の請求項2?10は請求項1を引用するものであり、本件発明1が甲2第二発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明2ないし10も、甲2第二発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。相違点1(構成要件C)について(審判事件答弁書18頁14行?34行、20頁1?12行、同頁19行?22行、同頁30行?21頁1行)(ア)甲3の請求項56の研磨及び【0183】に記載された「常法」の研磨は、GaN基板を形成するためのサファイア基板の除去工程であり、GaN基板に第2半導体層を形成する工程(第1工程)の後に行う第3工程ではない。甲3において、「転位」とは結晶成長により発生した転位を意味するにとどまり、機械研磨によって発生した「転位」まで含んでいると解することはできない。したがって、甲3の「常法」の研磨は機械研磨により発生した転位を低減させることを目的としたものではないから、甲3の研磨に、甲37に記載された研磨技術や転位が発生しない条件でのCMPを適用する動機付けはない。甲37は、甲3より後に公開された文献であり、出発基板としてGaAsを使っている大きなサイズの自立GaN基板の準備についての最初の報告である。甲3の「常法」の研磨は、サファイア基板を除去する工程であるのに対して、甲37の機械的なラッピングと研磨は、GaAs基板を王水で除去した後の工程である。甲3よりも後に公開された最初の報告であり、甲3の「常法」の研磨とは適用されている工程が異なる甲37の研磨技術が、甲3における「常法」の研磨といえるはずがない。(イ)甲2では、GaNの機械研磨面をドライエッチング処理した場合、N面では電極とショットキー接触になっているから、甲3のGaN基板のN面に電極を設ける素子において、甲2の機械研磨面をドライエッチング処理する技術を適用する動機付けは存在しない。甲3の請求項57の平坦化は、【0175】のマスクを除去した後に行う「裏面が平坦になるように研磨あるいは研削を行う」であり、新たに転位を発生させる加工である。したがって、機械研磨によって発生した転位を除去するという技術思想はないから、この点においても、甲2の機械研磨面をドライエッチング処理する技術を適用する動機付けはない。「転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大する」という課題は公知ではない。(ウ)GaN基板の電極形成面において「加工変質層」すなわち本件発明でいう「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態(研磨前の基板の状態)に戻すことは周知技術ではない。(エ)転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという課題は、技術常識ではないから、甲3発明に対して、機械研磨とドライエッチング又はウエットエッチングを組み合わせて転位を除去することは容易に想到できることではない。相違点2(構成要件D)について(審判事件答弁書21頁12行?16行)相違点1の「前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して・・・」との構成が容易想到ではないから、相違点2の「前記転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に」との構成も容易想到ではない。相違点3(構成要件E)について(審判事件答弁書22頁6行?24行、23頁6?17行)(ア)GaN基板の電極形成面において「加工変質層」、すなわち「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態に戻すことは周知技術ではなく、相違点1は容易想到ではないから、甲3発明において、コンタクト抵抗が0.05Ωcm^(2)以下であることは明らかではない。甲3のGaN結晶膜65のキャリア濃度が「1×10^(18)cm^(-3)以上」であったとしても、コンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)以下」であるということはできないことは、乙2の審決のとおりである。甲9等にコンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)以下」という低いコンタクト抵抗が開示されていたとしても、乙2の審決のとおり、研磨により発生した転位を含む領域を除去して第1半導体層(GaN基板)の裏面の転位密度を「1×10^(9)cm^(-2)以下」とする第3工程を経た上でコンタクト抵抗を「0.05Ωcm^(2)以下」とすることは示されていない。甲6、甲43(甲31、甲5)についても、同様に、研磨により発生した転位を含む領域を除去して、第1半導体層(GaN基板)の裏面の転位密度を「1×10^(9)cm^(-2)以下」とする第3工程を経た上でコンタクト抵抗を「0.05Ωcm^(2)以下」とすることは示されていない。(イ)請求人は、相違点1の上記2(4)イ(イ)では、甲3発明をGaN基板のN面に電極を形成した素子として認定して甲2の技術を適用すると主張しているのに対し、ここでは、甲3発明をGa面に電極を形成した素子として主張しており、甲3発明の認定に一貫性がない。Ga面に電極を設ける構成の根拠である甲3の【0201】では、Ga面はサファイア基板が存在していた側と反対側の面であり、研磨による厚み加工は行われておらず、また、成長縞やうねりを除去するための研磨工程も行われていないから、本件審判請求書76?77頁の一致点と相違する。甲3では、Ga面は研磨されておらず、研磨により発生した転位はなく、研磨により発生した転位を除去する工程もなくなるから、その点も新たな相違点となる。本件発明2ないし10について(審判事件答弁書23頁18行?24頁27行)本件特許の請求項2?10は請求項1を引用するものであり、本件発明1が甲3発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明2?10も、甲3発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。本件発明3及び4については、次の(ア)及び(イ)の点でも、請求人の主張は誤りである。(ア)本件発明3について請求人は、本件発明3は、甲3の「研磨」について、「常法」として、周知技術又は甲37を適用することにより、研磨後の転位密度を「1×10^(6)cm^(-2)」以下とすることは当業者が容易に想到し得ることであると主張している。甲3発明の「常法」の研磨は、機械研磨により発生した転位を低減させることを目的としたものではないから、甲3の「常法」の研磨に、甲37の研磨技術や周知技術を適用して、機械研磨後の転位密度を「1×10^(6)cm^(-2)以下」とすることは、容易に想到し得ることではない。(イ)本件発明4について請求人は、加工変質層、すなわち、「転位を含む・・領域」を完全に除去すること、及び、機械研磨によって生じた「転位」を完全に除去することが周知技術ないし技術常識であり、GaN基板の裏面を0.5μm以上除去する程度のことは技術常識に過ぎず、また、0.5μmという数値に何ら臨界的意義はないから、本件発明4は、甲3発明に基づいて、少なくとも、これに周知技術等を組み合わせることで、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであると主張している。電極形成面において、機械研磨によって生じた「転位」を完全に除去することは、周知技術又は技術常識ではない。請求人は、相違点1(構成要件C、第3工程)は実質的には相違点とはいえない(甲3では「研磨」として、機械研磨に加工、転位を発生させない手法が実施され、転位が全て除去されている)ところ、甲3の段落【0215】には、50μmが研磨されることが記載されており、この場合において、50μmのうち少なくとも0.5μm以上が転位を発生させない研磨によって除去されていることは明らかであるから、相違点3が実質的な相違点ではないとすれば、構成要件Iも実質的な相違点とはいえないと主張している。甲3の「研磨」が、「機械研磨」(第2工程)と「除去」(第3工程)の2工程を含んでいるという考えは、乙2の審決(42頁14行?45頁3行)で認定されたとおり誤りである。甲3の段落【0215】の50μmの研磨のうち0.5μm以上が転位を発生させない研磨によって除去されているという請求人の主張も全く根拠がなく、誤りである。無効理由3の相違点1について(審判事件答弁書25頁6行?12行)「常法」の研磨(甲3の【0183】)は、GaN基板を形成するためのサファイア基板の除去工程であり、GaN基板に第1半導体層を形成する工程(第1工程)の後に行う第3工程とは異なるものである。甲3発明の「常法」の研磨は、甲37記載の方法ではなく、機械研磨で発生した転位も含めて転位密度が「5×10^(5)cm^(-2)程度」となっているとは考えられない。したがって、無効理由3の相違点1は実質的な相違点である。無効理由3の相違点2について(審判事件答弁書25頁16行?18行)相違点1が実質的な相違点であるから、無効理由3の相違点2も実質的な相違点である。無効理由3の相違点3について(審判事件答弁書25頁29行?26頁5行)甲3発明の「常法」の研磨によって、機械研磨により発生した転位も含めて転位密度が「1×10^(9)cm^(-2)」より低い数値が得られたとは言えないから、転位密度の低い数値を根拠に低いコンタクト抵抗値を主張することはできない。甲43の2では、甲3発明者の論文甲5に記載された共振器長や特性等を用いコンタクト抵抗を計算しているが、そのような数値を用いることの根拠はなく、同じ発明者の論文というだけで、甲5から読み取った数値をそのまま採用して甲3の素子のコンタクト抵抗を計算することが正解とはいえない。したがって、無効理由3の相違点3も実質的な相違点である。本件発明2ないし10について(審判事件答弁書26頁8行?11行)本件発明2ないし10に関しては、上記のとおり本件発明1が甲3に記載された発明に対して新規性を有するから、本件発明2ないし10も、甲3に記載された発明に対して新規性を有し、また、進歩性を有するものである。相違点1(構成要件C)について(ア)相違点1は、甲4発明および甲2(甲2第一発明または甲2第二発明)の記載から容易想到である、に対して(審判事件答弁書26頁24行?29行)甲4発明では、C面(0001)GaN基板の上面に素子構造が形成されており、そのGaN基板の裏面、すなわちN面に電極を形成している。甲2に記載された技術事項ではGaN基板のN面に形成した電極はショットキー接続になるから、甲4発明に対して甲2の技術事項を適用する動機付けはない。甲26及び甲27は、素子の電極形成面について、加工変質層の除去を記載しているものではないから、電極が形成されているGaN基板裏面に対し、「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態に戻すことは、周知慣用の技術ではない。(ウ)相違点1は、甲4発明に技術常識(機械研磨とエッチングの組み合わせ)を適用することにより容易想到である、に対して(審判事件答弁書27頁31行?28頁3行)甲2、甲8、甲27、甲42は、電極が形成されるGaN基板裏面の厚み加工について記載されたものではなく、転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという課題も、厚み加工において機械研磨とドライエッチングやウェットエッチングを組み合わせることも技術常識ではない。(エ)相違点1は実質的な相違点ではない(表面歪みの除去)、に対して(審判事件答弁書28頁22行?32行)請求人は、甲18の「歪み層」と甲4の「表面歪み」とが同一であるということを前提にしているが、その前提が正しいという根拠は全く存在しない。仮に、甲4の「表面歪み」が甲18の「歪み層」と同じものだとしても、甲4には、「表面歪み」を完全に除去することは記載されていない(乙2の審決50頁28?31行参照、審決の甲30は本件の甲24であり甲18とは異なるが、両者の「歪み層」は同じであることを前提に請求人は説明している(審判請求書42頁参照。甲8の「歪み層」についても、甲4の「表面歪み」と同一であるという根拠は全くなく、仮に両者が同じものだとしても、甲4には、「表面歪み」を完全に除去することは記載されていない。したがって、相違点1は実質的な相違点である。相違点2(構成要件E)について(審判事件答弁書29頁20行?22行)甲4の記載からコンタクト抵抗を「0.05cm^(2)以下」とすることが容易に想到することができないことは、乙2の審決(51頁24行から52頁1行)のとおりである。本件発明2ないし10について(審判事件答弁書29頁23行?30頁25行)本件特許の請求項2?10は請求項1を引用するものであり、本件発明1が甲4発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明2ないし10も、甲4発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。本件発明3及び4については、次の(ア)及び(イ)の点でも、請求人の主張は誤りである。(ア)本件発明3について請求人は、甲4発明に対して、技術常識又は周知技術を適用し、元の基板の状態に戻し、転位密度を元の「1×10^(6)cm^(-2)」にすることは当業者が容易になし得ることであり、また、甲4に開示された表面歪みの除去との構成からすれば、構成要件Hは実質的な相違点とはいえないから、本件特許発明3は、甲4発明に周知技術又は技術常識を適用し、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであるか、または実質的な相違点ではないと主張している。GaN基板の裏面(電極形成面)の「転位を含む領域」を除去して元の基板の状態に戻すことは、技術常識ではなく、また、甲4には、「表面歪み」を完全に除去することは記載されていないから、本件発明3は、甲4発明に周知技術又は技術常識を適用し、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものではないし、また、実質的な相違点である。(イ)本件発明4について請求人は、甲4発明の目的であるコンタクト抵抗を低減するにあたり、GaN基板の裏面を具体的にどの程度除去するのかは設計事項に過ぎず(甲29、甲17)、また、GaN基板の裏面を0.5μm以上除去する程度のことは周知技術である(甲40の段落【0041】)から、本件発明4は、甲4発明に周知技術等を組み合わせることで、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであると主張している。甲4では転位密度とコンタクト抵抗との関係が認識されていないから、本件発明4におけるGaN基板の除去量は、甲4発明において設計事項ではない。GaN基板の裏面を0.5μm以上除去することは、周知技術ではない。したがって、本件発明4は、甲4発明に周知技術等を組み合わせることで、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものではない。甲3第一発明に基づく進歩性欠如(無効理由3の1)に対して相違点1については、甲3の請求項57の平坦化は、段落【0175】のマスクを除去した後に行う「裏面が平坦になるように研磨あるいは研削を行う」であり、新たに転位を発生させる加工である。(被請求人)3頁11行?16行)。(被請求人)3頁19行?20行)。(被請求人)3頁下から3行?下から1行)。(被請求人)4頁9行?12行)。審判事件答弁書への請求人の反論に対する再反論ある材料について一般論として記載された技術事項があったとしても、他の特定の材料についてその技術事項を適用してどのような結果が得られるかは、実際に実験をしてみなければ分からない。(被請求人)5頁9行?14行)。本件発明では、GaN基板の電極形成面の「転位」を除去するのであり、「加工変質層」ではない。(被請求人)5頁25行?28行)。(被請求人)5頁下から2行?6頁1行)。(被請求人)6頁10行?13行)。(被請求人)6頁下から4行?7頁3行)。(被請求人)9頁12行?16行)。「(i)機械研磨によって転位が発生する」については、技術常識として認める。(被請求人)9頁下から4行?下から1行)。本件発明でいう転位が結晶欠陥の一つであって、加工変質層と呼ばれる領域に含まれ得ることは認める。(被請求人)10頁下から2行?11頁3行)。おいて、機械研磨により発生する転位によってコンタクト抵抗が増大するということは、上記の「(1)関心事項1.(1)イ」で説明したように、本件発明者が実験を行うことにより初めて知り得た事実である。本件特許明細書の【0056】【表1】の試料3は、試料1や試料2では得ることが出来なかった低いコンタクト抵抗を、本件発明者が機械研磨により発生した転位を含む領域を除去することにより初めて実現した試料である。(被請求人)11頁10行?19行)。平成28年12月8日付け上申書における主張の概要(第1事件及び第2事件ともに同じ。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥である」との限定を加えている。知財高裁判決の認定した技術常識では、機械研磨によって転位を含む加工変質層が形成され、電気的特性に対する悪影響があるので、これを完全に除去するとするが、機械研磨によって生じている転位が本件訂正発明1のように限定されている場合に、これを除去することも技術常識の範囲内であるとは認定されていない。訂正前の請求項1では、機械研磨によって生じる転位が、どのようなものであるかについての限定がなかったため、転位を含む加工変質層一般と同じものとして扱われている。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥である」と限定されると、1×10^(10)cm^(-2)程度の転位密度は非常に低い値なので、当業者がこの限定事項の知見を有していなければ、当該転位を除去することは容易に想到できない。表面歪みを除去する甲4発明(審決注:甲4は、第2事件の甲4であり、第1事件の甲11である。)では、GaN基板を具体的に、どの程度除去するのかについては不明であり、表面歪みを除去するために、GaN基板を0.5μm以上除去する必要があることを記載した公知文献も存在しない。これに対し、本件訂正発明1では、研磨により発生した転位を除いて所定の転位密度とするために、第2工程終了後に、GaN基板を0.5μm以上除去する必要があることを規定しており、「0.5μm以上」は、当業者が容易に想到できるものではない。以上のとおりであるから、本件訂正発明1は、甲4発明及び技術常識や周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。本件訂正発明2、3及び5ないし10についても、同様である。おける主張の概要(第1事件及び第2事件ともに同じ)仮に、訂正事項1-1の訂正が認められるとしても、本件訂正発明には無効理由が存在する。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であり、除去対象とすべきことが当時の周知技術であるから、訂正事項1-1は、周知技術そのものである。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であることは当時の周知技術である。したがって、訂正事項1-1は、甲4発明との実質的な相違点ではないか少なくとも甲4発明において容易想到である。0.5μm以上除去すること(訂正事項1-2)は周知技術であって甲4発明との実質的な相違点ではないか、設計事項に過ぎず、甲4発明において容易想到である。事案にかんがみ、第2事件から判断する。3でした認定のとおりである。甲各号証に記載された事項(1)甲2に記載された発明(以下「甲2発明」という。請求人が挙げた甲2には、次の(ア)ないし(ウ)の事項(請求人作成の全訳による)が記載されている。(ア)「自立n型GaN基板へのTi/Al電極の結晶極性の依存性」(タイトル)(イ)「n型GaN基板へのTi/Al電極の電気特性上の結晶極性の影響が研究されてきた。n型GaN基板のGa面上に形成されたTi/Al電極は、30秒間600°Cよりも高温でアニールすることで、接触抵抗値2×10^(-5)Ωcm^(2)のオーミックとなった。n型GaN基板のN面上の電極は、非線形の電流-電圧曲線を示し、1eVを超える高いショットキー障壁が同じアニール条件で測定された。これらの結果は、GaN基板の異なる極性によるGaN/AlNヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により説明できる。」(要約)(ウ)「自立GaNは、転位密度が低く、熱伝導率が高く、劈開が容易であることから、電子デバイスならびに光電子デバイスの基板として注目されている。GaN基板を使用するもう一つの利点は、裏面n電極のデバイスを作製できることである。これにより、製造工程を簡単で確実なものにし、デバイスのサイズを小さくすることができ、このことは、量産収率を向上させる。GaN基板は結晶極性が異なる二つの面、Ga極性面とN極性面を有するが、それらは金属/GaN界面のほかAlGaN/GaNヘテロ構造における界面の電気特性にも大きな影響を与える。Karrerらは、プラズマ誘起分子線エピタキシャル成長法(PIMBE)で成長させたPt/GaNショットキーダイオードの特性に対する結晶極性の影響を調査検討し、二つの異なる面に接しているPtの異なった障壁高さは、GaNのGa面とN面でそれぞれ1.1eVと0.9eVであったと報告した。彼は、この挙動は、異なる極性をもったエピタキシャル層内の自発分極が異なることが原因で、伝導帯および価電子帯のバンド曲がりが異なることによるものとできるとした。Fangらも、Ni/Au電極が、GaNのN面上(0.75eV)よりも高い1.27eVの障壁高さであることを自立GaNのGa面上で示したことを報告した。活性層を含む素子構造は、通常、GaN基板のGa極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はGaNのN極性側に形成する必要がある。Ga極性およびN極性のGaN基板上のオーミック電極間の電気特性の比較はほとんど行われてこなかった。Ti/Al電極はn型GaN上のオーミック電極に広く使用されていることから、本研究では、n型GaN基板へのTi/Al電極の電気特性に対する結晶極性の影響を検討する。このために、ハイドライド気相成長法(HVPE)で成長させた自立n型GaN基板を使用し、なぜならそれらは一方の表面にGa極性面を有しもう一方の表面にN極性面を有するからであるが、そして、n型GaN基板のGa面上とN面上のTi/Al電極を比較する。異なる極性を有する試料に形成した電極の電気特性は大きく異なることが示されるが、それは、極性に依存する逆向きのピエゾ電界によって説明することができる。試料は、HVPE法により、サファイア基板上に300μmの膜厚に成長させた。自立GaN基板を得るため、レーザー誘起リフトオフにより、厚いGaN層をサファイア基板から剥離した。GaNウェハは、平滑なエピレディ表面を得るため、Ga面とN面の両方を、機械研磨とドライエッチ処理した。二結晶X線回析(DXRD)を用いて構造特性を調査検討した。Ga面とN面に対する(0002)ピークの半値全幅(FWHM)を測定したところ、それぞれ126arcsecと153arcsecであった。それらの非対称(1012)ピークは、96arcsecおよび104arcsecであった。Ga面およびN面ともに、代表的な転位密度は10^(7)cm^(-2)よりも低かった。試料は、Siがドープされていた。825cm^(2)/Vsであった。Ga面とN面はともにアセトンおよびメタノール中で脱脂し、脱イオン(DI)水中で洗浄し、フォトリソグラフィーによりパターンを施した。その後、それらを緩衝酸化物エッチング液中でエッチングし、DI水中で洗浄し、窒素ガスで乾燥した後、金属蒸着するために真空システムに装填した。厚さ50nmのTi層及び厚さ500nmのAl層のTi/Al層を電子ビーム蒸着により形成した。I-V特性を、幅200μmギャップ間隔30μmの2枚の金属パッドを使用し、測定した。伝送長法(TLM)を用いて接触抵抗を測定するため、適宜、環状の電極構造を形成した。試料はN_(2)雰囲気の高速熱アニールシステム中でアニールした。(AFM)を伴う化学エッチング技術およびオージェ電子分光法(AES)を適用し、そしてその結果を表Iにまとめた。化学エッチング実験は、室温で0.1MKOH溶液を用いて、あるいは、220°Cで85%H_(3)PO_(4)溶液を用いて行なわれた。表Iに示すように、測定されたエッチング速度は上面でゼロに近く、それは、HVPE法による成長面と同等であった。上面の表面粗さはエッチング後も変わらなかった。表Iに示すように、底面では、1μm/分という高いエッチング速度が得られ、その表面はエッチング後に非常に粗くなった。我々はまた、オージェ電子の脱出率により評価された上面1nmの膜のN/Ga比率も測定した。上面および底面のN/Ga比率を計算すると、それぞれ0.74と0.97であった。これらの結果は、上面はGa面極性を有し、底面はN面極性を有することを示している。Jasinskiらは、本研究で使用したシステムと全く等しいHVPEシステムで成長させた自立GaN基板の極性を収束電子線回析により検討し、成長面(上面)および底面はGaおよびN面極性をそれぞれ有したことを報告した。図1は、n型GaN基板のGa面とN面の両方に堆積されたTi/Al電極のI-V特性を示す。Ti/Al電極は、n型GaNのGaおよびN面上の両方の電極を30秒間500°Cでアニールした後では、図1に示した様に、非線形なI-V曲線を示した。n型GaNのGa面上のTi/Al電極では、30秒間700°Cおよび900°Cでアニールした後では、I-V曲線は線形になった。これらは、Ti/Al電極は600°Cより高温でアニールすることでオーミック性が得られたこれまでの結果と、よく一致している。図1に示されるように、n型GaNのN面上のTi/Al電極は、700°Cでのアニール後に依然として非線形のI-V関係を示し、I-V曲線の傾きは減少した。図2は、バイアス電圧0.1Vで測定された二個のTi/Al電極パッド間の電流変化をアニール温度の関数として示す。図2に示すように、n型GaN基板のN面上のそれらと比較し、n型GaN基板のGa面上のTi/Al電極についての測定電流値のアニール温度依存性は、非常に異なっている。n型GaNのGa面上の電極の場合、アニール温度が500°Cから600°Cに上昇するにつれて電流が大幅に増加し、600°C?800°Cで30秒アニールした後、TLMから測定された接触抵抗率は2×10^(-5)Ωcm^(2)であった。これより高い温度でアニールすると、電流測定値が低下した。n型GaN基板のN面上のTi/Al電極の場合、30秒間500°Cでアニールした後の0.1Vでの電流は、図2に示すように、n型GaNのGa面上の電極で得られたものと同様であった。図2に示したように、600°Cでの30秒アニール後の測定電流値は、一桁減少していた。図2に示したように、700°Cで30秒間のアニール後では、0.1Vで300nAの最小電流が得られたが、これは、n型GaN基板のGa面上の電極より4桁低いものであった。n型GaNのN面におけるTi/Al電極の電気特性の更なる調査研究として、ショットキー障壁高さを、電流-電圧測定を使用して測定し、その結果を図3に示した。障壁高さを測定するため、Ti/Al電極をn型GaNのGa面に堆積し、30秒間700°Cでアニールし、これにより低い接触抵抗率のオーミックが得られ、また、直径180μmのTi/Al電極がn型GaNのN面に形成された。概略図を図3に挿入した。n型GaNのN面上のTi/Al電極は、30秒間500°Cでのアニール後では、図3に示すように、I-Vグラフに線形領域が無いが、一方、30秒間700°CでアニールされたTi/Al電極は線形領域を示しており、これはショットキーダイオード特性である。30秒間700°Cでアニールしたn型GaNのN面上のTi/Al電極の障壁高さ及び理想係数を算出したところ、それぞれ1.09eVと1.29となった。90分間500°Cでアニールしたn型GaNのN面上のTi/Al電極の障壁高さも測定したところ、図3に示すように、障壁高さは1.01eVとなり、理想係数1.67を得た。図3に示すように、Tiの役割を解明するために、n型GaN基板のN面上のPd/Al電極の障壁高さを調べた。Pd/Al電極の障壁高さと理想係数は、それぞれ1.10と1.44eVであったが、それらは、n型GaNのN面上のTi/Al電極と同様であった。Karrerらの報告では、PIMBEで成長させたn型GaNのN面上のPt電極の障壁高さは0.9eVであり、Fangらの報告では、HVPEn型GaN基板のN面上のNi/Au電極の障壁高さは0.75eVであった。TiとAl(それぞれ4.33eVおよび4.28eV)の仕事関数がPtとNi(それぞれ5.65eVおよび5.15eV)のそれらよりかなり低いことを考慮すると、n型GaNのN面上のTi/Al電極とPd/Al電極の障壁高さが1eVより高いということは、アニールで高仕事関数を有する界面層が形成されたことを示唆するようにみえる。n型GaNのGa面上の電極はオーミックとなることから、図1および図2に示すように、界面層は、n型GaNのGa面上のTi/Alにオーミック接触になる。Lutherらは、GaN上のTi/Al電極およびPd/Al電極の界面の特性について述べ、Ti/Al電極の界面だけでなく600°CでアニールしたPd/Al電極の界面で、非常に薄いAlN層を観測した。我々も、電界放出型オージェ電子分光法を用いてn型GaNのN面上のTi/Alを分析したところ、600°Cで30秒のアニール後、GaNの表面にAlのピークが検出された。Ti/AlあるいはPd/Al電極とGaNの界面の薄いAlN層の役割については、Lutherらは、他の金属絶縁体-半導体構造の場合のように、薄いAlN層(2-3nm)の形成は、金属/GaN界面におけるフェルミレベルのピン留めを除去することにより金属電極とn型GaNの間のバンド並びに影響を及ぼす可能性があるか、あるいは、障壁高さを下げる可能性があると示唆した。この示唆は、n型GaN基板のGa面上のTi/Alにはオーミック接触が形成されることを説明できるが、その一方、本研究で観察されたn型GaNのN面上のTi/Alにはショットキー接触が形成されることについては説明することができない。結晶極性に依存するTi/Alのオーミックあるいはショットキー接触の形成におけるAlNの薄層の役割について、別な説明としては、GaNの異なる極性に起因してAlN/GaN界面で逆向きのピエゾ電界が生成することが挙げられる。Asbeckらは、Ga極性を有するAlGaN/GaNヘテロ構造は、ピエゾ電界的に誘起されたドナーを加えることにより二次元電子ガス(2DEG)の密度を増加させることを報告した。圧電的に誘起されたドナーの付加は、Ga極性の歪みヘテロ構造でのみ起こる。事実、Lutherらは、GaN上のTi/Al間あるいはPd/Al間の反応により生成した薄いAlNは、歪み下にあることを報告した。2DEGにおけるシートキャリア密度の増加は、ショットキー障壁幅を減少させ、障壁通過するキャリアのトンネリングを高め、それに続いてオーミック接触が形成される。逆向きの極性を有するAlGaN/GaNヘテロ構造は、2DEGを相殺してショットキー障壁を高くすることがある。GaskaらはAl_(0.2)Ga_(0.8)N/GaNヘテロ構造における逆方向のピエゾ電界が、障壁高さを0.7eV以上増加させたことを示唆した。Yuらは、ピエゾ電界効果を用いて、AlGaN/GaNヘテロ構造におけるNiの障壁高さを0.37eV増加させた。本研究では、我々は、n型GaN基板のN面上のTi/AlまたはPd/Al電極について、1eVという高い障壁高さを観察した。このように、本研究では、Ti/Al電極の反対の電気特性が結晶極性に依存することが観察され、それは自立n型GaN基板の結晶極性に依存しているAlN/GaNヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により説明できる。まとめると、我々は、n型GaN基板へのTi/Al電極の電気特性における結晶極性の影響を調査研究した。異なる極性を有する試料上に作製された電極の電気特性は、大きく異なっていた。n型GaNのGa面上のTi/Al電極は30秒間600°Cより高温でアニールするとオーミックとなったが、一方、n型GaNのN面上の電極は同一のアニール条件で1eVを超える障壁高さを有するショットキーコンタクトを形成した。これらの結果は、AlN界面層の形成によるものと説明することができる。GaNのGa面上のAlN層は、ピエゾ電界により誘導されたドーピングにより2DEGの密度を増加させ、結果としてオーミック接触を形成したが、一方、GaNのN面上のAlNは2DEGを相殺してTi/AlとGaNの間の障壁を増加させ、より高い障壁高さを有するショットキー接触を形成する結果となった。上記アの摘記事項(ア)ないし(ウ)を含む甲2の全記載からみて、甲2には次の発明が記載されていると認められる。研究用のn型GaN試料の製造方法。」(以下「甲2発明」という。)(2)甲3に記載された発明(以下「甲3発明」という。請求人が挙げた甲3には、次の(ア)ないし(ケ)の事項が記載されている。