3.3kW、6.6kW和三相11kWOBC方案。包括1200V、80mΩNVHL080N120SC1高性能SiCMOSFET、6ASiCMOSFET门极驱动器NCV51705和650V、30ASiC二极管FFSB3065B-F085,系统能效超过95%。735Vdc,输出电压200至450Vdc,输出电流0至40A,最高频率fs400kHz。MOSFETNVHL040N65S3F、NTPF082N65S3F,650V、30ASiC二极管FFSP3065A、PFC控制器FAN9673、LLC控制器FAN7688等。以及集成SiC二极管的混合IGBT方案AFGHL50T65SQDC。SiC和氮化镓(GaN)技术的供应商,针对车载充电应用,提供汽车级650VSiC二极管(涵盖6A到50A)、1200VSiC二极管(涵盖10A到40A)、1200VSiCMOSFET(涵盖20到80mΩ)。正温系数,易于并联,无反向恢复损耗,符合AEC-Q101和生产件批准程序(PPAP)。100%经无钳位感性负载(UIL)测试,符合AEC-Q101和生产件批准程序(PPAP)。现有的超级结MOSFET分立器件可提供KGD裸芯,并于2018年推出APM???。LED照明解决方案。(BOM、原理图、PCBGerber)。它还具有集成的N通道高压侧MOSFET。MOSFET的源位于引脚10上,标记为PH。PWM方法的无闪烁低LED电流调光。ZigBee和6LowPAN。(IIoT)。SBC(即ConnectCore®6ULSBCPro)来方便地使用。TrustFence功能。(OTPMK)。硅开关所占用的PCB面积不到其1/10。工作于EGSM900和GSM1800频段,重仅10g,在3.5~4.8V范围内均能正常T作。另有扩展指令20多条。1兆字节(Mbyte)的闪存和256千字节(Kbytes)的SRAM。则器件仅消耗315nA。(SPI)和两个I2C接口(图1)。1兆位/秒(Mbit/s)和2Mbits/s的数据速率。BLE堆栈和IEEE802.15.4PHY和MAC层在STM32WB上的专用ArmCortex-M0+CPU上运行。(SMPS),用于为RF电路供电。(图2,再次)。2.4千兆赫(GHz)天线。USB加密狗,它还带有一个STM32WB微控制器。Nucleo应用程序。セ骱臀淳谌ǖ奈痹?。STM32WB55RGV6。Si的带隙为1.1eV,而SiC的带隙为3.3eV,GaN则为3.4eV。并且通??山档拖低匙艹杀?。??橥ǔ2捎肐GBT类型,将SiIGBT与Si快速恢复二极管(FRD)相结合,是汽车逆变器??榈某S门渲?。SiMOSFET也存在问题,其“导通”电阻大于SiIGBT。200°C或更高。与Si二极管相比,SiC二极管的品质因数(FoM)(QcxVf)相当低。Si基器件,使用SiC器件的EV逆变器可以小5倍、轻3倍,功耗降低50%。(图片来源:ROHMSemiconductor)与IGBT相比,ROHMSemiconductor的SiC基MOSFET损耗明显降低了73%。该公司推出的MOSFET系列耐压高达1700V,导通电阻范围为45m?至1150m?,采用TO-247N、TO-3PFM、TO-268-L和TO-220封装。可耐压650V,电流范围为6至20A。均采用TO-247封装的IGBT。特斯拉与STMicroelectronics合作,将SiC功率??樽樽霸谀姹淦鞯纳(4)绕魃?。称为“车载充电器”(OBC)。(通常约为400V直流电)。提供电流隔离和AC/DC功率因数校正(PFC)(图3)。PFC级,或与N沟道IGBT并联构成图腾柱PFC。TO-247封装,导通电阻典型值为35m?。EV的AC/DCOBC、DC/DC转换器和DC/AC逆变器系统,进而实现AC/DC图腾柱无桥PFC设计。AEC-Q101压力测试。(如-1V至-20V)。可由许多标准MOSFET驱动器来驱动。具体取决于MOSFET开关的状态(见图1)。如评估板,作为指导。(使用LoRa®甚至可达数公里)。rduinoNano无线扩展板一些easySwitchBox套件附带ArduinoNano无线扩展板,可让你使用ArduinoNano轻松接收来自easySwitchBox的信号。RFM69非常适合室内使用(例如:RFM69CW可以轻松覆盖大型5层建筑)。该项目基于流行的RFM69/95无线电。pk10五码循环不死模式。