thyristor)とは、高周波特性を改善した電力用半導体素子である。thyristorの頭文字からIGCTサイリスタとも呼ばれる。三菱電機が1995年に世界に先駆けて開発したもので[1]、GTOサイリスタのゲートを中心に改良したものである。スナバ回路が不要となって低損失化を実現したほか、インダクタンスの低減によりスイッチング周波数が10倍となった。サイリスタとゲートドライブとのインダクタンスは1/100ほどまで低減されている。ターンオン時の電流上昇率に対する耐量が向上し、アノードリアクトルも不要となる。炭化ケイ素)を用い、110kVA級の容量を持つインバータ装置が関西電力と英Cree社の共同開発によって実現されている[2]。電圧形インバータとして逆導電形もラインナップされている。構造[編集]IGCTサイリスタの構造GTOサイリスタではケースから引き出されたゲート電極を介してゲートドライブに接続されていたのに対し、GCTサイリスタは積層構造を基本とし、ゲート電極がリング状の金属板として基盤に積み重ねられている。基盤には数千個にも及ぶサイリスタが同心円状に並列接続されている点と、ゲート電極がカソード電極を囲んでいるのはGTOサイリスタと同じである[3]。GCTのことで、GCTとそれを駆動するゲートドライブを積み重ねて一体化したものである。ターンオフはサイリスタに流れてくる電流すべてをゲート回路に向けて流すことで行う。ゲート電極をリング状とすることで点ではなく線で接触するため、半導体の広い範囲に電圧をかけることが可能となり高効率となった。ラインナップされている。ゲート信号の発信機として多用されたほか、プログラマブルUJTはサイリスタに似た構造を持つ。2009年9月7日閲覧。2009年9月7日閲覧。カテゴリツリーコモンズ・カテゴリツリーこの項目は、電子工学に関連した書きかけの項目です。この項目を加筆・訂正などしてくださる協力者を求めています(Portal:エレクトロニクス)。(日時は個人設定で未設定ならばUTC)。表示-継承ライセンスの下で利用可能です。追加の条件が適用される場合があります。詳細は利用規約を参照してください。Cookieに関する声明モバイルビュ。