甲14電子部品の製造方法(発明の名称)、特にCu基合金からなる基体にAuやAlを含むワイヤをボンディングして電子部品を製造するに際し、前記基体の添加元素が濃縮した基体表面層を研磨またはエッチング除去したのち前記ワイヤをボンディングするようにしたもの(2頁右上欄〔発明の概要〕)に関し、「この基体表面層の研磨あるいはエッチングによる除去は、その電子部品の機械的強度を損なわない程度に行われることはいうまでもない。この表面層の除去を機械的研磨によって行う場合、この研磨処理によって基体表面に転位網を生じせしめるので、Auワイヤをボンディングしたときの相互拡散の進行を高めることができる。この結果、そのボンディング強度を高めることが可能となる。」(2頁右下欄下から5行?3頁左上欄4行)等の記載がある。甲15化合物半導体結晶の成長方法(【発明の名称】)に関し、Si基板上に一旦III-V族化合物半導体層を成長し、この単結晶III-V族化合物半導体層を研磨して研磨表面を得れば、ある程度平坦な表面が得られるが、研磨表面は研磨により結晶学的には乱れた表面であり、多数の転位を含むこと(【0019】、【0020】)等が記載されている。