21084、請求項の数(12)〕について、次のとおり審決する。本願の発明は、特許すべきものとする。本願は、平成24年7月24日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。本願の請求項1ないし12に係る発明(以下、それぞれ「本願発明1」ないし「本願発明12」という。)は、平成29年9月11日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項1ないし12に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。3月23日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項1ないし22)に係る発明は、下記引用文献1ないし6に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない、というものである。)には、図面とともに、次の事項が記載されている。一般に半導体ウエハや液晶基板は、シリコンやガラスなどからなる基板にフォト・リソグラフィ・プロセスを行うことにより製造される。このフォト・リソグラフィ・プロセスにおいて、基板表面に塗布されたレジストに、膜ムラあるいは塵埃の付着などがあると、エッチング後のパターンの線幅不良やパターン内のピンホールなどの欠陥が生じる原因となる。そのため、エッチング前の基板の製造工程では、このような欠陥の有無を調べる全数検査が行われる。有する自動基板検査装置を用いることが提案されている。【0003】ここで、従来の基板検査装置には、基板を検査する顕微鏡をケース内に収容すると共に、ケース内にクリーンエアのダウンフローを形成することで基板に塵埃などのパーティクルが堆積しないように工夫したものがある(例えば、特許文献1参照)。この種の基板検査装置では、クリーンエアをケースの天井面に形成された孔から下向きに吹き出させ、ケースの底部に形成された孔からケース外に排出させる。基板検査装置には、ケース内を仕切って、基板の欠陥を調べる検出装置が収容される第1領域と、基板を水平移動させるステージが配置される第2領域とを区分けし、第2領域の圧力を第1領域より高くなるように制御したものもある(例えば、特許文献2参照)。第2領域では、誘導パネルによってクリーンエアの流れが基板と略平行になるように整流されている。第1領域と第2領域は観察用の小さい孔で連通されているが、第2領域は第1領域より圧力が高いので、検査装置側の第1領域でパーティクルが発生しても基板側の第2領域に進入することはない。【0004】しかしながら、基板に対して検出装置を相対的に移動させたい場合、特許文献1のような基板検査装置では、クリーンエアの流れが乱れてしまったり、流れが遮られてしまったりすることがあった。この場合、基板へのパーティクルの付着を防止することが難しくなる。特許文献2のような基板検査装置では、孔を小さくしないと第1領域と第2領域の間に圧力差をつくれないので、基板に対して検出装置を移動できる範囲が小さかった。この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、基板に対して検出ユニットを相対的に移動する構成において、検査位置近傍の清浄度を高く維持できるようにすることを主な目的とする。形成する清浄流体の気流の中に基板の検査を行う検査部が配置される基板検査装置において、前記検査部は、基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダに保持された基板に対して移動可能に取り付けられ、検査位置に運ばれてきた基板の表面像を取得可能に構成された検出ユニットとを有し、検査位置に向けて清浄流体を案内する可動式の層流形成装置が設けられていることを特徴とする基板検査装置とした。この基板検査装置では、検出ユニットの位置によって検査位置において清浄流体の気流が遮られ、又は乱されるときに、層流形成装置が気流を検査装置に向けて案内する。これによって、検査位置において層流が形成される。本発明によれば、検査位置の近傍に塵埃が浮遊などしている場合でも、層流形成装置によって検査位置に向かって層流が形成されることで、検査位置の清浄度を高く保つことができる。基板への塵埃等の付着が防止されるので、基板の検査を精度良く行えるようになる。本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。各実施の形態で同じ構成要素には同一の符号を付してある。重複する説明は省略する。図1及び図2に示すように、基板検査装置1は、床面に設置されるケース2を有し、ケース2内に設置された架台3に基板表面の画像を取得する検査部4が搭載されたマクロ検査装置である。この基板検査装置1は、ケース2の天井部2Aに設けられた清浄流体供給装置5から清浄空気を吹き出させてケース2内の清浄度をケース2外より高めるような、いわゆるミニエンバイロンメント構造になっている。ケース2外には、後述する各部の制御を行うための制御装置6を備える。制御装置6には、検査結果を表示するモニタや作業者の操作を受け付ける操作部が設けられている。5は、例えば、基板検査装置1の周囲に存在する外気を取り込んで天井部2Aに形成された複数の孔からケース2内に高清浄部内に噴き出すファンと、外気中の塵埃などを除去するフィルタとを有するフィルタファンユニットになっている。5から吹き出された清浄空気をケース2外に排出できる。このため、ケース2内には、清浄空気によるダウンフローが形成される。検査部4は、基板Wを載置する基板ホルダ11と、基板ホルダ11を1軸方向に搬送する搬送装置12を備え、搬送方向の一端から他端に至るまでの搬送経路中に可動式の検出ユニット13が配置されている。搬送装置12は、架台3上に固定されたステージベース21と、ステージベース21上に搭載され、1軸方向に往復移動可能なスキャンステージ22とを有する。ステージベース21は、搬送方向である1軸方向に延設されており、その上面にガイドレール23が敷設されている。スキャンステージ22は、このガイドレール23に沿って移動可能に取り付けられている。スキャンステージ22を駆動させる機構としては、例えば、ボールネジ機構や、リニアモータなどがあげられる。基板ホルダ11は、鉛直方向に延びる支柱25がスキャンステージ22に回転自在に支持されており、支柱25の上端にホルダ本体26が固定されている。基板ホルダ11は回転ステージになっている。ホルダ本体26は、基板Wの外径より小さい径の円板形を有し、上面に基板を吸着するために使用される不図示の吸着部が多数配設されている。支柱25は、スキャンステージ22に内蔵させたモータで回転駆動させることができる。【0012】ここで、基板Wを搬送するときの搬送方向の一端側は、不図示のロボットアームなどの基板搬送手段との間で基板Wの受け渡しを行う基板受け渡し位置P1になっている。基板受け渡し位置P1には、基板ホルダ11との間で基板Wを移載するためのリフター31が設置されている。図1から図3に示すように、リフター31は、基板ホルダ11を避けるように開口が形成されたリフターベース32をモータ33で鉛直方向に昇降可能に支持すると共に、ガイド34が4つ固定された構成を有する。各ガイド34は、基板Wの周縁部の下側を支持する支持部35,36が上下に2つずつ形成されている。各ガイド34の上側の第1支持部35同士と、下側の第2支持部36同士のそれぞれは、基板Wを1枚ずつ支持することができる。各支持部35,36は、基板Wの位置ずれを防ぐために中央に向かって下がるように傾斜させたり、基板Wの外径の略併せて段差を設けたりしてある。基板受け渡し位置P1には、基板Wのアライメント装置として、ノッチセンサ38が設けられている。ノッチセンサ38は、基板Wに設けられたノッチを光学的に検出する装置である。ノッチセンサ38は、この基板検査装置1に必須の構成要素ではない。ノッチセンサ38の代わりに、基板Wのアライメントに使用可能な他のセンサを設けても良い。検出ユニット13は、一対の支持部41にアーム42を介して揺動自在に支持されている。一対の支持部41は、搬送経路を挟むようにステージベース21に固定されており、鉛直方向に平行に延びている。各支持部41の上端部には、回転軸が揺動自在に支持されており、この回動軸にアーム42が取り付けられている。アーム42は、回動軸が取り付けられた一端部から細長に延び、他端部に検出ユニット13が固定されている。支持部41には、回動軸を駆動させるための揺動部43が取り付けられている。揺動部43には、例えば、回動軸に減速機を介して接続されるモータが内蔵されている。このため、揺動部43を駆動させると、検出ユニット13を回動軸を中心に揺動させることができる。回動軸の軸線、つまり検出ユニット13の揺動中心は、後述する基板Wの検査位置P2に一致させてある。図3に示すように、検出ユニット13は、回折用光学系51と、受光光学系52とを備える。回折用光学系51は、回折用照明53を有する。回折用照明53としては、例えば、ハロゲンランプやメタルハライドランプなどを1つ又は複数個並べてもよいし、その光を光ファイバなどにより伝送する構成も採用できる。回折用照明53から放射される照明光の光路上には、シリンドリカルレンズ54と折り返しミラー55が順番に設置されている。シリンドリカルレンズ54は、基板Wの搬送方向と直交する方向に所定幅の帯状となる均一な照明光を形成する光学素子である。折り返しミラー55は、光路を90°折り曲げるように傾斜配置されており、折り曲げられた光路上には、ハーフミラー56と、フォーカスレンズ57とが配設されており、検査位置P2にある基板Wの表面に照明光を照射可能になっている。ハーフミラー56は、平行平面板、プリズムなどのその他の光分岐手段でも良い。フォーカスレンズ57は、不図示のモータによって図3に矢印で示すように光路方向に移動可能になっている。ラインセンサカメラ61を光軸方向に前後させる構成にしても良い。受光光学系52は、回折用光学系51と共用するフォーカスレンズ57及びハーフミラー56を有する。ハーフミラー56は、光路に対して45°傾斜させてあり、フォーカスレンズ57を通ってハーフミラー56に入射する光の一部を90°折り返して反射するようになっている。折り返された光路上には、偏光板58と、フィルタ59と、レンズ60と、撮像装置であるラインセンサカメラ61が順番に配置されている。ラインセンサカメラ61は、複数の撮像素子がレンズ60の焦点位置で、かつ基板Wの搬送方向と直交する方向に配列されている。フィルタ59は、観察のために不要な波長成分を制限するための設けられており、例えば、複数のフィルタ59を光路内に適宜切り替えて配置するターレットに保持されている。ターレットを不図示のモータで回転させると光路上に配置されるフィルタ59を切り替えることができる。このため、正反射観察用のライン照明62と、暗視野用の照明63とが一対の支持部41(図1参照)に支持されている。図2に示すように、検査位置P2の周辺の風圧や風量を検出するセンサ64が設けられている。センサ64は、パーティクルカウンタ用の集塵のノズルであっても良い。センサ64で検査位置近傍のクリーンエアの圧力状態や、塵埃などのパーティクルの発生状態をモニタリングすることで検査位置P2の清浄度を知ることができる。これらセンサ64及び照明62,63は、基板Wの搬送時及び検出ユニット13の揺動時に干渉しない位置に配置されている。【0017】ここで、ケース2内の高清浄領域には、層流形成装置71,72が設置されている。第1の層流形成装置71は、基板Wの搬送方向において、検査位置P2より一端側(つまり基板受け渡し位置P1側)に配置されている。第2の層流形成装置72は、基板Wの搬送方向において、検査位置P2より他端側に配置されている。これら層流形成装置71,72は、搬送方向で検査位置P2を挟んで略対称な位置に配置されている。層流形成装置71,72の配置は対称に限定されない。各層流形成装置71,72は、架台3に固定された一対のフレーム73に回動自在に支持された回動軸74と、回動軸74に固定された羽板(第1、第2の板状部材)75とを有する。羽板75は、搬送方向に直交する方向の幅が、スキャンステージ22の幅及び基板Wの幅よりも十分に大きく、回動軸74から延びる羽板75の長さは、回動軸74を基点に鉛直上向きに立たせたときでも天井部2A及び清浄流体供給装置5に当たらず、かつ回動軸74を基点に鉛直下向きに下げたときでも基板Wに干渉しない長さである。各層流形成装置71,72の羽板75の向きは、フレーム73に固定されたモータ76で制御できる。モータ76は、層流形成装置71,72ごとに設けられており、各層流形成装置71,72の羽板75の向きを独立して制御可能になっている。フレーム73を用いずに羽板75をケース2に回動自在に支持させても良い。次に、この基板検査装置1の動作について説明する。基板検査を実施する前に予め清浄流体供給装置5を作動させておく。ケース2内にパーティクルが浮遊していた場合には、清浄空気のダウンフローによってパーティクルがケース2の底部2Bからケース2外に排出され、ケース2内の清浄度が高められる。初期状態では、図1に示すように、検出ユニット13を略水平に配置しておく。このとき、第1の層流形成装置71の第1の板状部材である羽板75は、下向きで、鉛直方向から支持部41、つまり検査位置P2に向けて傾斜させられる。これによって、第1の層流形成装置71の近傍を流れる清浄空気は、第1の層流形成装置71の羽板75にガイドされて、検査位置P2に向かって流れる。検査ユニット13の存在によってフローが滞りがちな検査位置P2に清浄空気のフローが形成される。この領域にパーティクルが浮遊していた場合には、このフローによって排出されるので、清浄度が高く保たれる。第2の層流形成装置72の第2の板状部材である羽板75は、略鉛直上向きになっており、ダウンフローに影響をほとんど与えていない。センサ64で検査位置P2付近の清浄度を測定し、予め設定されている清浄度に達していたら、制御装置6が基板Wの搬入を許可する。基板Wは、不図示の基板搬送手段で基板受け渡し位置P1に搬入される。基板検査装置1は、制御装置6の指令によって予め基板ホルダ11を基板受け渡し位置P1に待機させてある。基板Wが搬入される前に、リフター31をモータ駆動よって上昇させ、第1支持部35をホルダ本体26より上方で、かつ基板搬送手段の挿入位置の下方まで移動させる。リフター31を移動させたら、基板Wを位置決めして保持した基板搬送手段を基板ホルダ11の上方まで移動させる。基板搬送手段における基板Wの保持を解除させてから、基板搬送手段を下降させて第一支持部35に基板Wを載置させる。基板Wを載置させて、さらに所定量の隙間ができたところで基板搬送手段の下降を止め、後退動作に移る。第1支持部35がホルダ本体26の高さを越えて下降すると、基板Wが第1支持部35から基板ホルダ11に受け渡される。ホルダ本体26の吸着部で基板Wを吸着すると、基板Wの移載が完了する。基板ホルダWを図3の矢印に示すように支柱25回りに回転させ、基板Wのノッチをノッチセンサ38に合わせる。【0022】このようにして基板Wを位置決めして保持したら、スキャンステージ22を駆動させ、基板Wを搬送し、検査位置P2で基板Wの外観検査を実施する。3つの検査モードが選択可能になる。各モードの選択は、制御装置6に予め設定された順番や組み合わせで実施される。制御装置6に設けた操作部で選択可能にしても良い。正反射光モードでは、図3に示すように、検出ユニット13を傾斜させ、正反射用のライン照明62の照明光が検査位置P2にある基板Wに入射する角度と等しい反射角度に受光光学系52の光軸が一致するように設定される。回折光モードでは、検出ユニット13内の回折用照明53を使用する。何次の回折光により検査するかに応じて、検出ユニット13の傾斜角度を変更し、その回折光が最適に検出できるようにする。暗視野モードの場合は、暗視野用の照明63を使用する。回折光を自動検出する工程と同様にして、正反射光も回折光も検出しない角度を自動検出して検出ユニット13の角度を設定する。これら検査モードに応じて照明角度および照明位置調整が終了すると、使用する照明53,62,63の光量調整が自動的に行われ、検査が開始される。正反射光モードが選択されたときは、図4に示すように検出ユニット13が基板Wの上方に被さるように傾斜させられる。このとき、第1の層流形成装置71は、羽板75が回動して略鉛直上向きの位置に配置され、ダウンフローに影響をほとんど与えていないようになる。第2の層流形成装置72は、羽板75が下向きで、鉛直方向から支持部41、つまり検査位置P2に向けて傾斜させられる。これによって、第2の層流形成装置72の近傍を流れる清浄空気は、第2の層流形成装置72の羽板75にガイドされて、検査位置P2に向かって流れる。検査ユニット13の存在によってフローが滞りがちな検査位置P2に清浄空気のフローが形成され、これの領域の清浄度が高く保たれる。検査位置の清浄度は、センサ64でモニタされる。設定されている清浄度に相当する圧力や風量、パーティクル数に達しているか制御装置6が判定する。所定時間経過しても予定の清浄度に到達しないときはエラー通知を行って検査を停止させる。予定の清浄度を満たしていたら、検査の開始が許可される。【0024】このようにして第2の層流形成装置72で清浄度が確保されたら、検査が開始される。正反射用のライン照明62から出射されたライン状の照明光は、検査位置P2にある基板Wの表面で反射し、その反射光が検出ユニット13に導入され、フォーカスレンズ57を通ってハーフミラー56に入射する。ハーフミラー56で折り返された反射光は、偏光板58、フィルタ59を通ってからレンズ60で集光され、ラインセンサカメラ61の撮像素子に入射する。制御装置6は、ラインセンサカメラ61から出力される信号を処理して、基板表面の画像を作成する。画像は、搬送方向に直交するライン状の画像になる。このような画像をスキャンステージ22を移動させながら取得することで、基板1枚分の表面画像が得られる。得られた画像を使って、検査者が目視で欠陥の有無を確認したり、予め作成してある正常な表面画像とのパターンマッチングを行って自動的に欠陥を抽出したりする。【0025】また、回折光モードや暗視野モードを選択したときは、制御装置6が検出ユニット13の傾斜角度を適宜変化させ、いずれかの照明53,62,63の光を検査位置P2に照射させ、ラインセンサカメラ61で受光した光から基板Wの表面画像を作成する。この画像を使って前記と同様に欠陥が抽出される。回折光モードでは、検出ユニット13内の回折用照明53から出射した光がシリンドリカルレンズ54で帯状の照明光に整形される。折り返しミラー55で折り返され、ハーフミラー56を透過し、フォーカスレンズ57で集光されつつ、検査位置P2にある基板Wの表面に照射される。検査位置P2における回折光が受光光学系52からラインセンサカメラ61に入射する。【0026】このようにして基板表面のマクロ検査をしているとき、特に回折光モードや暗視野モードでマクロ検査を実施しているときに、図1に示すように、検出ユニット13が略水平な姿勢まで移動することがある。このとき、制御装置6が検出ユニット13に干渉しないように第2の層流形成装置72を回動させる指令を出力すると共に、第1の層流形成装置71の羽板75を検査位置P2に向けるように回動させる指令を出力する。前記したように第1の層流形成装置71に案内されたクリーンエアで検査位置の清浄度が保持される。第1、第2の層流形成装置71,72の位置は、検出ユニット13の傾斜角度に応じて、一方の層流形成装置71,72の羽板75がクリーンエアを検査位置に案内する向きに配置され、他方の層流形成装置71,72の羽板75が鉛直上向きに退避するようになっている。どちらの層流形成装置71,72で検査位置にクリーンエアを案内するかは、検出ユニット13の傾斜角度に対応付けて予め制御装置6に登録されている。制御装置6は、揺動部43のモータの回転量から検出ユニット13の傾斜角度を検出し、傾斜角度が予め登録されている切り替え角度を超えたら、2つの層流形成装置71,72のモータ76に指令信号を出力する。切り替え角度としては、例えば、検出ユニット13が図1に示す水平姿勢(=0°)から20°に傾斜するまでの間で、2つの層流形成装置71,72で検査位置P2に効率よく送気ができるような角度が予め選択される。【0028】なお、クリーンエアを検査位置P2に案内するときの層流形成装置71,72の羽板75の角度は、検査位置P2を通る鉛直方向(ダウンフローに略平行な方向)の仮想線と層流形成装置71,72の羽板75のなす角度が0°より大きく45°以下であることが好ましい。この角度が大きくなりすぎると、クリーンエアの流れを変化させる角度が大きくなりすぎて乱流が発生したり、かえってクリーンエアが供給され難い場所が発生したりするためである。図5に示すように、基板Wの本体側の端部まで検査位置P2に移動させ、必要な領域の表面画像を取得したら、検査済みの基板Wを基板受け渡し位置P1に戻し、次に検査する基板に交換する。基板Wの検査を行っている間に、リフター31の第1支持部35には次に検査を行う新しい基板W1を搭載させておく。検査済みの基板Wは、第1、第2支持部35,36の間に挿入される。基板ホルダ11の吸着保持を解除してからリフター31をさらに上昇させると、第2支持部36の高さが基板ホルダ11を越えたときに基板Wが基板ホルダ11から第2支持部36に受け渡される。このようにして第2支持部36に受け渡された検査済みの基板Wの下方に、基板搬出手段を挿入し、第2支持部36から基板搬出手段に検査済みの基板Wを受け渡す。基板搬出手段が検査済みの基板Wを搬出したら、リフター31を下げる。先に第1支持部35に保持させておいた新しい基板W1も下がって、第2支持部36から基板ホルダ11に基板W1が受け渡される。この基板W1についても前記と同様にしてマクロ検査を行う。以降は、マクロ検査が必要な基板がなくなるまで、この動作を繰り返す。【0030】この実施の形態は、搬送方向に検査位置P2(又は検出ユニット13)を挟むように一対の層流形成装置71,72を設け、検出ユニット13の位置に応じていずれか一方の層流形成装置71,72の羽板75を所定の傾斜角度に配置し、クリーンエアを検査位置P2近傍に案内するようにした。検出ユニット13の存在によって検査位置P2にクリーンエアが流れ難くなる場合でも、検査位置P2でクリーンエアの層流を形成することが可能になり、検査中の基板Wにパーティクル等が付着することを防止できる。その結果、基板Wのマクロ検査を精度良く行えるようになる。)が記載されていると認められる。検査位置に向けて前記清浄空気を案内する層流形成装置71、72と、を有する基板検査装置1。)には、図面とともに、次の事項が記載されている。半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して処理液や処理ガスを用いた処理が行われる。基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、処理チャンバ内に、筒状のカップと、カップ内に配置され基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給する処理液ノズルとが収容されている。基板に対する処理液処理時には、基板およびスピンチャックの回転によって、スピンチャック周辺に上昇気流が生じるおそれがある。処理液処理時に、その上昇気流によって処理液のミストが舞い上がり、処理液のミストが処理チャンバ内に拡散すると、処理チャンバの内壁や処理チャンバ内の部材が処理液のミストによって汚染される。これが処理室内で乾燥すると、パーティクルとなって雰囲気中に浮遊し、以後に処理される基板を汚染するおそれがある。そこで、処理チャンバの天面の中央部にFFU(ファンフィルタユニット)を設け、このFFUの給気口から、下方に向けてクリーンエアを供給するとともに、カップ底面に形成された排気口からの排気を行い、カップ内に下降気流を形成している。それとともに、カップ外の処理チャンバ内空間での処理液ミスト等の舞い上がりを抑制するために、処理チャンバの底面に形成された排気口から処理チャンバ内雰囲気を排気することにより、排気口へと向かう下降気流を形成して、処理チャンバ内の雰囲気の置換を促進する構成が採用される。処理チャンバ内には、たとえば、スピンチャックに保持される基板の表面(上面)に対向して、その基板の表面上の空間をその周囲から遮断するための遮断板が収容されている。遮断板は円板状に形成されており、スピンチャックの上方に配置されている。【0005】ところが、FFUの給気口が遮断板の上方に形成されていると、遮断板がクリーンエアの流れを阻害して、処理チャンバ内の気流に乱れが生じ、たとえば、処理チャンバ内で雰囲気の対流が生じる。スピンチャックの回転中には、前述の上昇気流のために、処理チャンバ内の気流が乱される傾向にある。これらが主要因となって、カップ外の処理チャンバ内空間における安定した下降気流の形成は、必ずしも容易ではない。処理チャンバ内の気流を安定化して、その内部雰囲気の置換を促進するためには、処理チャンバの底部の排気口からの排気に大きな排気能力が必要とされる。基板処理装置が設置される工場において準備可能な排気用力による制限のために、気流安定化のために必要な排気能力の確保が困難な場合もある。そこで、この発明の目的は、排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供することである。以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を概念的に示す断面図である。基板処理装置1は、クリーンルーム内に設置され、処理液を用いて、基板の一例である半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)から汚染物質を除去するための洗浄処理を実行するための装置である。処理液としては、薬液やDIW(脱イオン化された水)を用いることができる。HF:フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液)、アンモニア水およびポリマ除去液などを例示することができる。【0022】この基板処理装置1は、側壁2により区画されたほぼ直方体状の処理チャンバ3内に、ウエハWをほぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線CまわりにウエハWを回転させる基板回転手段としてのスピンチャック4と、このスピンチャック4を収容するカップ5と、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面(上面)に向けて、薬液を供給するための薬液ノズル6と、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面にDIWを供給するためのDIWノズル7とを備えている。【0023】スピンチャック4は、モータ8と、このモータ8の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース9と、スピンベース9の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハWをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材10とを備えている。これにより、スピンチャック4は、複数個の挟持部材10によってウエハWを挟持した状態で、モータ8の回転駆動力によってスピンベース9を回転させることにより、そのウエハWを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース9とともに回転軸線Cまわりに回転させることができる。スピンチャック4は、図2Aおよび図2Bに示すように、平面視で、処理チャンバ3の中央部に配置されている。【0024】なお、スピンチャック4としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハWの裏面を真空吸着することにより、ウエハWを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。薬液ノズル6は、たとえば連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口を下方に向けた状態で、スピンチャック4の上方でほぼ水平に延びるアーム11の先端に取り付けられている。このアーム11の基端部は、カップ5の側方においてほぼ鉛直に延びたアーム支持軸12の上端部に支持されている。アーム支持軸12には、ノズル駆動機構13が結合されており、このノズル駆動機構13の駆動力によって、アーム支持軸12を回動させて、スピンチャック4の上方でアーム11を揺動させることができるようになっている。薬液ノズル6には、薬液供給源からの薬液が供給される薬液供給管14が接続されている。薬液供給管14の途中部には、薬液ノズル6からの薬液の吐出/吐出停止を切り換えるための薬液バルブ15が介装されている。DIWノズル7は、たとえば、連続流の状態でDIWを吐出するストレートノズルであり、スピンチャック4の上方で、その吐出口をウエハWの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。このDIWノズル7には、DIW供給源からのDIWが供給されるDIW供給管16が接続されている。DIW供給管16の途中部には、DIWノズル7からのDIWの吐出/吐出停止を切り換えるためのDIWバルブ17が介装されている。【0026】スピンチャック4の上方には、ウエハWとほぼ同じ径を有する円板状の遮断板(対向部材)20が設けられている。遮断板20の下面には、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面(上面)と対向する水平面からなる基板対向面21が形成されている。遮断板20の上面には、スピンチャック4の回転軸線Cと共通の軸線に沿う回転軸23が固定されている。この回転軸23は中空に形成されていて、その内部には、ウエハWの表面の中心部に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス流通路(不活性ガス供給手段)24が形成されている。窒素ガス流通路24は、基板対向面21に開口する窒素ガス吐出口(不活性ガス供給手段)25を有している。この窒素ガス流通路24には、窒素ガスバルブ(不活性ガス供給手段)27を介して窒素ガスが供給されるようになっている。回転軸23は、ほぼ水平に延びて設けられたアーム28の先端付近に取り付けられている。29が結合されている。29により、遮断板20を、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面に近接する近接位置(図1に二点鎖線で示す位置)と、スピンチャック4の上方に離間する離間位置(図1に実線で示す位置)との間で昇降させることができるようになっている。30が結合されている。【0028】カップ5は、ウエハWの処理に用いられた後の薬液およびDIWを処理するためのものであり、有底円筒容器状に形成されている。カップ5は、その底面から立ち上る円筒部31と、円筒部31の上端から、スピンチャック4によるウエハWの回転軸線Cに向けて傾斜する傾斜部32とを備えている。カップ5の上面には、円筒部31の先端により区画されて、ウエハWが通過するための開口33が形成されている。円筒部31と傾斜部32とによって、スピンチャック4の周囲が包囲されて、ウエハWの周縁から飛散した処理液を受けとめることができるようになっている。図2Aは、図1の切断面線C-Cから見た概念的な断面図である。図2Bは、図1の切断面線D-Dから見た概念的な断面図である。処理チャンバ3の側壁2は、カップ5の外壁を包囲するそれぞれ平面状の第1内側面61、第2内側面62、第3内側面63および平面状の第4内側面64を備えている。第1?第4内側面61,62,63,64は、平面視で正方形状となるように組み合わされている。互いに隣り合う第1内側面61と第2内側面62との間には、処理カップ5の外壁に対向して、外方に凹む水平断面を有する第1凹湾曲面66が形成されている。互いに隣り合う第2内側面62と第3内側面63との間には、処理カップ5の外壁に対向して、外方に凹む水平断面を有する第2凹湾曲面67が形成されている。互いに隣り合う第3内側面63と第4内側面64との間には、処理カップ5の外壁に対向して、外方に凹む水平断面を有する第3凹湾曲面68が形成されている。互いに隣り合う第4内側面64と第1内側面61との間には、処理カップ5の外壁に対向して、外方に凹む水平断面を有する第4凹湾曲面69が形成されている。第1?第4凹湾曲面66?69は、たとえば、水平断面がそれぞれ円弧形状(図2A,図2Bの例では4分の1円弧形状)を有している。この円弧形状の曲率半径は、高さ方向に関して一様であってもよく、この場合には、第1および第4凹湾曲面66?69は円筒面(部分円筒面)をなすことになる。前記円弧形状の曲率半径は、下側ほど小さくなっていてもよく、この場合には、第1および第4凹湾曲面66?69は倒立円錐面(部分円錐面)をなすことになる。各凹湾曲面66?69は、図2Aおよび図2Bで示す回転軸線Cよりも外側にある鉛直軸を中心軸とする部分円筒面または部分円錐面をなすように形成されていてもよい。第1および第4凹湾曲面66?69が、たとえば、回転軸線Cを共通の中心軸とする部分円筒面または部分円錐面をなすように形成されていてもよい。以下、図1、図2Aおよび図2Bを参照しつつ説明する。処理チャンバ3の天面付近の側壁2には、処理チャンバ3内にクリーンエアを供給するための給気部としての一対の給気ユニット41,42(図1では給気ユニット41のみ図示)が配置されている。