-富士電機ホールディングス(富士電機HD)は、次世代パワー半導体デバイスとして期待されているSiCを用いるパワー半導体パッケージを開発したことを発表した。採用することで、高効率に加えて高信頼性も実現している。Diode)デバイスを複数並列接続した耐圧1200V、電流400A級のSiC-ダイオードパワーモジュールも開発した。生かせる中大容量向けに、SiCを搭載したモジュール(SiC-MOSFETとSiC-SBD搭載)の開発を進め、太陽光発電システム、ハイブリッド自動車など幅広い応用分野へ向けた技術展開を進めていくとしており、SBDを2010年度中、MOSFETを2011年度中にそれぞれサンプル展開する計画とする。※本記事は掲載時点の情報であり、最新のものとは異なる場合があります。Corporation。