1)、それゆえ成長番号39と165から得られたGaN膜試料の(成長番号136、180のGaN膜試料に比して)より高い抵抗率は、刃状転位のより大きな密度に起因しているかも知れないこと(4324頁下から13行?下から11行)等が記載されている。甲11撮像素子の製造方法(【発明の名称】)に関し、液層エピタキシャル成長(LPE)法又は気相エピタキシャル成長(VPE)法を適用することにより、CdZnTe基板上にHgCdTe結晶層を成長させ(【0009】)、リソグラフィ技術を適用することにより該HgCdTe結晶層のエッチングを行って画素分離領域及びチップ外枠領域に凸部を形成し(【0010】)、その後、全面が平坦になるように研磨すると前記凸部が存在していた箇所には研磨に起因するダメージ部分が生成され(【0011】)、該ダメージ部分においては転位密度が高くなるので、光励起されたキャリヤはダメージ部分でトラップされることになり、したがって、溝による画素分離と同じ機能を果たすことができること(【0012】)等が記載されている。