動画の再生障害のお知らせ:動画の一部が再生できない事象が発生しています。勝己ライター2020.01.23コピーしましたPR東芝デバイス&ストレージは、最新の製造プロセス技術を採用することでオン抵抗を削減した車載機器向けMOSFETを2製品発売した(ニュースリリース)。−40V耐圧のpチャネル型MOSFET「SSM6J808R」と、+100V耐圧のnチャネル型MOSFET「SSM6K819R」の2製品である。SSM6J808Rは、pチャネル型MOSFETの製造プロセス技術としては同社最新の「U-MOSVI」を採用。SSM6K819Rは、nチャネル型MOSFETの同社最新の製造プロセス技術である「U-MOSVIII-H」を使った。オン抵抗を削減した車載機器向け小型MOSFET。東芝デバイス&ストレージの写真2製品どちらも、「業界トップクラスの低オン抵抗を実現した」(同社)という。SSM6J808Rのオン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が−4.5Vのときに48mΩ(標準値)。SSM6K819Rは、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときに36.4mΩ(標準値)である。パッケージはどちらも、外形寸法が2.9mm×2.2mm×0.8mmのTSOP6F。8端子SOP封止品と比較すると実装面積を約70%削減できる。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠している。自動車に搭載するヘッドライトや方向指示器(ターンライト)、昼間点灯(デイタイム・ランニング・ライト)などの点灯制御用スイッチに向ける。SSM6J808Rの最大ドレイン電流はDC(直流)時に−7A、パルス時に−35A。ゲートの漏れ電流は±100μA(最大値)ゲート電荷量は24.2nC(標準値)。入力容量は1020pF(標準値)。出力容量は136pF(標準値)。帰還容量は169pF(標準値)である。SSM6K819R最大ドレイン電流はDC(直流)時に10A、パルス時に40A。ゲートの漏れ電流は±10μA(最大値)ゲート電荷量は8.5nC(標準値)。入力容量は1110pF(標準値)。出力容量は375pF(標準値)。帰還容量は55pF(標準値)である。2製品どちらも、価格は明らかにしていない。全体編』を発刊テスラの電気自動車を徹底調査。駆動ユニットから車載コンピューターまで構造や部品構成などが分かる。モデル3とモデルSの違いも比較分析。Specialエレキあらゆるプロセスで顧客ニーズに対応セキュリティも万全な新IoT向けマイコン毎月更新。世界で戦える工場マネージャー養成講座(全2回セット)国内外を問わず工場のマネジメントを担う管理者に求められるスキルを体系的に学べる講座です。激変する自動運転分野の最新技術と事業課題などについて、世界の最新情報をお伝えします。