(MOCVD法)や分子線エピタキシー法(MBE法)等によって形成されている。於いては、正極にAuNi透明電極を始め、ITO電極等の透明電極を用いて発光層よりの光を効率よく、外部に取り出す事が行われている。光取り出し効率を向上させるために、透明電極上のパッド電極およびn型層上に設けられた負極等の電極の配置を工夫したデザインにより様々なLEDチップが考案されている(例えば、特許文献1参照)。LEDチップのモデュール化に於いては、スペースを効率化するため、従来の正方形形状から、長方形形状に、特に異型形状へのニーズが高まっている。その理由として正方形形状では、横方向に光を照射するチップでは、実装上不効率的でありモデュール高さを低減できる長方形形状が望ましい。このような長方形形状のLEDチップは、電極間距離および電極形状の関係で、従来成し得ていたLEDチップの高光取出し効率が損なわれる事態が生じている。特許文献2では、電流の過度の集中を避けるために、本来光取り出しのために設けられている透明電極に不透明な拡散用電極を形成するなどして、発光素子全体としての発光出力が犠牲になっている。