東京大学は2019年6月10日、極薄の金属酸化物半導体IGZOをチャネルとしたトランジスター型強誘電体メモリー(FeFET)の開発に成功したと発表した。強誘電体薄膜コンピューター能力を向上させる「ネガティブキャパシタ」の可能性アルゴンヌ国立研究所の研究チームが、フランスとロシアの研究者とともに、持続的に安定した「ネガティブキャパシタ」の可能性を明らかにした。シミュレーション計算によって、外から加えた電圧を増幅できる強誘電体ナノ粒子の可能性を示...詳細を見るツイートトップページに戻るおすすめ記事2020-2-19高精度で250m先までの三次元情報を取得可能なTOF方式距離画像センサーを開発――パナソニック2020-2-11マイクロプラスチックを分解し、オメガ3脂肪酸に変換する微生物を特定2020-2-13光学設計から鉄道設備管理まで。