1980年代)|日本半導体歴史館トップへ|大容量DRAM技術の開発と量産化NECは1971年に4Kビット製品(μPD403)でDRAMのNMOS化(従来はPMOS)を図り、DRAMの高性能化に先行的役割を果たした。16KDRAMを契機にDRAM市場で本格的にそのポジションを確立し、高品質、高歩留まりを実現することで、1980年代初頭の64K以降、急速に世界市場のシェアを拡大した。pp28〜31「二交点セル方式」は挫折と努力の積層から生まれた結晶だった。