フィジックス第32巻(1993)1528-1533頁(Jpn.J.Appl.Phys.Vol.32(1993)pp.1528-1533))。このような場合には、デバイスとしての性能が極端に悪くなるどころか、成長層が粉々に破壊されるという結果をしばしば招いていた。応用の一つには先に述べたように青色系の光デバイスがある。高密度記録の書き込み、読み出しが可能な青色レーザを光源としたデジタルビデオデイスク(DVD)への期待は大きい。このような半導体レーザのファブリペロ共振器は一般に劈開によって形成される。レーザ用ダブル・ヘテロ(DH)構造をエピタキシャル法で形成し、前記リソグラフィ技術における問題を克服してストライプ構造を形成できたとしよう。その後のプロセスとしては電極等を形成するわけであるが、最終的には一般に劈開によってファブリペロ共振器を形成しなければならない。ウェーハ及びその製造方法を提供することである。【発明の実施の形態】<GaN結晶膜の成長方法>本発明のGaN結晶膜の成長方法の一実施形態について図面を参照して説明する。【0039】初めに、サファイア基板1上にGaNを含む下地結晶膜2を成長し、その表面上にフォトリソグラフィー法とウェットエッチング法を用いてストライプ状のマスク4を形成し、成長領域3を形成する(図1(a))。【0040】マスク4は基板1上に直接形成してもよいが、下地結晶膜2の形成により予め転位密度をある程度低減することができ、後に形成するGaN結晶膜5の転位構造をより効果的に制御できるため、この下地結晶膜2は形成することが好ましい。このような下地結晶膜の材料としては、GaN、AlN、Al_(x)Ga_(1-x)N(0<X<1)、In_(x)Ga_(1-x)N(0<X<1)などのIII族元素窒化物が好ましい。前記下地結晶膜の組成は必ずしも後にその上に形成するエピタキシャル層の組成と同じである必要はなく、場合によってはIII族元素窒化物に限る必要もないが、上記エピタキシャル層と同じ結晶系でウルツ鉱型結晶構造を有する材料が好ましい。このような下地結晶膜の厚さは0.5μm?20μmが好ましい。薄すぎると十分な効果が得られず、厚すぎるとクラックが発生しやすくなる。【0051】マスクの形状はストライプ形状が好ましく、このときマスク14の厚さは0.01?5μmが好ましい。マスクの材料としては、SiO_(2)を用いることが好ましいがこれに限られるものではなく、SiN_(x)等の絶縁体膜でもよい。【0055】次に、成長領域3に対しGaN結晶のエピタキシャル成長を行う。マスク4の付いた基板をエピタキシャル装置の反応管に挿入して、水素ガス、窒素ガス、または、水素と窒素の混合ガスとN原料ガスを供給しながら基板を所定の成長温度まで昇温する。温度が安定してからGa原料を供給して、成長領域3にGaN結晶層を成長する。Epitaxy)を用いてもよい。【0056】GaN結晶は、初期段階ではマスク4上に成長せず、成長領域3のみで結晶成長が起こり、成長領域上のGaN結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセット6が形成される(図1(b))。このときのGaN結晶の成長条件はファセット構造が形成されるように650°Cから1100°Cの成長温度、N原料の供給量はGa原料の供給量に対し等倍から1000倍の範囲で行うことが好ましい。【0057】さらにエピタキシャル成長を続けると、GaN結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、成長領域だけでなくマスク4を覆うようになる。隣接する成長領域のGaN結晶のファセットと接触する(図1(c))。【0058】さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ(図1(d))、最終的には、平坦な表面を有するGaN結晶膜5を得ることができる(図1(e))。【0059】通常、サファイア基板上にGaN結晶の結晶成長を行うと、基板との界面で発生した結晶欠陥にともなう転位は、界面と垂直方向に伸びるために、たとえエピタキシャル膜を厚くしても、転位の低減は見られない。【0060】本発明における成長方法では、選択成長により成長領域にファセット構造を形成している。このファセットは成長速度が他の面より遅いために現れる。ファセットの出現により転位がファセットに向かって進み、基板と垂直に伸びていた転位が垂直な方向へ伸びることができなくなる。転位はファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどの転位は、結晶の端に出てしまうか、閉ループを形成する。その結果、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い、上部の成長領域では結晶欠陥が減少していく。これにより、エピタキシャル膜内の欠陥の低減を図ることができる。このようにファセット構造を形成して成長することで、結晶欠陥を大幅に減らすことが可能になる。【0061】特に、Ga原料に塩化物を用いる塩化物輸送法による気相成長では、GaN結晶の成長が速いため、ファセット構造のうち基板面と同じ面が消えるのがはやい。したがって基板と垂直に伸びる転位は、はやくからファセット構造のうち基板面と異なる面の方向に伸びることになりGaN結晶における垂直に伸びる転位(貫通転位)を大幅に減らすことができる。塩化物輸送法による気相成長と比べて成長速度が遅くなるが、上述のようにのGaN結晶のファセット構造のうち基板面と同じ面が速く消えるようにすればよい。成長領域に対するマスクの面積を大きくすればマスク上からの成長種の供給量が増えるため成長領域におけるGaN結晶の成長を速めることができる。【0063】またGaNのエピタキシャル成長について述べたが、InGaN膜、AlGaN膜あるいはInN膜をエピタキシャル成長しても同様な効果が得られる。成長するこれらの結晶膜に不純物を添加しても同様な効果が得られる。【0064】上述のように、本実施の形態で得られるGaN結晶膜は、結晶欠陥が大幅に減少しており、このGaN結晶膜上に形成する半導体レーザ等の素子構造(GaN結晶膜を含む積層構造)における結晶欠陥も大幅に減少させることができる。このため、異種基板(例えばサファイア基板)上に作製する積層構造の結晶性を改善することができ、優れた特性を有する半導体レーザ等の半導体装置を提供することができる。【0065】また、このようなGaNの結晶膜の膜厚を所望の厚さに成長した後、少なくともサファイア基板等の異種基板を除去することで、好ましくは異種基板とマスクとGaN結晶膜の一部を除去することで、結晶欠陥の少ないGaN結晶膜が得られ、これを基板として用いることで半導体レーザ等の素子を形成する上でさらに様々な利点が得られる。【0066】例えば、半導体発光素子の製造にGaN結晶膜の基板を用いた場合は、サファイア基板等の絶縁性の異種基板を用いた場合に問題となっていた半導体発光素子における基板裏面への電極形成が可能になる。【0067】さらに、GaN結晶膜からなる基板(GaN結晶膜基板)上に形成する半導体発光素子がGaN結晶膜を含む半導体レーザの場合は、GaN結晶膜基板と半導体レーザの積層構造との劈開面が同じであるため、劈開による共振器ミラーの作製が可能となる。【0068】なお、上記では、GaN結晶膜基板を用いて素子を作製した場合の利点について説明したが、サファイア基板等の異種基板上に、前述の選択成長方法により所望の厚さのGaN結晶膜を形成した後に半導体素子構造を順次作製し、その後、この異種基板を除去することによっても、基板裏面への電極形成と、劈開による共振器ミラーの形成が可能であることは言うまでもない。【0069】サファイア基板等の異種基板上へのGaN結晶膜形成時の膜厚としては、20μm?1mmが好ましく、80μm?500μmがより好ましい。【0070】また、GaN結晶膜上に素子構造を形成する場合には、結晶成長する側のGaN結晶膜の面だけでなく、異種基板付きGaN結晶膜から異種基板やマスク等を削除した側、すなわちGaN結晶膜の異種基板側の面を利用して素子構造を形成してもよい。この場合に、異種基板とともに除去するGaN結晶膜の厚さは300μm以下が好ましく、5?150μmがより望ましい。【0071】このようなGaN結晶膜を素子基板として用いることにより、形成される半導体素子の積層構造の結晶性を改善することができ、その結果、優れた特性を有する半導体素子を提供することができる。【0072】また半導体発光素子に適用した場合は、サファイア基板で問題となっていた半導体発光素子における基板裏面への電極形成が可能になる。【0073】さらに半導体発光素子が半導体レーザの場合は、GaN結晶膜と劈開面が異なる異種基板上にレーザ構造を形成しても、劈開による共振器ミラーの作製が可能になる。」(エ)「【0117】以下、転位構造に起因する、膜厚に依存する膜表面の転位密度の推移を述べる。【0118】まず、各転位の全転位密度に対する割合の推移については、本発明によるGaN結晶膜中では、図17に示すような上記転位構造によって、上層領域(低転位密度層)において、A転位(c面に対して平行な変位ベクトルを持つ転位)すなわち下地結晶中の刃状転位であった転位が減少し、B転位(c面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つ転位)すなわち下地結晶2中の混合転位であった転位はそのまま上部層へ引き継がれるため、全転位数に対するA転位の割合は少なくなり、反してB転位の割合が多くなる。【0119】ここでは、上記TEM観察によってGaN結晶膜中の転位のキャラクタを判別した結果、従来の一般的な方法でサファイア基板上に直接成長したGaN結晶膜中では、B転位の割合が30%以下であったのに対して、マスク幅、開口部幅、マスク周期に対する開口部幅の割合、マスクのストライプ方向を変化させることで全転位数に対して少なくとも50%以上がB転位となる領域が存在することを確認した。」(オ)「【0126】まず、上記のGaN結晶膜の成長方法に従って、基板1上にn型GaN結晶膜65を形成する(図11(a)及び(b))。【0127】次に、このn型GaN結晶膜65上にGaN系半導体発光素子の素子構造を作製する。69、p型AlGaN層70、p型GaN光ガイド層71、p型AlGaNクラッド層72、p型GaNコンタクト層73を順次形成して発光素子構造を作製する(図11(c))。【0128】次に、発光素子構造を形成した基板を研磨器にセットし、基板1、下地結晶膜2、マスク4及びGaN結晶膜の一部を研磨してn型GaN結晶膜65を露出させる。n型電極74を形成し、表面側にp型電極75を形成する(図11(d))。【0129】本実施の形態により以下の効果が得られる。【0130】本発明のGaN結晶膜上にGaN系半導体素子構造を成長することにより、従来のサファイア基板を用いた成長で問題となっていたGaN系半導体素子構造におけるエピタキシャル成長膜の結晶性が改善でき、素子特性を向上させることができる。【0131】特にGaN系半導体発光素子の場合においては、裏面に電極を形成することができるため、従来のようにドライエッチング等の複雑な作製工程で電極をGaN結晶膜の表面に形成することなく素子を作製でき電極作製工程が簡略化できる。【0132】またGaN系半導体発光素子がGaN系半導体レーザの場合は、結晶欠陥が少ないGaN結晶厚膜を形成した後に、基板、マスク等を除去することで、劈開によりGaN系半導体レーザ構造の共振器ミラー面を形成できる。サファイアとGaN結晶とは結晶の劈開面が異なるため、従来、サファイア基板上に作製したレーザ構造の共振器ミラーは劈開により形成することが困難であった。これに対し、本発明では結晶欠陥が少ないGaN結晶膜65を厚く成長することができるため、サファイア基板やマスクを除去してもGaN結晶膜上に形成したGaN系半導体レーザ構造には影響はなく、またGaN結晶膜65上のレーザ構造は劈開により共振器ミラー面を形成できる利点を持っているため、従来のドライエッチング等による複雑な工程で共振器ミラー面を形成したものに比べ大幅に簡略化でき歩留まりも大幅に向上できる。【0133】なお、上記の説明では、GaN結晶膜上にGaN系半導体素子の積層構造を作製した後に基板1とマスク2とGaN結晶膜65の一部を除去したが、GaN結晶膜を形成し基板1とマスク2とGaN結晶膜65の一部を除去した後にGaN系半導体素子の積層構造を作製してもよい。【0134】またGaN系半導体素子としては、GaN系半導体レーザやGaN系LED等のGaN系半導体発光素子の他にFETやHBTなどのデバイスにも適用可能である。」(カ)「【0135】<GaN結晶膜の転位のキャラクタ組成>前記のGaN結晶膜の成長方法に従ってサファイア基板上に成長したGaN結晶膜において、サファイア基板とマスクを含む下層領域が除去されたGaN結晶膜は、含有される転位の過半数がGaN結晶のc面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つ転位(B転位)であることが、前記のTEMによる解析で確認された。これに対して従来の一般的な方法でサファイア基板上に直接成長したGaN結晶膜(サファイア基板を除く結晶層領域)中では、B転位の割合が30%以下であった。本発明のGaN結晶膜の上層領域(サファイア基板とマスクを含む下層領域が除去された結晶領域)中のA転位(GaN結晶のc面に平行な変位スベクトルを持つ転位)の全転位数に対する割合は、従来のGaN結晶膜中のそれに対して少なくなっており、本発明の結晶膜の上層領域中に含有される転位は、ほぼB転位とA転位のみであった。【0136】本発明のGaN結晶膜は上記の特徴的な転位構造を有するため、GaN結晶膜中のB転位の割合が増大していることはA転位が低減、すなわち全転位の密度が低減していることを意味する。よって、半導体レーザ等の半導体装置の用途に好適なGaN結晶膜は、B転位がGaN結晶膜に含有される転位中の50%以上であることが好ましい。このGaN結晶膜中のA転位の全転位数に対する割合は50%未満であることが好ましい。A転位の転位密度は1×10^(8)/cm^(2)未満であることが好ましい。このGaN結晶膜中の全転位の転位密度は2×10^(8)/cm^(2)以下であることが好ましく、1×10^(7)/cm^(2)以下であることがより好ましい。【0137】また、サファイア基板とマスクを含む下層領域を除去して好適なGaN結晶膜を得るためには、サファイア基板上へ形成するGaN結晶膜の膜厚は、20μm?1mmが好ましく、80μm?500μmがより好ましい。基板とともに除去する下部領域のGaN結晶膜の厚さは300μm以下が好ましく、5?150μmがより望ましい。下地結晶層を形成している場合はサファイア基板等の除去とともに下地結晶層も除去することが好ましい。あれば適用可能である。しては、InGaN、AlGaN、InN等が挙げられる。ボロンが含有されていても、ウルツ鉱型結晶構造を保てる含有量の範囲であれば本発明に包含される。」(キ)「【0176】<異種基板の除去方法>次に、異種基板を取り除く方法について具体例を挙げて説明する。ここでは約250μm厚のGaN結晶をサファイア基板上に成長して得られたウエーハを研磨してサファイア基板を除去した例を説明する。【0177】まず、GaN結晶側の表面(ウェーハ表面)を粘土状のいわゆるコンパウンドで保護する。次に露出したサファイア表面(ウェーハ裏面)をサンドブラスト法によって研磨する。サンドブラスト法は良く知られているように研磨面にジルコニア、アルミナ、炭化珪素などの粒子をノズルから高速で衝突させるものであるため、曲面をもった素材の高速の研磨に適した方法である。高速で研磨しようとすれば粒径の尺度として500番程度のものを用い、低速で研磨する場合は3000番程度の粒径の小さなものを用いることが好ましい。粒子の材料としてはジルコニアが好ましく、サファイア以外の炭化珪素、MgAl_(2)O_(4)などからなる異種基板についても良好な研磨性が得られた。【0178】このサンドブラストによる研磨はサファイア基板の厚さが50μm厚程度になるまで行った。この後、コンパウンドを取り去ると反りは著しく軽減されていた。同時にサファイア基板にはクラックが多数発生しており、サファイア基板が薄くなった以上に反りの軽減が加速されていた。【0179】クラックの発生はサファイア基板の厚さが100μmでも発生し、実質的に反りが解除される。【0180】サンドブラスト法による研磨、コンパウンド除去後においてクラックの発生がない場合には反りはかなり残存している。この場合においてもドライアイスや液体窒素などの寒剤に曝することによってウエーハ温度を下げるとサファイア基板にクラックが発生し、反りを低減できる。エピタキシャル層の厚さ100?500μmにおいては、異種基板の厚さがそのエピタキシャル層の厚さの2分の1以下であることが好ましい。厚めの異種基板を用いて結晶成長し、エピタキシャル層の厚さの2分の1以下になるまで異種基板を研磨してもよいし、所定のエピタキシャル層の厚さの2分の1以下の厚さの異種基板を用いてエピタキシャル成長を行ってもよい。厚さ200μmのサファイア基板上に厚さ500μmのGaN層をエピタキシャル成長させた場合、成長温度から室温に降温する段階でサファイア基板にクラックが発生し、反りが軽減される。クラックが発生しなくても寒剤に浸して温度を下げれば、容易にクラックが発生して反りが軽減される。【0182】なお、サファイア基板のサンドブラスト研磨はサファイア基板を完全に取り除くまで行ってもよいが、サンドブラスト法によるGaN層への損傷をなるべく避けるために10μm厚程度のサファイア基板を残しておくとよい。マスクを常法により研磨除去することができる。その結果、GaNエピタキシャル層のみからなるウェーハが得られる。実際には、選択成長用マスクが露出した時点からウエーハ全体の厚さをモニターしながらGaNエピタキシャル層に至るまで研磨を行った。【0184】なお、このような研磨の際、選択成長マスクまで研磨せず、マスクが露出した時点で研磨を停止し、マスクをエッチングで取り除いてもよい。マスク材がSiO_(2)ならば希フッ酸ですぐに除去することができる。)を上記研磨の際に除去することが好ましい。【0186】また、GaNエピタキシャル層のみからなるウェーハの厚みとしては、200μm程度以上あれば、後に述べるその上へのDH構造の形成や各種デバイス作製プロセスに必要な十分な強度が得られる。【0187】<青色半導体レーザの作製>次に、上記のようにして得られた1インチ直径のGaNエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板(以下「GaN基板」という。)として、半導体レーザ用DH構造形成のためのエピタキシャル成長を行い、青色半導体レーザを作製した一例を説明する。【0188】DH構造は種々のプロセスで形成可能であるが、ここではGaAs基板やInP基板等の導電性基板の上に形成された半導体レーザの製造プロセスとほぼ同様のプロセスを用いることができる。【0189】図16に、GaN基板上に形成したDH構造を有する半導体レーザの共振器断面より見た構造断面図を示す。204、マグネシウム添加p型Al_(0.2)Ga_(0.8)Nインジウム解離防止層205(厚さ200A)、マグネシウム添加p型GaN光ガイド層206(厚さ0.1μm)、マグネシウム添加p型Al_(0.05)Ga_(0.95)Nクラッド層207(厚さ0.5μm)、及びマグネシウム添加p型GaNコンタクト層208(厚さ0.2μm)を連続してMOCVD法によって形成した。DH構造の最上層には酸化珪素膜209を形成し、幅10μmのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるp型電極210を形成した。212はレーザ光出射領域である。次に、p型電極面で研磨用重しに貼りつけ、GaN基板を研磨し、劈開可能な厚さ(通常、60μm?100μm)に仕上げた後、チタンとアルミニウムからなるn型電極211を裏面に形成する。この後、劈開によって共振器面を形成し、隣り合う電流注入用窓の中間で切断すれば青色レーザ素子ペレットが完成する。最終的に出来上がったレーザのストライプ長すなわち共振器間隔長は250μmとした。【0190】このような上記プロセスの利点は、裏面に電極を形成する直前に、劈開可能な厚さまでウエーハを研磨すればよく、上部電流狭窄用ストライプ構造の形成や表面への電極の形成が厚いウエーハ状態で実施できるメリットがある。【0191】<レーザ特性>以上のようにして作製した半導体レーザを室温(約25°C)でパルス動作させ、閾値を測定した。得られたレーザの閾値電流は120mA(電流密度?4kA/cm^(2))前後の良好な値を示した。これに対して、選択成長用マスクなしにサファイア基板上に成長したGaNウエーハを基板として作製したレーザは、50mA程度高い値を示した。【0192】この理由については、転位密度が減ったこと、とりわけA転位密度が大幅に減少したためと考えられる。GaN系では転位密度の高い結晶においても高い輝度の発光ダイオードが容易に得られることから、転位は少数キャリアの再結合センターとしての機能は小さいようである。半導体レーザでは閾値電流は十分に下がらない。半導体レーザはよく知られているように活性層中での導波光に対して光学的利得を得る条件が達成されなくてはならない。前記のようにA転位は結晶中の小傾角粒界の発生原因であり、この小傾角粒界においては光散乱が起こりやすい。A転位密度の大きな結晶においては小傾角粒界での光散乱が原因で導波光に対する光学的利得が上がらないために閾値を下げることができなかったと解釈される。逆に言えば、本発明によればA転位密度を大幅に減少できたことで、本発明のウェーハ上に成長したDH構造活性層中での導波光の散乱が減少し、高い光学的利得を得たことにより閾値の減少が達成されたと考えられる。【0193】さて、閾値測定を行ったレーザはいずれもウエーハの中央部1cm直径内から劈開したもので共振器となる劈開面に傷等のないものを選別したものである。ウエーハ間で閾値のバラツキに特徴があり、これが2つに分類できることが判明した。閾値のバラツキの少ないものをA群のウエーハ、閾値にややバラツキがあるものをB群のウエーハとして以下説明する。【0194】A群のウエーハでは各ウエーハにおいて閾値のバラツキは10パーセント内外であり、かつ最も大きい閾値のものでもウエーハ内平均値の120パーセントを超えるものは見つからなかった。B群のウエーハにおいても閾値のバラツキはやはり10パーセント内外であることには変わりがないが、特徴はウエーハ内平均値の1.5倍以上のものが10ないし20個に1つ程度の割合で生じることである。【0195】A群ウエーハとB群ウエーハの差違について詳しく調べたが出来上がったレーザに関して特別な差違は見られなかった。そこで、DH構造エピタキシャル成長後のウエーハについて断面構造を調べてみた。この結果、A群ウエーハではGaN基板ウエーハ全断面にわたって低転位層となっているのに対し、B群ウエーハではGaN基板ウエーハ裏面付近に高転位層が存在していることが解った。【0196】高転位層がどのようにDHエピタキシャル層に影響し、さらにレーザ閾値に影響するかについては現状ではよく解らない。以下に述べる理由がその原因だと考えられる。前記したようにGaN基板ウエーハに高転位層が存在した場合には、DH構造エピタキシャル成長や後のプロセスにおける高温加熱時に高転位層で転位が反応したり、高転位層でウエーハ面と水平に折れ曲がった刃状転位が再び、層厚に方向に折れ曲がってDH構造エピタキシャルに到達するためと考える。10ないし20個に1つの割合で閾値の大きなものがでる理由は図9からも予想されることであるがストライプ選択成長マスクの周期で転位密度の変化がGaN基板エピタキシャル層の高転位密度層を含む初期成長層には存在し、この周期変化に応じた特に高密度の領域から延びた転位群が電流狭窄用ストライプ活性層領域に到達した場合に生じると考えられる。【0197】従って、製造歩留まりや特性検査工数を考えた場合には高転位密度層を完全に除去したGaN基板を用意してDH構造エピタキシャル成長を行うことが好ましい。マスク、マスク近傍の高転位密度層までをすべて取り除いたものが好ましい。レーザ構造の形成のためのエピタキシャル成長の際には、GaN基板に適度の厚みが要求されることを考慮することが必要である。【0198】以上、サファイア基板上に成長したGaNウェーハを基板に用いて作製したレーザの特性について述べたが、サファイア基板上に成長する際にAlを添加したGaN、すなわちAlGaNウェーハを基板として作製したレーザについてもレーザ特性を調べた。この場合、レーザの閾値電流は20mA程度低減するものが得られた。この場合のAl_(0.05)Ga_(0.95)Nクラッド層202の厚みは1.5μmとした。閾値電流の低減は、クラッド層202の厚膜化による光閉じ込め効果が原因と思われ、上部クラッド層207についても厚膜化すればさらに閾値電流や微分量子効率の改善が可能であると考えられる。【0199】<成長表面の平坦化による閾値の再現性向上>半導体レーザのDH構造をエピタキシャル成長する場合にはGaN基板の表面状態について注意が必要である。注意する点はGaN基板の成長表面の平坦性で、成長表面が平坦でないとDH構造エピタキシャル層、特に活性層の平坦性が保持できない。活性層の平坦性の確保が重要なことは導波の点から考えれば明らかであるが、特に結晶学的に決まる劈開によって形成される共振器面と活性層面のなす角度が直角からズレることの方を危惧すべきである。この角度のズレがあると導波してきた光が共振器面で反射されてもどる場合に大きく損失し、しきい値を増大させるからである。この角度のズレの許容限界は1度を大きく下回ると考えられる。【0200】一般に、GaN基板の成長表面は100μm以上の厚いエピタキシャル成長後の表面であり、多くは成長縞やうねりがみられる。そこで、サファイア基板を除去し、マスクと共にマスク近傍の高転位密度層を取り除いたGaN基板を研磨用重りからはがして裏表を張り替え、GaN基板の成長最上層を研磨して成長縞やうねりを取り除いてから、DH構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。ここでは、GaN基板の成長終了面を研磨して平滑化した表面を主面としてDH構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。このようにして作製されたGaN基板をウエーハに用いて作製されたストライプレーザの閾値はバラツキが小さく良好なレーザ特性が得られた。マスク、及びマスク近傍の高転位密度層を取り除いて形成されたGaN基板の裏面(サファイア基板が存在していた側の面)に行って半導体レーザを作製した。ウェーハの表裏の2つの主面のうち転位密度の比較的高い方の主面上に素子構造が形成された場合においても、得られた半導体レーザの閾値等のレーザ特性は同様に良好であった。この場合、成長面の成長縞やうねりを除去するための研磨工程が不要となる。GaN基板の表面に成長した場合に較べて転位密度は若干高くなることが考えられるが、マスク近傍の高転位密度層を十分に除去すれば、閾値等のレーザ特性が良好な半導体レーザを作製することができる。【0202】以上、半導体レーザのDH構造が平坦である場合について説明した。DH構造を有する半導体レーザの製造方法には、水平横モードの制御を行うために、DH構造の形成ためのエピタキシャル成長前に基板表面を加工して予め電流注入領域となる部分に溝を彫り込む等の技術がある。ウェーハは問題なく適用可能である。ウェーハは、電界効果トランジスタ等の電子輸送デバイスに適用しても、電子の移動度が改善されたり、電極等の製造歩留まりや信頼性が向上する等の効果が得られる。この電子の移動度の改善は、A転位がもたらす小傾角粒界での散乱が減ったためと考えられる。電極の信頼性の改善は、半導体レーザにもいえるが、転位が減少した結果、電極金属の転位線(特にA転位)に沿っての異常拡散が減少したためと考えられる。応用分野の一つとして期待されている、自動車エンジン等の発熱装置の近くに搭載しても動作可能な高温動作-高性能半導体装置の実現にも大きく寄与するものである。【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。【0205】(実施例1)本発明の実施例について図1を参照して説明する。本実施例では、基板として、(0001)面サファイア(Al_(2)O_(3))基板1上に膜厚1μmのGaN膜(下地結晶膜)2をあらかじめ形成した基板を用いた。この下地結晶膜の成長にはMOCVD装置を用いた。サファイアを450°Cに加熱して、Ga原料のトリメチルガリウム(TMG:(CH_(3))_(3)Ga)とアンモニア(NH_(3))を供給して、400Åの厚さのGaNを成長した。その後、温度を1000°Cに上昇させてGaNを成長させた。このGaN膜2表面にSiO_(2)膜を形成し、フォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状のマスク4を形成し、成長領域3を分離・形成した。成長領域3及びマスク4は、それぞれ幅5μm及び2μmのストライプ状とした。ストライプ方向は<11-20>方向とした((図1(a))。【0206】成長領域3に成長するGaN結晶は、Ga原料にガリウム(Ga)と塩化水素(HCl)の反応生成物である塩化ガリウム(GaCl)とN原料にアンモニア(NH_(3))ガスを用いるハイドライドVPE法により成長させた。GaClは、金属GaとHClを800°C程度に保った反応管上流部で反応させて得た。基板を成長装置にセットし、水素雰囲気で成長温度1000°Cに昇温する。成長温度が安定してから、HCl流量を20cc/毎分で供給し、NH_(3)流量1000cc/毎分で5分程度供給することで、成長領域3にGaN結晶の{1-101}面からなるファセットを成長させた(図1(b))。20分間程度エピタキシャル成長を続け、マスク4を覆うまでファセット6を発達させた(図1(c))。【0207】エピタキシャル成長を続けることによりファセット構造を埋め込み(図1(d))、最終的には、5時間の成長で200μm程度の平坦な表面を有するGaN膜を形成させた(図1(e))。GaN結晶膜5を形成後、アンモニアガスを供給しながら、常温まで冷却し成長装置より取り出した。【0208】本実施例によって形成されたGaN膜5には、サファイア基板1と格子定数や熱膨張係数が違うにもかかわらずクラックが入っていないことが確認された。厚膜成長を行ったGaN結晶膜には、欠陥が非常に少なく、転位密度は10^(7)/cm^(2)程度であった。転位密度は、透過電子顕微鏡を用い、膜表面付近の平面観察によって計測した。【0209】本実施例で成長したGaN結晶膜は欠陥が非常に少なく、この上にレーザ、FET、HBTなどの高品質なデバイス構造を成長することで、デバイス特性を向上させることが可能となる。【0210】(実施例2)本実施例について図11を参照して説明する。図11は、本発明のGaN結晶膜上にGaN系半導体レーザを製造する方法を説明するための概略工程断面図である。【0211】(0001)面のサファイア基板1上に、実施例1と同様にMOCVD法で膜厚1μmのGaN膜2を形成した。このGaN膜2上にSiO_(2)膜を形成し、実施例1と同様にフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状のマスク4を形成し、成長領域3を分離・形成した。成長領域3及びマスク4は、それぞれ幅5μm及び2μmのストライプ状とした。ストライプ方向は<11-20>方向から10度傾けて形成した(図11(a))。【0212】成長領域3に成長するGaN結晶は、上記の実施例1と同様にGa原料にガリウム(Ga)と塩化水素(HCl)の反応生成物である塩化ガリウム(GaCl)とN原料にアンモニア(NH_(3))ガスを用いるハイドライドVPE法を用いた。基板を成長装置にセットし、水素雰囲気で成長温度1000°Cに昇温する。650°Cの温度から基板をNH_(3)ガス雰囲気にする。成長温度が安定してから、HCl流量を40cc/毎分で供給し、NH_(3)流量1000cc/毎分、およびシラン(SiH_(4))流量0.01cc/毎分で150分間の成長で、実施例1で説明した図1の(a)から(e)の成長過程を経て、マスク4を埋め込んだ膜厚200μmのn型GaN結晶膜65を形成する(図11(b))。n型GaN結晶膜65を形成後、NH_(3)ガス雰囲気で常温まで冷却し、成長装置より取り出す。GaN結晶膜65は、1×10^(18)cm^(-3)以上のキャリア濃度であった。(MOVPE)を用いて作製した。【0214】GaN膜65を形成後、MOCVD装置にセットし、水素雰囲気で成長温度1050°Cに昇温する。650°Cの温度からNH_(3)ガス雰囲気にする。69、マグネシウム(Mg)を添加した20nmの厚さのp型Al_(0.2)Ga_(0.8)N層70、Mgを添加した0.1μmの厚さのp型GaN光ガイド層71、Mgを添加した0.4μmの厚さのp型Al_(0.15)Ga_(0.85)Nクラッド層72、Mgを添加した0.5μmの厚さのp型GaNコンタクト層73を順次形成しレーザー構造を作製した。p型のGaNコンタクト層73を形成した後、HN_(3)ガス雰囲気で常温まで冷却し、成長装置から取り出した(図11(c))。69は、780°Cの温度で形成した。【0215】次に、レーザー構造が形成されたサファイア基板を研磨器にセットし、サファイア基板1、GaN膜2、SiO_(2)マスク4、及びGaN結晶膜65の50μmを研磨してGaN結晶膜65を露出させた。【0216】露出したGaN結晶膜65面には、チタン(Ti)-アルミ(Al)のn型電極74を形成し、p型のGaN層73上にはニッケル(Ni)一金(Au)のp型電極75を形成した(図11(d))。【0217】なお、本実施例では、サファイア基板1、GaN下地結晶膜2、SiO_(2)マスク4及びGaN結晶膜65の一部を研磨により除去してn型の電極を形成したが、研磨を行わずにドライエッチングによりn型GaN層66または65まで除去してn型電極を形成し、共振器ミラー面を形成してもよい。」(ク)図5は、次のとおりの断面TEM写真であり、当該図5から、GaN結晶膜5中のマスク上領域の欠陥構造がみてとれる。(ケ)図10は、次のとおりであり、当該図10から、甲3のエッチピット密度が1×10^(8)/cm^(2)以下であることがみてとれる。上記アの摘記事項(ア)ないし(ケ)を含む甲3の全記載からみて、甲3には、次の二つの発明が記載されていると認められる。(ア)甲3の【0201】(「別の形態」について記載)を除く全記載からは、次のとおりの発明が把握される。得られたGaN結晶膜上に発光素子構造を形成した後にサファイア基板とマスクと前記GaN結晶膜の一部を除去する方法(以下『サファイア基板法』という。)、あるいは、GaN結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとGaN結晶膜の一部を除去して得たGaNエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法(以下『GaN基板法』という。20nmのMg添加p型Al_(0.2)Ga_(0.8)Nインジウム解離防止層、厚さ0.1μmのMg添加p型GaN光ガイド層、厚さ0.5μmのMg添加p型Al_(0.05)Ga_(0.95)Nクラッド層、及び厚さ0.2μmのMg添加p型GaNコンタクト層を順次Ga面上に形成して発光素子構造を形成し、該発光素子構造の最上層にはSiO_(2)膜を形成し、幅10μmのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるp型電極を形成し、p型電極面で研磨用重しに貼りつけ、GaN基板の裏面(N面)を研磨し、通常、60μm?100μmの劈開可能な厚さに仕上げ、チタンとアルミニウムからなるn型電極を前記裏面に形成する工程を含む、GaN系半導体発光素子の製造方法。」(以下「甲3第一発明」という。)(イ)甲3の【0201】(「別の形態」について記載)及び関連する記載からは、次のとおりの発明が把握される。格子定数や熱膨張係数が異なるサファイア基板上にGaN結晶膜のエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥、転位が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生し、デバイスとしての性能が極端に悪くなるという問題があったので、サファイア基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、GaN結晶膜を提供するために、サファイア基板上にMOCVD法で膜厚1μmの下地結晶膜としてのGaN膜を形成し、該GaN膜上にSiO_(2)膜を形成し、該SiO_(2)膜をフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状に成形してマスクを形成し、該ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム(GaCl)をGa原料とし、アンモニア(NH_(3))ガスをN原料として、ハイドライドVPE法によりGaN結晶をエピタキシャル成長させると、GaN結晶は、初期段階ではマスク上に成長せず前記成長領域のみで成長するため、前記成長領域上のGaN結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセットが出現し、エピタキシャル成長を続けると、GaN結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、前記成長領域だけでなくマスク上にも成長し、やがてマスクを覆うようになって隣接する成長領域のGaN結晶のファセットと接触し、さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ、平坦な表面を有するGaN結晶膜を得て、GaN結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとGaN結晶膜の一部を除去して得たGaNエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法(以下「GaN基板法」という。マスク、及びマスク近傍の高転位密度層を取り除いて形成されたGaN基板の裏面(サファイア基板が存在していた側の面)に行って半導体レーザを作製し、該DH構造の最上層にはSiO_(2)膜を形成し、幅10μmのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるp型電極を形成し、p型電極面で研磨用重しに貼りつけ、GaN基板のGa面を研磨し、通常、60μm?100μmの劈開可能な厚さに仕上げ、チタンとアルミニウムからなるn型電極を前記Ga面に形成する工程を含む、GaN系半導体発光素子の製造方法。」(以下「甲3第二発明」という。)(3)甲4に記載された発明(以下、「甲4発明」という。請求人が挙げた甲4には、次の事項が記載されている。「【0182】(実施の形態15)本実施の形態では、窒化物半導体レーザ素子を用いて、該素子の端面形成とチップ分割について説明する。n型GaN基板600の製造方法について説明する。【0183】図8は、種基板10、n型GaN基板600から構成されていて、n型GaN基板600は、低温バッファ層15、n型GaN膜20、誘電体膜30、塩素ドーピングされたn型GaN厚膜40から構成されている。【0184】MOCVD法で種基板10上に低温バッファ層15を550°Cで積層する。次に、1050°Cの成長温度でSiをドーピングしながら、1μmからなるn型GaN膜20を作製する。【0185】n型GaN膜20を作製後、MOCVD装置から、前記ウエハーを取りだし、スパッター法、CVD法もしくはEB蒸着法を用いて誘電体膜を100nm形成し、リソグラフィー技術で、前記誘電体膜30を周期的なストライプ状パターンに加工する。前記ストライプ形状は、n型GaN膜20に対して<1-100>方向にストライプを形成して、前記方向に対して垂直方向の<11-20>方向にストライプ幅5μm、ピッチ10μmの周期的ストライプ状パターンを形成した。【0186】続いて、前記ストライプ形状に加工した誘電体膜30の付いたウエハーをHVPE装置中にセットし、成長温度1100°C、Si濃度3×10^(18)/cm^(3)、塩素濃度1×10^(17)/cm^(3)をドーピングしながら、350μmの塩素ドーピングされたn型GaN厚膜40を積層する。【0187】上記製造方法によってn型GaN厚膜40を形成後、ウエハーをHVPE装置から取り出し、研磨機で前記種基板10を剥ぎ取り、n型GaN基板600を作製した。n型GaN基板600は、低温バッファ層15を含んでいても良いし、含んでいなくとも良い。同様に、n型GaN基板600は、誘電体膜30を含んでいても良いし、含んでいなくとも良い。窒化物半導体レーザ素子構造を作製後に、該種基板を削除してもよい。【0191】次に、上記n型GaN基板600を用いて、窒化物半導体レーザ素子の製造方法について説明する。【0192】図9は、窒化物半導体レーザ構造を示しており、n型GaN基板600、n型GaNバッファ層601、n型Al_(0.1)Ga_(0.9)Nクラッド層602、n型GaN光ガイド層603、活性層604、p型Al_(0.2)Ga_(0.8)Nキャリアブロック層605、p型GaN光ガイド層606、p型Al_(0.1)Ga_(0.9)Nクラッド層607、p型GaNコンタクト層608から構成されている。【0193】次に、MOCVD装置に、前記n型GaN基板600をセットし、1050°Cの成長温度でn型GaNバッファ層601を1μm形成した。このn型GaNバッファ層601は、種基板10からn型GaN基板600を剥ぎ取るときに生じた、n型GaN基板600の表面歪みの緩和、表面モフォロジ-や表面凹凸の改善(平坦化)を目的に設けた層であり、無くても構わない。n型GaN厚膜40に塩素をドーピングしている場合は、表面モフォロジ-が悪化する傾向にあるため、本実施の形態のようにn型GaNバッファ層601を設けた方が好ましい。n型GaNバッファ層601は、n型Al_(x)Ga_(1-x)Nバッファ層(0<x≦0.3)であっても良い。【0194】次に、1μmの厚さのn型Al_(0.1)Ga_(0.9)Nクラッド層602を成長する。厚さ0.1μmのn型GaN光ガイド層603を成長する。形態の活性層は、3周期の障壁層と井戸層を形成し、その後、障壁層を成長している。その際、Siをドーピングしてもよいし、ドーピングしなくてもよい。次に、基板温度を再び1050°Cまで昇温して、20nmの厚みのp型Al_(0.2)Ga_(0.8)Nよりなるキャリアブロック層605を成長する。この際、Mgをドーピングしても良いし、ドーピングしなくても良い。該キャリアブロック層がなくても特に大きな支障は生じない。【0195】その後、Mgをドーピングしながら0.1μmの厚さのp型GaN光ガイド層606を成長する。Mgをドーピングしながら0.5μmの厚さのp型Al_(0.1)Ga_(0.9)Nよりなるクラッド層607を成長する。最後に、Mgをドーピングしながら0.1μmの厚みのp型GaNよりなるコンタクト層608を成長した。【0196】この様にして、結晶成長した後、MOCVD装置のリアクター内を全窒素キャリアガスとNH_(3)に変えて、60°C/分で温度を降下させた。待機してから、室温まで降下させた。上記基板の保持温度は650°Cから900°Cの間が好ましく、待機時間は、3分以上15分以下が好ましかった。降下温度の到達速度は、30°C/分以上が好ましい。このようにして作製された成長膜をラマン測定によって評価した結果、前記手法により、従来、利用されているp型化アニールを行わなくとも、成長後すでにp型化の特性を示していた。p型電極形成によるコンタクト抵抗も低減していた。p型GaNコンタクト層608最表面近傍で3×10^(18)/cm^(3)以下であった。残留水素濃度は、成長終了後のNH_(3)雰囲気が原因であると考えられる。5×10^(19)/cm^(3)以下が好ましい。残留水素濃度を下げ、コンタクト抵抗を低減できた。p型電極形成によるコンタクト抵抗をさらに低減する方法として、成長膜最表面(p型層の最表面)近傍をエッチングにより除去し、その除去面にp型電極を形成すると良い。成長膜最表面(p型層の最表面)を除去する層厚は、10nm以上が好ましく、特に上限値はないが、除去面近傍の残留水素濃度が5×10^(19)/cm^(3)以下になることが好ましい。【0199】本実施の形態の活性層604は、3周期からなる多重量子井戸構造を作製したが、その他の周期構造でも良く、井戸層のみの単一量子井戸構造でも良い。活性層はIn_(y)Ga_(1-y)N(0<y≦1)から構成されていれば良く、所望のレーザ発振波長に応じてIn組成を変化させればよい。【0200】p型GaNコンタクト層608のp型不純物濃度は、p型電極の形成位置に向かって、p型不純物濃度を多くした方が好ましい。このことによりp型電極形成によるコンタクト抵抗が低減する。p型化不純物であるMgの活性化を妨げているp層中の残留水素を除去するために、p型層成長中に微量の酸素を混入させてもよい。レーザ素子を形成したウエハーのチップ分割について図10?図12を説明する。ここで、結晶成長側とは、基板側に対する反対側を指すものとする。【0202】まず、上記ウエハーのGaN基板側を研磨機により研磨して、塩素ドーピングされたGaN基板の厚さを100μmにし、鏡面出しをする。次に、フッ酸もしくは熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で、前記ウエハーをエッチング処理する。このエッチング処理は、研磨によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去し、p型、n型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために行う。【0203】次に、前記ウエハーの結晶成長面をリソグラフィー技術でマスク処理し、反応性イオンエッチング装置にセットする。ドライエッチングによって、p型Al_(0.1)Ga_(0.9)Nクラッド層607をp型GaN光ガイド層606の手前まで掘り下げて、リッジストライプ構造を形成して(リッジ部620)、屈折率導波型レーザダイオードを作製する。このとき、第A1の割り溝612が<1-100>方向に沿って同時に形成される。リッジのストライプ方向は、窒化物半導体の<1-100>方向に形成した(図12(a))。【0204】次に、SiO_(2)絶縁膜609を蒸着し、リッジ部620のp型GaNコンタクト層608の最表面を露出させ、該露出部分(2μm幅)を被覆するように、Pd(10nm)/Mo(10nm)/Au(150nm)を順に蒸着させてp型電極610をリソグラフィー技術でパターン形成する。前記p型電極610を形成した後、微量の酸素を導入しながら、450°CのN_(2)雰囲気中でアニールを行った。このことにより、p型電極形成によるコンタクト抵抗の低抵抗化が得られた。【0205】次に、実施の形態2と同様に、結晶成長側の面に、反応性イオンエッチング法を用いて、割り溝の底部が窒化物半導体膜とGaN基板の界面位置よりも下方にくるように、深さ8μm、線幅10μm、ピッチ510μmの第A2の割り溝614を形成した(図12(a))。前記第A2の割り溝は、リッジストライプ方向と垂直方向の<11-20>方向に沿って形成する。【0206】続いて、ウエハーを裏返しにして、GaN基板側に、Ti(15nm)/Al(150nm)によるn型電極611を、リソグラフィー技術でパターン形成する。パターン形成するのは、GaN基板側から第A1の割り溝612と、第A2の割り溝614の形成位置を確認するためである。【0207】次に、結晶成長側の面に粘着シートを貼付し、スクライバーのテ-ブル上にGaN基板側を上にして張り付け、真空チャックで固定する。固定後、スクライバーのダイヤモンド針で第A1の割り溝612の線幅のほぼ中央が一致するように、深さ5μm、線幅5μm、ピッチ300μmの条件で、<1-100>方向に一回スクライブし、第B1の割り溝613を形成する(図12(b))。続いて、第B1の割り溝613と垂直方向(<11-20>方向)に、深さ5μm、線幅5μm、ピッチ510μmの条件で、一回スクライブし、第B2の割り溝615を形成する(図12(b))。【0208】スクライブ後、真空チャックを解放し、ウエハーをテーブルから外し取り、ブレーキング装置で軽くGaN基板側から第B2の割り溝615に沿ってチップ分割し、エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る(図10)。続いて、第B1の割り溝613の方向に沿って上記同様に、チップ分割を行う(図11)。【0209】このようにして、2インチφのウエハーからレーザ素子チップを多数得た。チップのミラー端面や切断面にクラック、チッピング等が発生しておらず、外形不良の無い物を取り出した所、歩留まりは95%以上であった。【0210】本実施の形態で得られる効果は上述実施の形態と同様である。【0211】レーザ素子のミラー端面をエッチングで形成する場合、本実施の形態のように、ミラー端面形成とチップ分割のための割り溝形成を同時に形成することができる。本実施の形態以外の、レーザ素子のチップ分割は、実施の形態1から実施の形態10の何れかを用いれば良い。本実施の形態では基板側から、n型層、発光層、p型層の順に結晶成長したが、逆にp型層、発光層、n型層の順に結晶成長させても良い。以上により、窒化物半導体レーザ素子のミラー端面形成とチップ分割が歩留まり良く得ることができる。上記アの摘記事項を含む甲4の全記載からみて、甲4には、次の発明が記載されていると認められる。窒化物半導体レーザ素子の製造方法。」(以下「甲4発明」という。)(4)本件併合通知前に提出されたその外の甲各号証(ただし、甲1ないし甲4、甲17、甲29、甲32、甲33、甲35、甲41、甲44、甲52ないし甲55を除く。(LP-MOVPE)により100μm厚FIELO基板の上にLD構造を成長したこと、LDの概略構造は、100μm厚n型GaN層、1μm厚n型Al_(0.07)Ga_(0.93)Nクラッド層、0.1μm厚n型GaN光導波層、InGaN・MQW層、20nm厚p型Al_(0.19)Ga_(0.81)Nキャップ層、0.1μm厚p型GaN光導波層、0.5μm厚p型Al_(0.07)Ga_(0.93)Nクラッド層と0.05μm厚p型GaNコンタクト層から成り、上記InGaN・MQW層が5nm厚SiドープIn_(0.05)Ga_(0.95)N障壁層により区切られた3nm厚アンドープIn_(0.2)Ga_(0.8)N井戸層3ペアから構成されたこと、上記p型GaNコンタクト層の上にPd/Pt/Auからなるp型電極が蒸着され、n型GaN基板の裏面にTi/Alからなるn型電極が蒸着されたこと、通常の劈開手法でミラー端面を形成し、共振器長が440μmとなったこと、上記のように作成したInGaN・MQW・LDのレーザ特性を室温(20°C)でパルスとCW電流注入条件下で測定したこと、室温でCWとパルス電流注入条件下のコート端面あたりの注入電流の関数としての光出力(L-I)特性と電圧-電流(V-I)特性をFig.2とFig.3に示すこと、等が記載されている。甲43の2では、甲5のLD構造の記載及びFig.2のV-I特性に基づいてn電極のコンタクト抵抗を見積もったところ、約0.021Ωcm^(2)未満になった、としている。甲6擬似バルクGaN基板の上で作られたエッジ終端のショットキー整流器は、接触電極面積に関して、そして、整流器の配置に解して逆方向降伏電圧が強く依存することを示し、小直径(75μm)のショットキー電極に対して、3mΩcm^(2)のON状態抵抗(RON)で、縦配置で測られるVBは?700Vであること(1555頁上方の要約)等が記載されている。