291-299学術誌PubMeddoi:10.1515/reveh-2017-0014RISフォーマットで参考文献をダウンロードこの研究は、電磁過敏症(EHS)の成人自訴患者10人について、通常の磁気共鳴画像撮影(MRI)および機能的MRI(fMRI)による脳スキャンを実施した。その結果、10人全員にfMRI脳スキャンで異常が認められた。著者らは、患者の多くには頭部傷害や神経毒性のある化学物質へのばく露の履歴があり、これらによって患者がEHSを発症しやすくなったかも知れない、と結論付けている。[訂正:電磁界への長期ばく露後の電磁過敏症の自訴患者における脳の機能的MRI]インプリントプライバシーポリーこのウェブサイトはクッキー(Cookies)を使って、最善のブラウジングエクスペリエンスを提供しています。あなたがこのウェブサイトを継続して使用することで、私たちがクッキーを使用することを許可することになります。