(5)本件併合通知後に提出されたその外の各甲号証(ただし、甲60、甲61、甲64を除く。甲62「電極金属は酸化の心配のない金(Au)が用いられ、金の薄膜をコンタクト層表面に真空蒸着により貼り付けます。次はウェハ裏側面にn型電極を付ける工程に移るのですが、そのまえにウエハを研磨し、厚さを100μm程度にしておきます。これは基板が厚いままだと次の第3工程で、へき開やペレタイズができなくなるため、薄くして割りやすくする準備を整えるのです。研磨後表面をエッチングできれいに整え、やはり金の薄膜を真空蒸着で貼り付けて(n側電極)電極プロセスを終了します。「●ラッピング...なお、基板はこのままでは厚すぎて、へき開できません。そこでまず、石を磨くようなラッピング(研磨)の手法によって基板側を削り、ウェハ厚さを約100μmにします[(2)図]。ラッピング後の表面は非常にざらざらしていて表面状態が悪いので、全面を硫酸などのエッチング液で数μmさらにエッチングします。することで表面が非常にきれいになるので、そのあとで裏面側の電極を蒸着するわけです。対比・判断(1)無効理由5事案にかんがみ、無効理由5から判断する。以下、相違点を特定するために付した番号は、これまでの経緯にかんがみ、第2事件について平成27年5月26日にした審決で用いた番号と同様とする。本件訂正発明1について本件訂正発明1と甲4発明とを対比する。製造方法」に相当する。いずれかからなる第1半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成する第1工程」を備えている点で一致する。製造方法」とは、少なくとも、「前記第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第2工程」を備えている点で一致する。製造方法」とは、少なくとも、「前記第1工程及び前記第2工程の後、前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去する第3工程」と「その後、前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に、n側電極を形成する第4工程」を備えている点で一致する。」で一致し、次の点において相違する。甲4発明では、「前記第1半導体層の裏面に」「転位」が「発生している」か否かを含めて不明であり(以下、ここまでの部分を「相違点9-1」ということがある。甲4発明では、「領域」が研磨により発生した転位を含むかどうかも、「裏面近傍の領域」を「除去」する量も、「裏面近傍の領域」を「除去」した「第1半導体層の裏面」の「転位密度」が1×10^(9)cm^(-2)以下であるかどうかも明らかでない(以下、相違点9-1以外の相違点9の部分を「相違点9-2」ということがある。下記文献には,次の記載が認められる。現在加工変質層として知られているもののうち主要のものをつぎにあげる。よって敏感に影響されるいわゆる"構造敏感"な材料であるので,加工変質層が存在すれば,その電気特性に大きな影響を及ぼすことは当然である。このような研究の大部分は半導体研究の初期においておこなわれ,加工変質層が有害であることが判明した後は,エッチングによって除去すること,または加工変質層を生じない加工法を検討することに主力がむけられ,加工変質層の影響に関する研究はほとんど行われていないようである。その他の材料の加工変質層と表面物性すべての材料は加工されれば加工変質層が生じ,なんらかの形で物性に影響を及ぼしているはずである。固体を工業上の目的に使用するためには,その材料に対してなんらかの加工をほどこさなければならない。・・・加工のとき作用する力,発生する熱,外気の作用,新生面効果などによって材料はなんらかの変化をうけ,表面には内部とは違った層を形成する。このような層を加工変質層とよんでいる。最近において,加工変質層の研究は半導体を中心にして飛躍的な進歩がみられた。分類について筆者は次のように考えている。最近,電子機器材料として使用される半導体はたとえばGe,Si,GaAs,GaSb,InAs,InSb,LiTaO_(3),LiNbO_(3),TeO_(2),各種フェライトなど多岐にわたり,これらの材料の加工機構の究明・製品の性能向上などをはかるために加工変質層の研究が必要である。・・・ここでは単結晶を対象とした機械加工を考えてみる。以上を種々のこれまでの観察や実験結果を総合しモデル図化すると図-3のようになる。完全結晶をベースにして考えたが,非晶質や多結晶についてもそれぞれ同様なモデルをもとに考えればよいであろう。産業図書株式会社,1989年2月28日,8?9頁,18?21頁,38?43頁,72?73頁,98?105頁,142?147頁(甲47・56)「ウエハに加工された結晶表面は,加工中の機械的損傷汚染を受けている。・・・ウエハ表面,裏面の機械的損傷によって生じた転位などの結晶欠陥は,たび重なる熱処理プロセスによって増殖,移動することにより,ウエハに複雑なそりを引き起こす。このため,できるだけ初期段階に機械的損傷,転位を評価して,その除去を図る必要がある。典型的なオーム性接触の形成の手順を・・・示す。機械的損傷層を除去するために,化学エッチングを行う(基板の前処理)。・・・つぎに真空蒸着法などによってオーム性電極金属を半導体上に堆積させる。いう)により,鏡面加工面及びその直下部分における原子配列が著しく乱れて,加工歪みや結晶内転位等を伴ういわゆる加工変質層を形成することを確認した。」(【0008】)(a-6)甲57「加工変質層には大きく分けてクラック,アモルファス,転位,鏡面ウェーハの表面層の乱れがある。」(73頁下から6?5行目)(a-7)甲24「ブロック切断,外径研削,スライシング,ラッピングの機械加工プロセスを経たシリコンウエーハは表面にダメージ層すなわち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位などの結晶欠陥を誘発したり,ウエーハの機械的強度を低下させ,また電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去しなければならない。機械加工プロセスを経た単結晶表面に導入される加工変質層は,図3.10に模式的に示されるように,非晶質層,多結晶層,モザイク層,クラック層,そして歪み層を含むと考えられる。加工変質層の深さは加工条件によって異なる。」(111頁2?8行目)「機械加工プロセスでシリコンウエーハに導入された加工変質層は化学エッチング・・・によって完全に除去される。」(111頁下から2?1行目)(a-8)甲25「ICカードやスタックドパッケージに代表される薄型パッケージにおいては,基板等の周辺部材の厚みを薄くすると同時に,シリコンウエハ自体の厚みも薄くする必要がある。このようなウエハの薄型化においては,機械的な研削加工でウエハ厚みを100μmもしくはそれ以下まで薄くしなければならない。ウエハの薄型加工は主にウエハを機械的に研削する『グラインディング工程』と,グラインディング時にウエハに導入されたマイクロクラック等を含むストレス層(加工変質層)を除去する『ストレスリリーフ工程』から成っている。この加工変質層はウエハの反りやクラック発生の原因となるため,グラインディング処理後にはストレスリリーフ処理により完全に除去されなくてはならない。・・・六角形の板状形状のGaN結晶は,本発明で説明される方法で準備される。・・・最初に,表面は,ダイヤモンド・マイクロパウダーを使って機械的に研磨され・・・る。・・・その研磨は,数ミクロン厚の,高い転位密度である高結晶欠陥の隣接層を生成する。・・・完全な表面を有するGaN単結晶基板1を研磨工程によって創出することは大変難しい。研磨時に基板表面にダメージが導入されるからである。このダメージを含む加工変質層はデバイスの特性に悪影響を与える。」(【0044】)(a-11)甲27GaNを研磨したことによって発生したダメージ層のTEM(透過電子顕微鏡)写真が掲載されており、ダメージ層として黒い線状の結晶欠陥が写っている(L14左の写真)。(a-12)甲31「・・・GaN単結晶膜の表面を数10μm程度ラッピングし,結晶成長工程により生じたGaN単結晶膜の厚み不均一を除去した。・・・サファイア基板20を削って,・・・,ひき続いて,・・・GaN単結晶膜を削っていった。GaN単結晶膜を50μm程度以上,望ましくは100μm程度以上削り込むことにより,機械加工歪みがほぼ除去され,また,結晶成長初期時の結晶欠陥の多い領域を取り除くことができる。それから,さらに粒径の細かいダイヤモンドスラリーを用いたポリシング加工により,スクラッチ傷を除き,表面を鏡面にした。」(【0020】)「その後,加工にともなう欠陥を取り除くために・・・CMP(化学機械ポリシング)を適用し,これによりÅオーダーで平坦化された結晶成長用の面を得た。」(【0021】)(a-13)特開2001-313422号公報(甲40)「この基板1の研磨は・・・n型窒化物半導体層21が露出するまで行う。・・・n型コンタクト層21の研磨によりダメージを受けた領域をRIEにて1?2μmエッチングを行う。上記(a)の(a-1)?(a-8)によれば,[1]半導体材料を含む単結晶材料に対して機械加工を施すと,表面には内部(完全結晶層)とは異なる加工変質層(非晶質層,多結晶層,モザイク層,クラック層,ひずみ層〔応力漸移層〕)と呼ばれる層が生じること,[2]機械加工によって発生する転位密度の上昇した領域も加工変質層に含まれること,及び[3]転位密度は透過型電子顕微鏡で観察・測定可能であることは,いずれも,本件優先日当時の技術常識であったものと認められる。同(a-9)?(a-13)によれば,GaNを含む窒化物半導体についても,機械研磨(加工)によって,損傷を受けた層が形成されることや,転位が生じるとの記載がある。すると,結局,本件優先日当時,GaNを含む窒化物半導体において,機械研磨を施すことにより転位を含む加工変質層が生じることは,当業者にとって技術常識であったものと認められる。下記文献には,次の記載が認められる。結晶中のひずみに起因する線欠陥の一種で,図(a)のように原子面の片側に線状にダングリングボンドが並ぶ結晶欠陥である。原子の結合に寄与するボンドが結合しないでブラブラしているボンド。・・・ダングリングボンドは,・・・キャリアのトラップなどの作用をする。」(763頁下から19?15行目)(a-3)甲47・56「格子欠陥は,結晶の構成原子(Si結晶ではSi原子自身)の周期的配列が乱れたもので,その空間的な広がり方によって,点欠陥,線欠陥,面欠陥に分類される。格子欠陥は,結晶中のポテンシャルの周期性を乱すことになり,その結果,禁制帯の中に局在した電子状態(エネルギー準位)を作る。この局在したエネルギー準位は,ドナやアクセプタとして働き半導体結晶の電気的性質に大きな影響を与えることになる。した意味で,格子欠陥は,前述の汚染不純物と同様,"不純物制御"の妨げになる。」(20頁下から10?4行目)「転位が電子や正孔のトラップとして働くとキャリア密度が減少する。基板を使用すると,成長させるGaN系化合物半導体膜と基板との熱膨張係数の違いや,格子定数の違いにより,製造されるGaN系化合物半導体中には多数の欠陥が発生する。その欠陥は刃状転位と螺旋転位に分類され,その密度は合計で約1×10^(9)cm^(-2)?1×10^(10)cm^(-2)程度にもなる。これらの欠陥は,キャリアをトラップして,調製した膜の電気的特性を損ねることが知られている他,大電流を流すようなレーザーに対しては,寿命の低下を招くことが知られている。上記(a)の(a-1)?(a-3)によれば,半導体結晶において線欠陥(転位)を含む格子欠陥が不純物制御の妨げになることや,原子面の片側に線状のダングリングボンドが並ぶ結晶欠陥である転位において,ダングリングボンドがキャリアのトラップなどの作用をすることは技術常識であったものと認められる。同(a-4)?(a-5)によれば,GaN系化合物半導体においても,同様に転位(刃状転位と螺旋転位)がキャリアをトラップして,調製した膜の電気的特性を損ねることが,本件優先日当時,当業者において知られていたものと認められる。キャリアがトラップされれば,キャリア濃度が低下することは自明である。転位がキャリアをトラップする過程が,転位が結晶成長の際に生じたものか,転位が電極形成面を機械研磨して生じたかなど,転位の生成原因によって異なるとする技術的根拠は見出せない。すると,結局,本件優先日当時,GaN系化合物半導体において,転位がキャリアをトラップし,その結果,キャリア濃度が低下することは,当業者にとって技術常識であったものと認められる。下記文献には,次の記載が認められる。(a-1)甲9「実施例2ドーパント源SiH_(4)の供給量を10nmol/min?1000nmol/minの範囲で種々の値とし,H-VPE法により不純物濃度の異なるGaN厚膜をそれぞれ成長させた。・・・レーザの作製に使用したGaN基板のN終端面側にn電極を形成し・・・不純物濃度に対する接触比抵抗を調べた。・・・今回は,Ti(150Å)/Al(1000Å)・・・の電極パッドパターンを使用した。図10は,GaN基板中の不純物濃度と接触比抵抗との関係を示す。不純物濃度が1×10^(17)cm^(-3)を超えると接触比抵抗が1×10^(-5)Ω・cm^(2)以下となり,その後は不純物濃度の増加とともに比抵抗は下がっていく。」(【0053】)(a-2)甲59上記(a-1)と同じ(【0049】【0053】【0054】【図10】)。上記(a)によると,Siをドーピングして形成されたn型GaN基板の不純物濃度とコンタクト抵抗との関係について,甲4発明と同じ電極材料(Ti/Alの積層構造)を用いた場合に,不純物(Si)濃度が高くなれば接触比抵抗(コンタクト抵抗)が低くなり,その逆も成り立つこと,不純物(Si)濃度が1×10^(17)cm^(-3)を超えると接触比抵抗が1×10^(-5)Ω・cm^(2)以下となることは,本件優先日当時,当業者に周知の事項であったと認められる。上記a(a)の(a-7)?(a-8)によれば,本件優先日当時,少なくともシリコンについては,加工変質層が電気的特性に悪影響を及ぼすことやウエハーの反りやクラック発生の原因となることから,当該層を完全に除去すべきものとされていたことが認められる。下記文献には,次の記載が認められる。(TEM)により2×10^(5)cm^(-2)の低さであると決定されました。・・・GaN基板のn型導電性で,典型的キャリヤー濃度・・・は・・・5×10^(18)cm^(-3)・・・であることを明らかにしました。」(訳文1頁右欄下から8?2行目)(a-2)甲38「・・・得られたGaN基板の表面および裏面を研磨してエピタキシャル成長用の基板に加工し,断面TEM観察したところ,貫通転位密度は,10^(4)cm^(-2)と見積もられた。」(【0043】)(a-3)特開2000-223790号公報(甲39)「・・・GaN基板成長時にもラテラル成長技術を取り込んでおり,転位密度を10^(4)cm^(-2)以下に抑制している。上記(a)によると,本件優先日当時,GaN基板の転位密度は,10^(4)cm^(-2)以下?2×10^(5)cm^(-2)程度であったものと認められる。判断(a)甲4発明では,n型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために,エッチング処理により,GaN基板を研磨機により研磨することによって生じた「表面歪み」及び酸化膜を除去するものとされている。したがって,甲4発明においては,GaN基板では,必要とするコンタクト抵抗を確保するために,研磨機による研磨及び鏡面出しのみでは不十分であり,エッチング処理の必要があることが示唆されている。甲4発明の研磨により生じた「表面歪み」を,研磨面の「表面のみ」に限定して解すべき技術的根拠はなく,また,甲4に転位について明示の記載がないからといって,直ちに,甲4発明に接した当業者が,甲4発明においては,研磨により発生した転位を除去する必要がないとしているものと理解するとはいえない。ところで,前記a及びbのとおり,本件優先日当時,〔1〕GaNを含む窒化物半導体において,機械研磨を施すことにより転位を含む加工変質層が生じること,〔2〕GaN系化合物半導体において,転位がキャリアをトラップし,その結果,キャリア濃度が低下することは技術常識であったと認められるから,当業者は,甲4発明においても,研磨機による研磨によって加工変質層に相当する層に転位が生じており,この転位がキャリアである自由電子をトラップしてキャリア濃度が低下するとの機序が生じていると,当然に理解する。前記cのとおり,n型GaN基板について甲4発明と同じ電極材料(Ti/Alの積層構造)を用いた場合に,Siなどの不純物濃度が高くなり,自由電子が増加すれば,接触比抵抗(コンタクト抵抗)が低くなるとの関係が周知であるところ,その機序にかんがみると,転位が自由電子などのキャリアをトラップしてキャリア濃度が低下した場合には,反対に接触比抵抗(コンタクト抵抗)が高くなるといえる。すると,キャリア濃度のみがコンタクト抵抗を左右するものではないとしても,当業者は,キャリア濃度が高くなればコンタクト抵抗が低くなるという作用機序自体は容易に見出すことができるといえる。コンタクト抵抗が低いことは,半導体素子においては常に望まれるものである。前記dのとおり,少なくともシリコンについては,転位を含む加工変質層は完全に除去すべきものとされており,また,同アのとおり,転位を含む加工変質層が電気的特性に与える悪影響は,シリコンとGaN系化合物半導体において異なるものではないといえる。以上からすると,甲4発明における研磨により生じた「表面歪み」の除去によるコンタクト抵抗の低減を,技術常識や周知の技術事項に従って,機械加工により生じた転位の除去によるコンタクト抵抗の低減と理解し,更なるコンタクト抵抗の低減を目的として,このコンタクト抵抗上昇の原因となる加工変質層を除去するとの観点から上記のエッチング処理を行うことは,当業者にとって格別の創意を要する改良の試みであるとはいえない。前記eのとおり,本件優先日当時のGaN基板の転位密度は,10^(4)cm^(-2)以下?2×10^(5)cm^(-2)程度であったのであるから,甲4発明において,加工変質層を除去すれば,除去後の基板の転位密度は完全結晶と同程度となり,1×10^(9)cm^(-2)以下となることは自明である。加えて、転位を含む加工変質層は、機械研磨により生じるものであるから、それがどの程度の厚みをもって生じるのかは、機械研磨の具体的態様に影響を受けるものであることが明らかであり、また、加工変質層の厚みが0.5μm以上であることもあり得ると認められる(甲40、上記a(a)の(a-13))。よって、上記のエッチング処理を0.5μm以上行うことは、機械研磨の具体的態様に応じて当業者が適宜設計し得たことにすぎないというべきである。すると,甲4発明において,技術常識や周知の事項に基づいて相違点9-2に係る本件訂正発明1の構成を採用することは,当業者が容易になし得たと認められる。)は、以下のとおり、相違点9-1に係る本件訂正発明1の構成をも満たす。容易想到構成ではエッチング処理が行われるのであるが、その理由は、機械研磨を施すことにより転位を含む加工変質層が生じるからなのであり、機械研磨を施すことにより生じた転位の転位密度が例えば「1×10^(10)cm^(-2)程度」よりも大きいからなのではない。容易想到構成における当業者は、機械研磨を施すことにより生じた転位の転位密度がどの程度の値なのかを顧慮せずに、機械研磨を施すことにより加工変質層が生じたことのみを契機として、転位を含む加工変質層をエッチング処理するのである。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であることは、生じ得ることであると認められる(本件特許明細書をみても、本件優先日当時において、当該転位が「同第2工程の終了時に・・・結晶欠陥であ」る状態を得るのが困難であったとの事情はうかがわれない。すると、機械研磨を施すことにより上記のような「結晶欠陥」が生じた場合であったとしても、当業者は、機械研磨が施された以上、そこに加工変質層が生じたと認識することに変わりがなく、よって、エッチング処理を行うことになる。したがって、容易想到構成は、相違点9-1に係る本件訂正発明1の構成を満たすのである。(c)以上のとおりであるから、甲4発明において、技術常識や周知の事項に基づいて相違点9に係る本件訂正発明1の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことであると認められる。すると、甲4発明において、加工変質層を除去して、転位密度を加工前の完全結晶と同程度にすれば、コンタクト抵抗は1×10^(-2)Ω・cm^(2)以下(0.05Ω・cm^(2)以下)となるものと推測され、仮にそうでないとしても、そのようなコンタクト抵抗とすることは、当業者であれば容易想到であると認められる。以上のとおりであるから、本件訂正発明1は、甲4発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。本件訂正発明2について本件訂正発明2と甲4発明とを対比する。(ア)本件訂正発明2と甲4発明とは、上記ア(オ)で認定した一致点で一致し、相違点9及び相違点10で相違するとともに、さらに次の点において相違する。相違点11:「前記第1半導体層の裏面」について、本件訂正発明1は「窒素面」であるのに対し、甲4発明はそうであるのか不明である点。(イ)相違点9及び相違点10について上記ア(カ)及び(キ)と同様である。(ウ)相違点11についてGaN基板の窒素面に電極を設けることは技術常識であると認められる(甲9の【0013】?【0014】、甲34の【0052】?【0053】参照。したがって、甲4発明において、GaN基板の窒素面にn型電極を設けるようにして、相違点11の構成を得ることは当業者が適宜なし得たことにすぎない。(エ)小括したがって、本件訂正発明2は、甲4発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。本件訂正発明3について本件訂正発明3と甲4発明とを対比する。(ア)本件訂正発明3と甲4発明とは、上記ア(オ)で認定した一致点で一致し、相違点9及び相違点10で相違するとともに、さらに次の点において相違する。相違点12:本件訂正発明3は、「前記第3工程により、前記転位密度は、1×10^(6)cm^(-2)以下に低減される」のに対し、甲4発明はそうであるのか明らかでない点。(イ)相違点9及び相違点12について上記ア(カ)と同様の理由により、甲4発明において、技術常識や周知の事項に基づいて相違点9及び相違点12に係る本件訂正発明1の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことと認められる。(ウ)相違点10について上記ア(キ)と同様である。(エ)小括したがって、本件訂正発明3は、甲4発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。本件訂正発明5について本件訂正発明5と甲4発明とを対比する。(ア)甲4発明の「n型GaN基板」は、「MOCVD法で種基板上に・・・1050°Cの成長温度でSiをドーピングしながら1μmからなるn型GaN膜を作製後、・・・n型GaN厚膜を形成後、・・・n型GaN基板を作製」して得られたものであるから、甲4発明は、本件訂正発明5の「前記基板は、成長用基板に成長することを利用して形成されている」点を備えている。(イ)そうすると、本件訂正発明5と甲4発明とは、上記ア(オ)で認定した一致点に加えて、「前記基板は、成長用基板に成長することを利用して形成されている」点でも一致し、相違点9及び相違点10で相違する。(ウ)小括したがって、本件訂正発明5は、上記アと同様の理由で、甲4発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。本件訂正発明6について本件訂正発明6と甲4発明とを対比する。レーザ素子を形成したウエハーのGaN基板側を研磨機により研磨して」いるものであるから、本件訂正発明6の「前記第1工程によって前記第1半導体層の上面上に前記第2半導体層を形成した後に、前記第2工程によって前記第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工を行う」との構成を備えている。(イ)そうすると、本件訂正発明6と甲4発明とは、上記ア(オ)で認定した一致点に加えて、「前記第1工程によって前記第1半導体層の上面上に前記第2半導体層を形成した後に、前記第2工程によって前記第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工を行う」点でも一致し、相違点9及び相違点10で相違する。(ウ)小括したがって、本件訂正発明6は、上記アと同様の理由で、甲4発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。本件訂正発明7について本件訂正発明7と甲4発明とを対比する。(ア)本件訂正発明7と甲4発明とは、上記ア(オ)で認定した一致点で一致し、相違点9及び相違点10で相違するとともに、さらに次の点において相違する。相違点13:本件訂正発明7は、「前記第1半導体層及び前記第2半導体層を劈開することにより、共振器端面を形成する第5工程をさらに備える」のに対し、甲4発明は、「エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る」ものである点。(イ)相違点9及び10について上記ア(カ)及び(キ)と同様である。甲4発明の「ミラー端面」の方向は<11-20>方向であると認められるところ(甲4の【0205】には、図12(a)の第A2の割り溝614が、「リッジストライプ方向と垂直方向の<11-20>方向に沿って形成する。)、この方向はGaN基板のへき開方向であると認められる(甲4の【0006】・【0007】を参照。ここで、甲4発明は、「エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る」ものであるけれども、甲4の【0211】には、「本実施の形態(審決注:「実施の形態15」である。)以外の、レーザ素子のチップ分割は、実施の形態1から実施の形態10の何れかを用いればよい」との記載がある。すると、甲4には、甲4発明で用いられたレーザ素子をチップ分割する手法として、実施の形態1から実施の形態10のチップ分割の手法を用いてもよいことが示唆されていると認められる。位置よりも浅く形成されているものとなっている(【0074】)。甲4発明で用いられたレーザ素子は、実施の形態3の手法によりチップ分割すると、<11-20>方向がへき開方向であるのだから、へき開によって「ミラー端面」が得られることになると解される。以上によれば、甲4発明において、甲4の上記記載に基づき、相違点12の構成を得ることは、当業者が容易になし得たことであると認められる。上記aでは、甲4の【0211】の上記記載を示唆ととらえた上で、相違点12の容易想到性を説示した。この説示の結論は、上記記載を示唆ととらえるか否かによって左右されるものではない。実施の形態3は、甲4という同じ刊行物内に記載されているのであるから、そのことをもって、当業者は、甲4発明で用いられたレーザ素子において実施の形態3のようなチップ分割の手法を採用する動機付けがあるといえるのである。当該採用により、当業者が相違点12の構成に至ることは、上記aで説示したとおりである。加えて、以下の点からも、相違点12は格別とはいえない。共振器端面を形成する際に、基板及びその上に積層された半導体層を劈開して形成することが、本件優先日前における慣用技術であることは明らかである。すると、甲4発明は、「エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る」ものであるところ、ミラー端面をエッチングにより得ることに代えて、上記慣用技術を採用して相違点12の構成を至ることは当業者が容易になし得たことであると認められる。ここで、甲4発明における上記「エッチング」がチップ分割を歩留まり良く得るためのものと解される(【0211】)点が、相違点12の容易想到性の判断の結論に影響するか否かが問題となる。相違点12に係る構成が慣用技術にすぎないこと、本件訂正発明の中核的な技術思想の進歩性が否定されていること(上記ア(カ)f)、本件訂正発明7が相違点12の構成を採用することによる顕著な作用効果の存在が認められないことを踏まえ、総合的に考慮すれば、上記の点は、結論に影響しないというべきである。事項及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。本件訂正発明8について本件訂正発明8と甲4発明とを対比する。(ア)甲4発明は、「n型GaN厚膜を形成後、ウエハーをHVPE装置から取り出し、研磨機で前記種基板を剥ぎ取り、n型GaN基板を作製」するものであるから、本件訂正発明8の「前記第1半導体層は、HVPE法により形成される」との構成を備えている。(イ)そうすると、本件訂正発明8と甲4発明とは、上記ア(オ)で認定した一致点で一致し、相違点9及び相違点10で相違する。(ウ)小括したがって、本件訂正発明8は、上記アと同様の理由で、甲4発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。本件訂正発明9について本件訂正発明9と甲4発明とを対比する。(ア)甲4発明は、「MOCVD装置に、前記n型GaN基板をセットし、・・・コンタクト層を成長させることにより窒化物半導体レーザ素子を形成」するものであるから、本件訂正発明9の「前記第2半導体層は、MOCVD法により形成される」との構成を備えている。(イ)そうすると、本件訂正発明9と甲4発明とは、上記ア(オ)で認定した一致点で一致し、相違点9及び相違点10で相違する。(ウ)小括したがって、本件訂正発明9は、上記アと同様の理由で、甲4発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。本件訂正発明10について本件訂正発明10と甲4発明とを対比する。レーザ素子を形成したウエハーのGaN基板側を研磨機により研磨して、塩素ドーピングされたGaN基板の厚さを100μm」にするものであるから、本件訂正発明10の「前記第1半導体層は、前記第2工程により180μm以下の厚みになるまで厚み加工される」との構成を備えている。(イ)そうすると、本件訂正発明10と甲4発明とは、上記ア(オ)で認定した一致点で一致し、相違点9及び相違点10で相違する。(ウ)小括したがって、本件訂正発明10は、上記アと同様の理由で、甲4発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。以上のとおりであるから、本件訂正発明1?3,5?10は、甲4発明、甲4の記載、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって、無効理由5は、理由がある。製造方法が公知であったことを立証していない。したがって、請求人の主張する課題の公知性等が立証されているとしても、無効理由0で提示した各証拠から当業者がこれら工程を備えた製造方法を想到することが容易であったとはいえない。よって、本件訂正発明1が、当業者が周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。(イ)本件訂正発明1が、当業者が周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件訂正発明1の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明2?3,5?10が、当業者が周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。(ウ)したがって、請求人の主張する無効理由0及び証拠方法によっては、本件特許の請求項1?3,5?10に係る発明についての特許を無効とすることはできない。本件訂正発明1について(ア)無効理由1及び無効理由2は、共に甲2に記載された発明に基づく進歩性欠如を主張するものであり、甲2に記載された発明(甲2発明)は、上記2(1)イで認定したとおりである。製造方法」である点で一致する。」で一致し、次の点において相違する。甲2発明では、前記工程を備えない点。甲2発明では、前記第1半導体層と前記n側電極とのコンタクト抵抗が0.05Ωcm^(2)以下になっているか否か不明である点。動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であり、「前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去」する量が「0.5μm以上」であるのに対し、甲2発明では、そうであるのか不明である点。製造方法の発明を容易に想到し得るか否かを検討する必要がある。製造する動機付けがあるかどうかを検討する。いずれかからなる第1半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成するもの(本件特許明細書(甲1)の【請求項1】の「第1工程」を参照。)であり、実施形態ではn型GaN基板を用いる素子である(甲1の【0042】参照。)から、両者はn型GaN層を用いる点では一致する。第1半導体層(実施形態ではn型基板)の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成するものであり、実施形態では、上面上とはGa面上であり(甲1の【0043】参照。)、また、前記活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層とは、窒化物系半導体レーザ素子構造である(甲1の【0043】?【0045】参照。製造するためには、当該n型GaN試料のGa面上に形成したTi/Al電極を除去し、Ti/Al電極が除去されたGa面上に改めて第2半導体層(例えば窒化物系半導体レーザ素子構造)を形成することになるが、そもそも、甲2のn型GaN試料は、n型GaN基板へのTi/Al電極の電気特性に対する結晶極性の影響を検討することを目的としてGa面上とN面上の両方にTi/Al電極を形成したものであり、Ga面上のTi/Al電極を除去すれば前記目的を達成することができなくなることは明らかであるから、当業者がそのようなことをする動機付けはないといわざるを得ない。以上のことは、本件訂正発明1の上面上をN面上とした場合についても同様に当てはまる。42頁1行?15行参照。)、甲2には、自立GaNは、転位密度が低く熱伝導率が高く劈開が容易であることから、電子デバイス並びに光電子デバイスの基板として注目されており、GaN基板を使用するもう一つの利点として、裏面n電極のデバイスを作製でき、これにより、製造工程を簡単で確実なものにし、デバイスのサイズを小さくすることができ、量産収率が向上することがある旨が記載されており、また、活性層を含む素子構造は、通常、GaN基板のGa極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はGaNのN極性側に形成する必要がある旨も記載されていることから、甲2の当該記載に接した当業者が、その自立GaN基板を用いて、そのGa極性側に活性層を含む素子構造を成長させ、またGaNのN極性側に裏面オーミック電極を形成して、光電子デバイス(GaN系発光素子)を製造しようとする動機付けがあるという余地がまったくないともいえないので、念のためこの点を検討する。甲2発明でGa面とN面の両面に対して、結果的に代表的な転位密度が10^(7)cm^(-2)よりも低くなるまで機械研磨とドライエッチ処理を施しているのは、研究の目的であるn型GaN基板へのTi/Al電極の電気特性に対する結晶極性の影響の検討のために、結晶極性以外の両面のコンディションを厳密に揃える必要があるためであると理解することができる。上記bの場合でも、光電子デバイス(GaN系発光素子)の製造過程で自立GaN基板のN極性側に裏面オーミック電極を形成する際に、甲2発明で研究用n型GaN試料のN面上のTi/Al電極形成のために用いたプロセス(N面に機械研磨とドライエッチ処理を施し、結果的に代表的な転位密度が10^(7)cm^(-2)よりも低くなる)を忠実に踏襲しなければならない理由はない。代表的な転位密度を10^(7)cm^(-2)よりも低くする、すなわち、本件訂正発明1の第3工程に相当するプロセスを採用する動機付けはないといわざるを得ない。上記aないしcからみて、甲2発明を第1半導体層の上面上に活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成する工程を備えるものとなすこと、すなわち相違点1に係る本件訂正発明1の構成となすことは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。(ウ)本件訂正発明1についてのまとめ上記(イ)からみて、甲2発明において、当業者が相違点2及び相違点2の2に係る本件訂正発明1の構成となすことが容易想到であるか否かについては検討するまでもなく、本件訂正発明1は、当業者が甲2発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。本件訂正発明2ないし本件訂正発明10について上記アのとおり、本件訂正発明1が、当業者が甲2発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件訂正発明1の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明2?3,5?10が、当業者が甲2発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。小括したがって、請求人の主張する無効理由1及び無効理由2並びに証拠方法によっては、本件特許の請求項1?3,5?10に係る発明についての特許を無効とすることはできない。本件訂正発明1について本件訂正発明1と甲3第一発明とを対比する。製造方法」に相当する。いずれかからなる第1半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成する第1工程」を備えている点で一致する。製造方法」とは、少なくとも、「前記第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第2工程」及び「その後、前記第1半導体層の裏面上に、n側電極を形成する工程」を備えている点で一致する。」で一致し、次の点において相違する。甲3第一発明では、第3工程の後の工程ではなく、したがって、「転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に」n側電極を形成するものではない点。甲3第一発明では、0.05Ωcm^(2)以下とされるかどうかが明らかでない点(オ)相違点3及び相違点4について甲3第一発明においては、第1工程及び第2工程の後に研磨により発生した転位を含む第1半導体層の裏面近傍の領域を除去することなく当該裏面上にn側電極を形成しており、研磨により発生した転位を除去することは記載も示唆もないのであるから、本件特許に係る出願の優先日前に機械研磨によりGaN系材料の研磨面に転位が発生しそれにより電気的特性の悪化を招くことが周知であったとしても、甲3第一発明に接した当業者は、電極形成面において研磨により発生した転位は、わざわざこれを除去する必要があるほど電極形成面での電気的特性を悪化させるものではないので、甲3第一発明では研磨により発生した転位を含む第一半導体層の裏面近傍の領域を除去していないと理解するものと認められる。よって、甲3第一発明において、当業者が第1工程及び第2工程の後、研磨により発生した転位を含む第1半導体層の裏面近傍の領域を除去しようとする動機付けはないというべきである。したがって、甲3第一発明において、相違点3及び相違点4に係る本件訂正発明1の構成となすことが当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。以上によれば、甲3第一発明において、当業者が相違点5に係る本件訂正発明1の構成となすことが容易想到であるか否かについては検討するまでもなく、本件訂正発明1は、当業者が甲3第一発明及び甲各号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。(カ)本件訂正発明1についてのまとめ以上のとおり、本件訂正発明1は、当業者が甲3に記載された発明(甲3第一発明)及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。本件訂正発明2ないし10について本件訂正発明1が、当業者が甲3に記載された発明(甲3第一発明)及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件訂正発明1の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明2?3,5?10が、当業者が甲3第一発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。小括したがって、請求人の主張する無効理由3の1及び証拠方法によっては、本件特許の請求項1?3,5?10に係る発明についての特許を無効とすることはできない。本件訂正発明1について本件訂正発明1と甲3第二発明とを対比する。製造方法」に相当する。いずれかからなる第1半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第2半導体層を形成する第1工程」を備えている点で一致する。製造方法」とは、少なくとも、「前記第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第2工程」及び「その後、前記第1半導体層の裏面上に、n側電極を形成する工程」を備えている点で一致する。」で一致し、次の点において相違する。甲3第二発明では、第3工程の後の工程ではなく、したがって、「転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域が除去された第1半導体層の裏面上に」n側電極を形成するものではない点。相違点6、相違点7及び相違点8は、それぞれ、無効理由3の1における相違点3、相違点4及び相違点5と同じである。したがって、相違点6ないし相違点8についての検討結果は、無効理由3の1の相違点3及び相違点4についての検討結果(上記(4)ア(オ)参照。)とまったく同じとなる。上記bからみて、本件訂正発明1は、当業者が甲3第二発明及び甲各号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。(カ)本件訂正発明1についてのまとめ以上のとおり、本件訂正発明1は、当業者が甲3に記載された発明(甲3第二発明)及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。本件訂正発明2?3,5?10について本件訂正発明1が、当業者が甲3に記載された発明(甲3第二発明)及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件訂正発明1の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明2?3,5?10が、当業者が甲3第二発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。小括したがって、請求人の主張する無効理由3の2及び証拠方法によっては、本件特許の請求項1?3,5?10に係る発明についての特許を無効とすることはできない。本件訂正発明1について(ア)本件訂正発明1と甲3第一発明とを対比すると、上記(4)ア(エ)で述べたとおり、両者は、相違点3ないし相違点5の点で相違する。本件訂正発明1と甲3第二発明とを対比すると、上記(5)ア(エ)で述べたとおり、両者は、相違点6ないし相違点7の点で相違する。上記(5)ア(オ)aで述べたとおり、無効理由3の2における相違点6、相違点7及び相違点8は、それぞれ、無効理由3の1における相違点3、相違点4及び相違点5と同じである。(請求人)において甲3第一発明及び甲3第二発明に整理された。(請求人)において無効理由3の1とされた。)の相違点1は実質的には相違点ではない、と主張している。(ウ)しかしながら、甲3第一発明及び甲3第二発明における「常法」による「研磨」が甲37に示されるような研磨法であることについて、請求人はそう主張しているだけで、何の根拠も示していない。程度とする方法であるのかは不明であり、甲3第一発明又は甲3第二発明における「常法」による「研磨」が甲37における研磨と同じであるか否かも不明であるといわざるを得ない。(エ)上記(ウ)からみて、相違点1は実質的な相違点ではないとする請求人の主張は当を得たものとはいえないから、これを採用することはできず、したがって、本件訂正発明1は甲3に記載された発明(甲3第一発明又は甲3第二発明)との対比において実質的な相違点を有するのであるから、本件訂正発明1が甲3に記載された発明であるということはできない。本件訂正発明2?3,5?10について上記アのとおり、本件訂正発明1が甲3に記載された発明であるということはできないのであるから、本件訂正発明1の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明2?3,5?10が、甲3に記載された発明であるといえないことは当然である。小括したがって、請求人の主張する無効理由4及び証拠方法によっては、本件特許の請求項1?3,5?10に係る発明についての特許を無効とすることはできない。第2事件についてのまとめ本件特許の請求項1?3,5?10に係る発明についての特許に対する無効理由4は、理由がある。当該各発明についての特許に対する無効理由0?無効理由3の2は、理由がない。3でした認定のとおりである。甲2は、第2事件の甲3と同じである。そこで、当審は、上記第10の2(2)で認定した第2事件の甲3第一発明と甲3第二発明にそれぞれ同一となる、甲2の1発明と甲2の2発明を認定する。甲11は、第2事件の甲4と同じである。そこで、当審は、上記第10の2(3)で認定した第2事件の甲4発明と同一となる甲11発明を認定する。甲3の1甲3の2に記載された手法により算出したところ、n電極(裏面電極)のコンタクト抵抗が「0.05Ωcm^(2)」であったと仮定した場合、甲2に開示されている半導体レーザの発振閾値電圧は249Vであること等の報告が記載されている。甲3の2被請求人が、請求人のホームページに掲載されている仕様書記載の動作電流と動作電圧から、請求人の半導体レーザダイオード製品のn電極のコンタクト抵抗値を推定した結果、該コンタクト抵抗値は0.05Ωcm^(2)以下であったこと等が記載されている。窒素終端面上に電極を有すること、及び、種基板の(0001)面上に成長したGaNがGa終端面とN終端面を有すること(【0013】、【0014】、図23)、及び、GaN基板中の不純物濃度が1×10^(17)cm^(-3)を超えると接触比抵抗が1×10^(-5)Ω・cm^(2)以下となり、その後は不純物濃度の増加とともに接触比抵抗は下がっていくこと(【0053】、図10)等が記載されている。甲5サファイア基板側から所定位置まで研磨またはエッチングを行うことにより、サファイア基板、Al_(0.5)Ga_(0.5)バッファ層、第1GaN層、SiO_(2)膜、第2GaN層、第3GaN層の全部、および第4GaN層の一部を除去し、この除去により残った第4GaN層がn型のGaN基板1となり、このGaN基板の表面上にOMVPE法による結晶成長、エッチングによるリッジ形成、さらに埋め込み成長、および電極の蒸着を行うことにより半導体レーザを作製すること(【0034】?【0036】、図3)等が記載されている。甲6HVPE法で種基板(例えば、サファイア基板)上に厚膜のGaNを積層し、その後、研磨でサファイア基板を剥き取りn型GaN基板を作製し、n型GaN基板上に成膜させて窒化物半導体発光ダイオードを製造したこと(【0010】、【0011】、図1)等が記載されている。甲7HVPE法を使って得られたn型GaN基板の転位密度が10^(4)cm^(-2)以下であったこと(【0026】)等が記載されている。甲8HVPE法等を使って得られた高品質のGaN基板の転位密度が従来10^(5)?10^(7)cm^(-2)であったこと(【0005】)、さらに転位密度を低減させた成長方法を採用したところGaN半導体結晶層の転位密度が10^(2)cm^(-2)まで低下したこと(【0028】、【0029】)等が記載されている。甲9HVPE法を使って得られたGaN基板の表面及び裏面を研磨してエピタキシャル成長用の基板に加工し、断面TEM観察したところ、貫通転位密度は10^(4)cm^(-2)と見積もられたこと(【0043】)等が記載されている。甲10甲10は、第2事件の甲40と同じであるので、その認定のとおりである。甲12甲12は、第2事件の甲59と同じであるので、その認定のとおりである。甲15研磨加工の定義はあいまいで、明確な規定はなされていないというのが実情で、利用分野や時代により、また人により異なった捉え方がされている場合も多いこと(12頁14?18行)等が記載されている。甲16n-GaAs基板の裏面をエッチングにより研磨し、n-GaAs基板の厚さを100μm程度とて、n-GaAs基板の裏面に蒸着法によりn電極を形成すること(【0058】)等が記載されている。polishing:CMP)法を適用することに依り、基板の裏面を研磨して厚さを100μmにすること(【0041】)等が記載されている。甲18窒化物基板の裏面を所定角度θだけ傾斜させる方法としては、例えば、先ず基板裏面をC面に形成した後、ラッピング装置などを用いてC面に対して斜め方向に研磨を施す方法が採用可能であること(【0018】)等が記載されている。甲19第1GaN層を研磨して除去することにより、第1GaN層において、サファイア基板のC面から所定の方向(以下、オフ方向と呼ぶ)に所定の角度(以下、オフ角度と呼ぶ)Bだけ傾斜した面(以下、オフ面と呼ぶ)を露出させること(【0081】)等が記載されている。甲20甲20は、第2事件の甲27と同じであるので、その認定のとおりである。形成するには、ダメージ層の除去が必要となること(【0078】)、このダメージ層の除去として、エッチング深さ1μmまでエッチングしたこと(【0080】)等が記載されている。甲22研磨された状態のGaNウエハーは、研磨粒子の機械的作用により引き起こされる表面下のダメージを有し、そのダメージは、その後のIII族窒化膜のエピタキシャル成長において欠陥を引き起こすことがあるため、該ダメージを除去するために、化学機械研磨(CMP)、反応性イオンエッチ、電気機械エッチ、または光電子機械エッチを使用すること(30頁21行?31頁2行)等が記載されている。甲24HVPE法を使って得られたn型GaN基板の転位密度が10^(4)cm^(-2)以下であったこと(【0024】)等が記載されている。甲25HVPE法を使って得られたn型GaN基板の転位密度が10^(4)cm^(-2)以下であったこと(【0011】)等が記載されている。転位密度は10^(7)cm^(-2)以下であることが好ましいこと、貫通転位密度は透過型電子顕微鏡(TEM)により測定することができること(【0011】)等が記載されている。甲27表面転位密度が10^(8)cm^(-2)未満の窒化ガリウム系材料からなる下地層を用い、この上にクラッド層及び活性層を積層させた窒化物半導体素子(【0029】)等が記載されている。甲28の1半導体レーザのチップ幅を300μmとしたこと(【0014】)等が記載されている。甲28の2幅250μmの窒化物系半導体レーザ素子(【0036】、【0037】)等が記載されている。甲29甲29は、第2事件の甲18と同じであるので、その認定のとおりである。甲30甲30は、第2事件の甲24と同じであるので、その認定のとおりである。甲31W薄膜において、クラックの先端付近で密集した転位が存在していること(1268?1269頁「2.クラック近傍の転位」)等が記載されている。甲32NaCl結晶において、転位は、最初のき裂先端から発生しているものが多くみられること(36頁左欄15行?右欄14行)等が記載されている。甲33ATR用圧力管として使用されるZr-2.5Nb材平滑材において、刃状転位が集まってクラックを形成すること(9頁12行?16行中、特に13頁6?7行、65頁の図39)等が記載されている。甲34半導体レーザの作成方法において、ウエハ裏面にn側電極を付ける前にウエハを研磨し厚さ100μm程度にし、研磨後表面をエッチングできれいに整え、金の薄膜を真空蒸着で取り付けてn側電極プロセスを終了すること(115頁16行?21行)、劈開前にラッピングによって基板を削り、厚さを約100μmにし、ラッピング後の表面は非常にざらざらしていて表面状態が悪いので、全面を硫酸などのエッチング液で数μmさらにエッチングし、そのあとで裏面側の電極を蒸着すること(121頁10行?末行)等が記載されている。例示されているのはGaAs系である。甲36GaNウェハは、平滑なエピレディ表面を得るため、Ga面とN面の両方を機械研磨とドライエッチ処理したこと(3254頁右欄6?8行)、n型GaN基板のGa面上に形成されたTi/Al電極の接触抵抗値が2×10^(-5)Ωcm^(2)であること(3255頁右欄1?5行)等が記載されている。甲37擬似バルクGaN基板の上で作られたエッジ終端のショットキー整流器は、接触電極面積に関して、そして、整流器の配置に解して逆方向降伏電圧が強く依存することを示し、小直径(75μm)のショットキー電極に対して、3mΩcm^(2)のON状態抵抗(RON)で、縦配置で測られるVBは?700Vであること(1555頁上方の要約)等が記載されている。(4)本件併合通知後に提出されたその外の各甲号証(ただし、甲39,甲42、甲43,甲45を除く。甲40第2事件の甲47・甲56と同じである。甲41第2事件の甲8と同じである。甲44第2事件の甲63と同じである。対比・判断(1)無効理由2事案にかんがみ、無効理由2から判断する。無効理由2は、甲11に記載された発明に基づく進歩性欠如であるところ、これは、第2事件の無効理由4と同じである。したがって、当審は、無効理由2に対しても、第2事件の無効理由4についてした認定・判断をそのまま採用する。以上のとおりであるから、本件訂正発明1?3,5?10についての無効理由2は、理由がある。無効理由1は、甲2に記載された発明に基づく進歩性欠如であるところ、これは、第2事件の無効理由3の1、無効理由3の2及び無効理由4と同じである。したがって、当審は、後記イ及びウに付加するもののほか、無効理由1に対しても、第2事件の無効理由3の1、無効理由3の2及び無効理由4についてした認定・判断をそのまま採用する。請求人の主張について第2事件の無効理由3の1、無効理由3の2及び無効理由4では、甲3(第1事件における甲2である。)に記載された発明として甲3第一発明及び甲3第二発明を認定したが、以下においては、これらを総称して甲2発明という。(請求人)において、「研磨」という用語は多義的であるから、これが使用されている文脈でその意味内容を判断しなければならないところ、「甲2発明の『研磨』(甲2の【0215】)は、『機械研磨』と『除去』の2工程を含んでおり、『機械研磨』は、本件特許発明1の『第2工程』に該当し、『除去』は、本件特許発明1の『第3工程』に該当する。よって、本件特許発明1の構成C『前記第1工程及び前記第2工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×10^(9)cm^(-2)以下とする第3工程』は、甲2発明との関係において一致点となる。(請求人)4頁8行?9頁22行)と主張しているので、まず、これについて検討する。(請求人)4頁17行?6頁9行)。(ウ)しかし、甲2の【0196】、【0197】に、「高転位層がどのようにDHエピタキシャル層に影響し、さらにレーザ閾値に影響するかについては現状ではよく解らない。・・・(略)・・・GaN基板ウエーハに高転位層が存在した場合には、DH構造エピタキシャル成長や後のプロセスにおける高温加熱時に高転位層で転位が反応したり、高転位層でウエーハ面と水平に折れ曲がった刃状転位(審決注:【0111】でいう「A転位」)が再び、層厚に方向に折れ曲がってDH構造エピタキシャルに到達するためと考える。10ないし20個に1つの割合で閾値の大きなものがでる理由は図9からも予想されることであるがストライプ選択成長マスクの周期で転位密度の変化がGaN基板エピタキシャル層の高転位密度層を含む初期成長層には存在し、この周期変化に応じた特に高密度の領域から延びた転位群が電流狭窄用ストライプ活性層領域に到達した場合に生じると考えられる。従って、製造歩留まりや特性検査工数を考えた場合には高転位密度層を完全に除去したGaN基板を用意してDH構造エピタキシャル成長を行うことが好ましい。マスク、マスク近傍の高転位密度層までを全て取り除いたものが好ましい」と記載されていることに鑑みると、【0195】の「構造断面を調べてみた・・・結果、A群のウエーハではGaN基板ウエーハ全断面にわたって低転位層となっている・・・ことが解った」との記載は、A群のGaN基板ウエーハでは高転位密度層が完全に除去されていることが解ったとの意味に止まり、該記載を機械研磨によって発生した転位が存在しないことが解ったとの意味に解することはできない。A群ウエーハのGaN基板において機械研磨によって発生した転位が存在しないことを前提として、機械研磨によって発生した転位を除去する手段を甲2の「研磨」が含んでいるとする上記bの請求人の主張は、当該前提を誤っているから、これを採用することはできない。マスク及びGaN結晶膜の一部を研磨してn型GaN結晶膜を露出させ、露出したGaN結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるn型電極を形成」する工程を含むものであるが、当該工程中の「研磨」について、甲2の【0217】に「研磨を行わずにドライエッチングにより・・・除去して」と記載されていることから、当該「研磨」には、少なくとも、ドライエッチングは含まれていないと解される。GaN基板法の場合は「p型電極面で研磨用重しに貼り付け、GaN基板の裏面を研磨し、通常60μm?100μmの劈開可能な厚さに仕上げ、チタンとアルミニウムからなるn型電極を前記裏面に形成する」工程を含み、GaN結晶膜の「研磨」はサファイア基板を「研磨器にセット」して行われるものであり、GaN基板の裏面の「研磨」は、GaN基板を「研磨用重しに貼り付け」て行われるものである。してみると、甲2発明における「研磨」は、研磨器にセットして行い、かつ、ドライエッチングを含まないものであるか、又は、研磨用重しに貼り付けて行われるものであるから、技術常識から、このような「研磨」としては、機械研磨や化学機械研磨が考えられる。機械研磨や化学機械研磨が、本件特許発明1の「第1半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第2工程」及び「第1工程及び前記第2工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第1半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第1半導体層の裏面の転位密度を1×10^(9)cm^(-2)以下とする第3工程」に相当しないことは明らかである。(カ)さらに、請求人は、甲2の【0200】に「GaN基板の成長最上層を研磨して成長縞やうねりを取り除いてから、DH構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。ここでは、GaN基板の成長終了面を研磨して平滑化した表面を主面としてDH構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。このようにして作製されたGaN基板をウエーハに用いて作製されたストライプレーザの閾値はバラツキが小さく良好なレーザ特性が得られた」との記載があり、「研磨」して平滑化した表面を主面としてエピタキシャル成長を行ってDH構造を形成したところ、閾値のバラツキが小さく良好なレーザ特性が得られたのであるから、「研磨」のときに転位が取り除かれていることが明らかであり、したがって、少なくとも、【0200】の「研磨」には転位の「除去」工程が含まれると主張する(口頭審理における主張)。仮に、【0200】の「研磨」には転位の「除去」工程が含まれるとしても、だからといって、直ちに、【0189】の「p型電極面で研磨用重しに貼り付け」て行う「GaN基板の裏面」の「研磨」や【0215】の「サファイア基板を研磨器にセット」して行うGaN結晶膜の「研磨」にも転位の「除去」工程が含まれることにはならないから、上記アの結論には影響を与えない。(キ)以上のとおり、甲2発明が相違点1を備えるとの主張は採用できない。他の証拠について甲3の1、甲3の2、甲4?甲10、甲12、甲15?甲22、甲24?甲34、甲36、甲37の記載事項は、上記2(3)で認定したとおりである。無効理由1は、甲2発明を出発点とした容易想到性に係るものであるところ、第2事件の無効理由3の1において説示したとおり、甲2発明に接した当業者は、電極形成面において研磨により発生した転位は、わざわざこれを除去する必要があるほど電極形成面での電気的特性を悪化させるものではないので、甲2発明では研磨により発生した転位を含む第一半導体層の裏面近傍の領域を除去していないと理解するものと認められる。ある以上、甲2発明に接した当業者は、上記の各記載事項を踏まえたとしても、それを採用する動機付けを欠き、よって、甲2発明から出発して相違点1に係る構成に至ることはないというべきである。以上のとおりであるから、請求人の主張する無効理由1及び証拠方法によっては、本件特許の請求項1?3,5?10に係る発明についての特許を無効にすることができない。係る発明についての特許に対する無効理由1は、理由がない。むすび以上のとおりであるから、第1事件及び第2事件ともに、次のとおりとなる。本件特許の請求項1?3,5?10に係る発明についての特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものであり、同法第123条第1項第2号に該当するから、無効とされるべきである。本件特許の請求項4は、本件訂正により削除されたから、当該請求項について請求人がした無効審判請求は、これを却下する。審判に関する費用については、特許法第169条第2項の規定で準用する民事訴訟法第61条の規定により、その10分の1を請求人の負担とし、10分の9を被請求人の負担とする。よって、結論のとおり審決する。