「ハイドライド気相成長法(HVPE)によってAl_(2)O_(3)上に成長され、レーザー剥離された、厚さ?300μmの自立GaN層のGa及びN面両方におけるショットキーバリアダイオードが、キャパシタンス-電圧及びディープレベル過渡分光法(DLTS)測定により調査された。1/C^(2)対V分析から、Ni/Auショットキーコンタクトの障壁高さは、2つの極性面で異なることが決定された:Ga面は1.27eV、N面は0.75eVである。HVPE成長GaNを含む他のエピタキシャルGaNにおいて以前に観測された4つの共通のDLTSトラップに加えて、活性化エネルギーET=0.53eVの新しいトラップB'がGa面サンプルで見出された。N空孔に関係すると思われるトラップE1(ET=0.18eV)がN面サンプルにおいて見出され、トラップC(ET=0.35eV)がGa面サンプルにおいて見出された。トラップCは反応性イオンエッチングダメージにより生じたものであるかもしれない。」また、2178頁左欄下から10行?同頁右欄7行には次のとおり記載されている。「本論文で用いたGaN層は、おおよそ300μmの厚みで成長され、レーザー溶融法によりAl_(2)O_(3)基板から分離された。上(Ga)面は機械的に研磨され、そして研磨ダメージがCl_(2)系反応性イオンエッチング(RIE)法によって部分的に除去された。Al_(2)O_(3)基板に隣接していた下(N)面は、Al_(2)O_(3)上に成長したすべてのHVPE層に現れる薄い高劣化領域を初めは含んでいる。そのショットキーバリアダイオード(SBD)が非常にリーキーで使用できなくならないように、ショットキーバリアの積層の前に、材料の約30μmが機械研磨及び湿式化学エッチングにより除去される。その層を2つの片に切断した後、それぞれ直径250μmのNi/Auショットキーバリアが、一方の片のGa面に、そして他方の片のN面に、形成された。Ti/Al/Ti/Auオーミックコンタクトが、各片のそれぞれ反対側の面に形成された。