600V的场效应晶体管(FET)。型号ZM070LTPX01-G。尽管Avogy声称是GaN器件供应商,但TechInsights却发现Zolt中采用了一个SiC功率FET,而且可能由Cree制造,包装却印上了Avogy的标记。SiC可用并有效。并标示了AV150-00028SiC器件的位置。该充电器宣称基于GaN技术。我们发现RP-PC104采用了两颗NavitasNV6115GaN功率IC。图2显示了RP-PC104主板,标示了NavitasNV6115的位置。图2TechInsights随后在MadeinMindMuOne45W充电器和AukeyPA-U5024WUSB充电器中也找到了Navitas器件。Navitas参考设计。3显示了RP-PC104中集成了GaNHEMT裸片的NV6115芯片。IPL60R185C7600VCoolMOS的位置,但标记被遮盖。(见表1)。其功率密度最高,为17.4W/in3。MOSFET技术。