defect〕」の説明として、「結晶格子において、原子やイオンの規則正しい配列からの乱れを格子欠陥または結晶欠陥という。ような点欠陥、転位のような線欠陥、外部表面のような面欠陥がある。〔dislocation〕」の説明として、「結晶中にある線状の結晶格子の乱れ。」等の記載がある(947頁)。これらのドーピング元素のうち、Si、O、Clが特に好ましいこと(【0085】)等が記載されている。反応容器内にセットし、温度を1050°Cまで上昇させ、原料ガスにTMG、アンモニア、シランガスを用い、Siを1×10^(18)/cm^(3)ドープしたGaNよりなる窒化物半導体層を150μmの膜厚で成長させ(【0037】)、次にSiドープGaN基板を作製したウェーハを再度MOCVD装置の反応容器に移送し、レーザ素子構造となる窒化物半導体層を基板上に成長させ(【0039】)、p電極形成後、ウェーハのサファイア基板、バッファ層、GaN層、保護膜を研磨、除去し、SiドープGaN基板の表面を露出させ、そのGaN基板の表面全面に、Ti/Alよりなるn電極を0.5μmの膜厚で形成し、その上にヒートシンクとのメタライゼーション用にAu/Snよりなる薄膜を形成し(【0052】)、次に、n電極側からストライプリッジに対して垂直な位置、即ち、GaN基板のM面で基板を劈開し、活性層の端面M面に共振面を作製すること(【0053】)等が記載されている。甲36自立GaN層中のディープセンター(タイトル)に関する論文であり、その「要約」の記載は次のとおりのものである(請求人作成の抄訳による。