sciencompassサイトマップsciencompass今勉強していること、これまで勉強してきたことを発信してます。半導体物理や数学、英語などの記事を書いています。現在のスマートフォンや衛星通信を支える高周波デバイスには化合物半導体が広く用いられています。元素半導体と化合物半導体の二種類があります。化合物半導体の代表的なものは、III-V族半導体と呼ばれるGaAsやGaNがあげられます。化合物半導体は結晶中の電子移動度および飽和速度が大きいといった特徴があります。GaNの高周波トランジスタが実用化されています。代表的なIII-V族化合物半導体の物性値について表にまとめます。JFOMの括弧内の数値はJFOMを二乗した値この表にまとめた物性値からわかる通り、GaAsの電子移動度はSiに比べて6倍近く大きく、InPでも4倍近く大きいです。この電子移動度の高さが高周波デバイスにとって魅力的な特徴であるため、GaAsを始めとする化合物半導体を使った高周波デバイスの開発が進められてきました。現在では、GaAsやInPに代わって、GaNを使った高周波デバイスの開発が進められています。GaNの電子移動度はGaAsやInPに劣っていますが、バンドギャップが大きいため、絶縁破壊電界が10倍近くも大きく、より高出力なデバイスを作成することができることがその理由の一つです。Merit)を示しています[3]。電子移動度および飽和速度が大きいことは高周波デバイスに魅力的だという話をしましたが、その理由についてごく簡単に説明します。これ以上周波数を上げると、利得が1以下になってしまう周波数のことを言います。大きければそれだけ高周波で利得が得られるデバイスになります。スタッツらの理論によると、次の式で表せます。小さくすることが必要である。大きくするのが有効です。このため、化合物半導体が高周波デバイスには広く使われるようになっていきました。Meritが高周波デバイスの指数として使われる理由を説明します[3]。JFOMは次のようにあらわされます。よって次のようにあらわされます。FETのゲート長になります。ようにあらわされます。破壊電圧の積で表されます。最大の出力が得られるのが破壊電圧をかけたときと考えれば、となり、JFOMが出力の目安として使用できることがわかります。増加するにしたがって、出力が下がることもわかります。コメントをキャンセルメールアドレスが公開されることはありません。計算方法-正方晶-結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は正方晶について説明します。算出フェルミ準位の算出や半導体中のキャリア密度の算出は半導体物理の基礎とされています。絶縁膜は電子デバイスの保護膜などに利用されています。絶縁膜はその名前から電気を流さない膜とされていますが、現実には電流が全く流れないわけではありません。ここでは、絶縁膜の伝導モデルについて紹介します。...GaNの光電気化学反応LEDやパワーデバイスに使われているGaNの光電気化学反応について紹介します。ここでは、光電気化学セルと光電気化学エッチングの2つを紹介します。半導体デバイスでは、電流を流すために金属電極を半導体表面に形成しています。半導体と金属を接触させると、ショットキー接触とオーミック接触という2種類のパターンに分かれます。NHKラジオ講座メタ情報ログイン投稿フィードコメントフィードWordPress.orgサイトマップsciencompass今勉強していること、これまで勉強してきたことを発信してます。半導体物理や数学、英語などの記事を書いています。