(1/2)今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向について紹介していく。約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。Technologyの講演概要をご報告した。今回以降は、SanDiskによる抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究開発動向に関する講演概要をご紹介する。application」である。memory)の略称で、性能的に外部記憶装置(ストレージ)と主記憶(メインメモリ)の間に位置するメモリとされる。ここで性能とは、メインメモリよりもコスト(記憶容量当たりのコスト)が低く、ストレージよりも高速であることを意味する。SCMは、次世代の半導体メモリに最も期待されている用途である。SCMの位置を占める次世代半導体メモリの候補は主に3つ。抵抗変化メモリ、磁気メモリ、相変化メモリである。いずれも不揮発性メモリであるとともに、大容量化を実現可能とされる。半導体不揮発性メモリの歴史は約60年に及ぶ本題である「抵抗変化メモリ(ReRAM)」に入る前に、CHEN氏は過去に開発された半導体不揮発性メモリを振り返った。Chow氏で、基本原理を開発したのは1956年と約60年前のことだ。matrix」と呼ばれていた。UV-EPROMは電子機器の開発工程においては画期的な製品で、1990年代にフラッシュメモリが登場するまで、マイクロコントローラー(マイコン)・システムのファームウェア開発工程を担っていた。マイコンのプログラム格納用メモリとしては、ユーザーが内容を書き換えられる唯一の不揮発性メモリだったからだ。PROM)を開発する。紫外線消去型EPROMはデータの消去に手間がかかるのが、大きな弱点だった。データの消去には強力な紫外線を短くとも30秒間、照射する必要があったからだ。データの消去は全ビットの一括消去で、部分的にデータを書き換えることはできなかった。これに対してEEPROMは、バイト単位でデータを電気的に書き換えることができるという、素晴らしい特徴を備えていた。UV-EPROMを置き換えることはできなかった。その大きな要因は、記憶容量当たりの製造コストがUV-EPROMよりもはるかに高かったことにある。UV-EPROMのメモリセルはわずか1個のMOSFETで構成されており、当時としては最も高密度の半導体メモリだった。ところがEEPROMは、記憶用MOSFETとセル選択用MOSFETの2個のトランジスタでメモリセルを構成していた。記憶用MOSFETには極めて薄い酸化膜を局所的に形成する必要があり、この酸化膜の製造がかなり難しかった。この結果、EEPROMの記憶容量当たりコストはUV-EPROMよりも大幅に増加した。ユーザーは電気的に書き換えられる不揮発性メモリを待ち望んでいた。開発予算が決められているなかで、EEPROMの価格はUV-EPROMを置き換えられるほどには下がらなかった。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。