オングストローム/minである。min.【0065】このように、超格子の多層構造が作成できるのは、反応ガスの供給を遮断した後、残留ガスを高速で排気できるため、瞬時に薄膜成長が停止するからである。換言すれば、ガスの遮断後に、残留ガスによって薄膜が成長することが無い。このことは、反応ガスの供給量、基板の温度等の所定の条件の下で、薄膜の成長速度を知り得れば、反応ガスの供給量および供給時間のコントロールだけで、精密に薄膜の厚みを制御できることを意味している。the.【0066】実施例では,シリコン結晶と、ゲルマニウム/シリコン混晶との超格子の多層構造の場合を説明した。InP,同様の方法で容易に作成が可能である。crystal分析した結果である。sccm導入したものである。水冷シュラウドの温度は10°Cに設定した。6ガスが数12の式を満足しているのは言うまでもない。6ガスの蒸気圧と温度の関係のグラフも図6に示した。6ガスの分解反応に全く関与しない。6ガスの分圧はそれ(全圧)以下である。したがって、水素ガスの平均自由行程については考慮する必要は無い。gas.【0070】ボロン(B)がドープされたシリコン結晶膜の厚さは2000オングストローム、シリコン結晶膜の厚さも2000オングストロームであった。19個含まれていることがわかる。2ガスの供給量を変化させて、同様の薄膜作成も試みた。120秒間、11回導入した。6ガスの混合ガスは表1のように増加させた。°C、水冷シュラウドの温度は10°Cに設定した。