2013年5月27日、MEMSおよびウェハー・パネルプロセス関連の最新技術に関するプライベートセミナーを無料開催する。准教授などによる招待講演に加え、SOIウェハー・CMOSイメージセンサ・3D積層ICなどの最新接合技術、マスクアライメントおよびレジストプロセス、ナノインプリントによるウェハーレベルレンズ、MEMS・LED向けの仮貼り合わせ技術など、EVGの最新装置・プロセスについての技術解説を行う。Group)3D積層ICに関しては、あらかじめ電極形成したウェハー同士を重ね合わせて電気的接触を行う技術が注目されている。電極を精密に位置合わせしてウェハーを積層する必要があるため、高いアライメント精度が要求される。EVGでは、こうした用途に向けて±0.5μm精度での位置合わせが可能なウェハー接合装置を製品化しており、アライメント精度をさらに高める技術開発も進めているという。ナノインプリントを利用した技術としては、ウェハーレベルでのレンズ形成が興味深い。この技術はスマートフォンに内蔵されるカメラで使用される小型レンズモジュールの製造に導入されている。UVインプリントによって300ミリサイズなどの大面積ウェハーにレンズを多数同時形成できるため、製造コストの大幅削減が可能になって市場が拡大した。スマートフォン用ウェハーレベル・レンズ分野では、EVGのUVインプリント装置がほぼ100%のシェアを獲得している。Group)UVインプリントによるレンズ形成では、テンプレートをUV硬化樹脂に押し当てて型をつけ、UVを照射して硬化させる。ガラスなどの基板上でUV硬化樹脂をインプリント処理してレンズを基板上に形成する方法と、上下のテンプレートの隙間をUV硬化樹脂で満たし、基板を使わずにモノリシックなレンズ付きウェハーを形成する方法がある。モノリシックな形成方法には、レンズの光学設計自由度の向上、レンズの薄化、スペーサ用ウェハーが追加不要、ウェハーレベルカメラモジュールにおける光路長の短縮、レンズ間のアライメント精度の向上、1ステップでの両面成型による高スループット化といった様々な利点がある。開発アルバック、TSV形成などで高い技術力発揮。ツールとして期待次の投稿UCLA、酸化ニオブを用いた高性能スーパーキャパシタ材料を開発。理研、室温スキルミオン格子の構造転移を発見MIT、チェレンコフ放射によるグラフェンの電気-光変換現象を解明いま人気の記事アイトリックス、グラフェンの海外向けサンプル販売を開始スタンフォード大ら、電子の配置を自由に設計できる新技術開発。定番記事マックス・プランク研究所ら、絶対零度より低温の気体を実証。