つのピーク性能値を発表しました。ンフィニオンのミュンヘン研究所において、SiGe技術を適用したデュアルモジュラス型プリスケーラに関する最高周波数が得られました。シリコンペースのきわめて低雑音のアンプが開発されています。900MHzと1900MHzの移動通信周波数バンドのパワーアンプについて2つの世界記録が達成されました。来得られていなかった値を達成しました。これらの記録は、無線通信分野におけるインフィニオンの技術的リーダーシップをさらに強化するものです。周波数20GHzで動作するSiGeプリスケーラインフィニオンの研究陣は、デュアルモジュラス型SiGeプリスケーラの最高周波数として20GHzという記録を達成しました。iGe技術による従来の最高値は5.5GHzでした。このことは、低電力SiGeプリスケーラに対して新しい周波数バンドが開かれたことを意味します。イパーLANのような無線アプリケーションに役立ちます。このプリスケーラは、0.5μmリソグラフィ技術を適用した先進的なSiGeバイポーラプロセスで製造されました。0GHzまでの周波数における消費電流は11.7mAです。波数10GHzにおける雑音指数2.5dBと利得16.6dBという値を達成しました。これは、純粋のシリコン技術のよって得られた雑音指数の最低値です。対的に低コストできわめて高い性能を提供するこの純粋シリコン技術は、将来の量販市場、例えば第3世代移動通信端末や無線LANなどにとって非常に魅力的です。低電圧動作Siパワーアンプとして最高の出力電力と効率インフィニオンの研究陣は、2つの移動通信周波数バンド(900MHzおよび1.9GHz)における出力電力と効率の新記録を達成しました。コストのSiバイポーラ技術を適用して製造された900MHzバンド用アンプは、効率54%を示しています。給電圧4.4V時の出力電力は7.7Wに達します。1.9GHzバンド用アンプは、供給電圧1.2~3Vで動作し、最大効率55%を達成しています。供給電圧3V時の最大出力電力は1.4Wです。