これを先ほどのシュレーディンガー方程式に代入すると、となります。なることから、という制限が生じます。=一定の、等エネルギー面を表します。エネルギーで微分することによって得られる。ここで、先ほどの境界条件から波数ベクトルの値は、波数ベクトル空間で各成分が正の値をとる8分の1の領域に限定されます。点に対応する体積で割ると、となります。ここまでの計算では電子のスピンについて考慮されていません。電子のスピンを考慮すると状態数はこの2倍になります。半導体の等価な伝導帯下端の数を考慮すると、が得られます。以上により、半導体の状態密度が導かれました。コメントをキャンセルメールアドレスが公開されることはありません。計算方法-立方晶-結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は立方晶について説明します。半導体の製造現場ではウェハのシート抵抗測定が行われています。その目的とシート抵抗に関係するキャリア密度について数式を用いながら、まとめていきます。現在のスマートフォンや衛星通信を支える高周波デバイスには化合物半導体が広く用いられています。ここでは、各種半導体の高周波特性に関係のある物性についてまとめます。Unitとは?科学の世界では、特性を議論するときには数値だけでなくその単位が何なのかが重要になります。...【半導体物理】GaNのフェルミレベルピンニングフェルミレベルピニングという現象が半導体ではよく知られています。NHKラジオ講座メタ情報ログイン投稿フィードコメントフィードWordPress.orgサイトマップsciencompass今勉強していること、これまで勉強してきたことを発信してます。半導体物理や数学、英語などの記事を書いています。