same,8回目以降マスフローコントローラ14を容量の大きなコントローラに切り替えたためである。膜中に、ドープ原子の濃度勾配が形成されていることがわかる。膜の表面付近ではB原子のドープ濃度が最大であり、下地界面付近ではB原子のドープ濃度が最低である。膜の表面から下地の界面付近に向ってB原子の濃度が減少している。6ガスの供給量を時間と共に連続して変化させたならば、B原子のドープ濃度も連続的に変化することを意味している。6ガスの供給量とB原子のドープ濃度の関係をグラフにしたものである。6ガスの供給量とB原子のドープ量が正比例していることがわかる。proportional.【0077】この実施例では、膜の表面に近づくに従って、即ち薄膜作成の進行に従って、B原子のドープ濃度が増加するようにした。この反対に、膜の表面に近づくに従ってドープ濃度が減少するようにもできる。膜の中間部のドープ濃度を最大、または最小となるようにすることもできる。ドープ原子としてB原子を用いたが、リン(P)原子をドープ原子として、所望の濃度勾配でドープすることも可能である。gradient.【0078】このような方法によって、バイポーラトランジスタのベース部に不純物の濃度勾配を形成して、高速スイッチング動作が可能な高速バイポーラトランジスタ素子を作成することができる。operation.【0079】次に、基板の温度とB原子のドープ量の関係を調べた。sccmを表2に示すような時間で導入した。各回の基板の温度と導入時間は表2の通りである。2ガスの混合ガスを40秒間導入している。オングストロームとした。angstroms.【0081】作成された薄膜のSIMS分析の結果を図13に示した。18個/cc程度のB原子がドープされていることがわかった。したがって、B原子のドープ量は基板の温度には大きく依存しないといえる。以上、すべての実施例では、真空側露出壁の温度制御をするために、シュラウド3に水を循環させた。導入される反応ガスをトラップしない温度に制御できる流体であれば、他の流体でも良い。したがって、導入される反応ガスとシュラウドに循環させる流体の組合せは任意である。[0082]【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれば、供給した反応ガスの分子を真空容器の内壁において吸着することなく、散乱するようにしたので、供給したガスの利用効率を向上し、結晶の成長速度を増大できる効果がある。基板回転をしなくても、基板内における膜厚分布を均一にできる効果がある。薄膜成長の膜厚制御、並びに不純物原子のドーピング濃度の制御を精密に行うことができる効果がある。atom.【0084】この膜厚制御、およびドーピング濃度制御は、可能な限り薄くした膜中に、不純物原子のドーピング濃度勾配を形成したベース部を有するバイポーラトランジスタ素子の作製に応用できる。xの混晶比xに勾配をもたせることも容易である。したがって、この発明によって、高速スイッチング動作が可能な高速バイポーラトランジスタ素子を製造することができる。Torr以上の領域、すなわち粘性流領域であり、かつ気相反応も積極的に利用している。region,かつ基板表面のみでしか反応を起させないようにした本発明は、CVDによる薄膜作成技術と思想が異なるものである。phase解反応が起きるおそれがない。reactionなる効果がある。substrateエピタキシャル膜が得られる効果がある。cooling合よりも膜の生長速度が著しく大きくなる効果がある。DRAWINGS【図1】この発明の実施例の装置の概略構成図である。invention.【図2】同じく実施例における成長速度のガス供給流量依存性のグラフである。embodiment.【図3】同じく実施例における基板内の膜厚分布のグラフである。(b)は液体窒素シュラウドとした場合のものである。shroud.【図5】ジンランガスの分子構造モデルを示した図である。Jinrangasu.【図6】この発明の実施例で用いられた反応ガスの蒸気圧と温度の関係を示すグラフである。した時の圧力変化を示すグラフである。した時の圧力変化を示すグラフである。gas.【図9】シリコン結晶と、ゲルマニウム/シリコン混晶の超格子膜を作成した実施例の薄膜の写真である。alloy.【図10】シリコン結晶の成長中に、ジボランガスを含んだ水素ガスを、一定時間をおいて供給した実施例の膜のSIMS分析のスペクトルである。time.【図11】ジボランガスを含んだ水素ガスの供給量を変化させて、ボロン原子のドープ濃度を変化させた実施例の、膜のSIMS分析スペクトルである。membrane.【図12】ジボランを含んだ水素ガスの供給量と膜中のボロン原子の数の関係を示すグラフである。diborane.【図13】ボロン原子をドープする時の基板の温度を変化させた実施例の、膜のSIMS分析のスペクトルである。sub)に設定することを特徴とする薄膜作成方法。Torrた請求項1又は2記載の薄膜作成方法。ringの薄膜作成方法。