結晶は40から60mm2の寸法で、良い結晶品質(20?50arcsecのX線回折ロッキングカーブ)であり、それらは高い電気伝導性(n?10^(19)cm^(-3))であり、(00.1)N面(化学的に活性な)は、原子的に滑らかで欠陥のない表面を得るために、KOHの水溶液中で化学的機械的に研磨され、(00.1)面(不活性な面)は機械的に研磨され、そして、研磨に起因する損傷を取り除くためにCl_(2)+Ar+CH_(4)を用いた反応性イオンエッチングによりエッチングしたこと(438頁6行?13行)等が記載されている。報告書であり、甲31の段落【0027】、【0028】、【0037】の記載及び図2に基づいてn電極のコンタクト抵抗を見積もったところ、(0001)面および(000-1)面にn電極を形成した場合いずれも約0.001Ωcm2未満であった、としている(1頁「1.結論」参照。報告書であり、甲5のLD構造の記載及びFig.2のV-I特性に基づいてn電極のコンタクト抵抗を見積もったところ、約0.021Ωcm^(2)未満になった、としている(1頁「1.結論」参照。分析結果報告書であり、GaN基板表面部分の断面TEM観察を行い、表面から10nm程度の領域に欠陥と考えられるコントラストを観察したことが記載されている(2頁「3.結果」参照。甲46ウェブサイト「コトバンク」で「接触抵抗」を検索した結果をプリントアウトしたものであり、「デジタル大辞泉の解説」として、「せっしょくていこう〔-テイカウ〕【接触抵抗】」の見出し語と、「二つの導体を接触させたとき、その面に生じる電気抵抗。」との解説が記載されている。第三版の解説」として、「せっしょくていこう【接触抵抗】」の見出し語と、「二つの物質を接触させて電流を流すとき、その界面近傍に存在する電気抵抗。面の状態、面に加わる圧力、電流の大きさなどさまざまな要素に依存し、非線形なことが多い。」との解説が記載されている。contact〕」の説明中に、「(マル3)(審決注:原文の丸付き数字の「3」をこのように表記する。)障壁厚さを薄くしてトンネル電流を増やす、などをすれば、オーミック特性が得られる。resistance,単位:Ω・cm^(2))で表現されることが多い。resistance)によって評価される。固有接触抵抗ρcは、面積Aの電極の接触抵抗がR_(c)のとき、ρ_(c)=R_(c)Aで定義される量である。したがって、単位は[Ω・cm^(2)]である。model、TLM)にもとづく接触抵抗の評価法は、薄膜状の試料に対して特に有効である。バルク状の材料が入手可能であれば、棒状に切り出してその両端面に電極を付けたものを試料とすればよい。このときの全抵抗は、電極による抵抗の2倍と材料の比抵抗で決まる抵抗の和となるので、試料棒の長さ依存性から簡単に固有接触抵抗の値を求めることができる。resistance、⇒広がり抵抗法)が加わる。部分を並列コンダクタンス(dG=w/ρ_(c))、材料自身を直列抵抗(dR=R_(s)/w、ここでR_(s)は面低効率)として、これらが分布した伝送線路とみなす方法がTLM法である。このとき、接触抵抗R_(c)はv(d)/j(d)で与えられる。実験的に固有接触抵抗を求めるためには、・・・同一の形状をもつ電極を3個形成する。この中からまず2組を選びそれぞれの抵抗を測定する(R_(1)=V_(12)/I_(12),R_(2)=V_(23)/I_(23))。電極間の距離が違いからバルク領域の抵抗がキャンセルできて接触抵抗が得られる(R_(c)=(R_(2)l_(1)-R_(1)l_(2))/2(l_(1)-l_(2)))。電極間12に電流を流したときに電極間23に現れる電圧との比(R_(e)=V_(23)/I_(12))を電極端抵抗と呼ぶ。R_(c)とR_(e)はともにTLM法によって理論的に求めることができ、固有接触抵抗は以下の式を使って決定できる。ρ_(c)=(R_(c)^(2)-R_(e)^(2))wd/cosh-1(R_(c)/R_(e))」との記載がある(654頁?655頁)。甲49オーム接触は、ショットキー障壁における障壁の高さを下げるか、厚さを薄くすること、及び半導体側のキャリヤ再結合速度を増大することで実現でき、障壁の高さは金属の仕事関数の選択で、また障壁の厚さは半導体側のキャリヤ濃度を変えることで変更でき、再結合速度の増大は半導体表面を粗面化することで実現でき、特に、半導体側の不純物濃度を10^(18)cm^(-3)以上にすれば、ほとんどの金属ではオーム接触となるが、これは障壁の厚さが薄くなり、ここを流れる電流成分がトンネル効果によるものが支配的となることによるものであること(290頁8行?15行)、オーム接触の良さを表すひとつの量は接触抵抗であること(同頁20行?21行)等が記載されている。甲50表面ピンニングのある化合物半導体においてはオーミック電極を作成することが技術的に困難となり、このような材料でオーミック(接合)を得るためには、(マル1)空乏層幅を小さくする→電子をトンネルさせやすくする、(マル2)障壁高さを下げる→熱的に分布する電子が障壁を越えやすくする、ことが有効な方法であり、表面付近の不純物濃度を高めれば、空乏層幅が狭くなるばかりでなく、半導体側の電子にとって金属側に見える正の鏡像電荷によってショットキー障壁が低下し、これによってオーミック接合が得やすくなり、また、空乏層幅が100Å程度になるとトンネル接合が得られるので、表面ピンニングが0.8Vであれば、ドナー濃度1×10^(19)cm^(-3)以上が必要となること(25頁7行?17行)等が記載されている。甲51「窒化物半導体及びデバイス」と題された章に以下の記載がある。金属-半導体接合における電流の流れ欠陥が含まれなければ、金属-半導体系には電流の流れを支配するメカニズムが3つある。(1)熱電子放出(TE)-適度にドープされた半導体、N_(d)<?10^(17)cm^(-3)、において、空乏領域は比較的広い。この理想図において考慮されていない欠陥によって援助されない限り、障壁をトンネルするのはほぼ不可能である。電子は、コンタクトのために小さくあるべきである障壁の頂上を熱電子放出によって越えることができる(図6.5(a))。一方で、低ドープまたは高障壁の半導体においては、大多数の電子がいずれの方向にも半導体中へ横断することはできないであろう;よって、オーミック挙動はみられない。)<N_(d)<?10^(18)[cm^(-3)]、において、空乏領域は、おおよそ平衡状態にあるキャリアの直接のトンネルを許すほど十分な薄さではない。キャリアが少しのエネルギーを獲得すれば、キャリアはトンネルすることができるだろう。したがって、熱電子放出とトンネルの両方が行われる。(3)電界放出(FE)-多量にドープされた半導体、N_(d)>?10^(18)cm^(-3)、において、空乏領域は狭く、金属から半導体への直接の電子のトンネルが許される(図6.5(c))。金属と半導体の仕事関数の間に良好な合致がないときには(一般的にそうであるが)、これがオーミック接触を追求するための最良のアプローチである。