(例如含非晶硅的层)。)的非晶半导体层505。首先通过等离子CVD形成厚度为66nm的非晶半导体层。C下进行一小时)和热晶化处理(在550。Ti:蓝宝石激光器等。20到100nm的底部导电层。100到400nm的顶部导电层。(也简称为栅电极层)。和708到710中,从而形成了N型杂质区711和713到715以及沟道形成区780及782到784。707中,从而形成P型杂质区712和沟道成形区781。705和导电层716到725。刻蚀栅绝缘层705以形成绝缘层734到738。(轻掺杂漏极)区的掺杂的掩模。到748以及P型薄膜晶体管745。