like.每个存储元件208相当于笫一导电层763和764、有机化合物层303及笫二导电层304的层积结构,在相邻的存储元件208之间设有绝缘层305。二(IO-羟基苯并[hl-羟基喹啉)铍(缩写BeBq2)、以及二(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基酚氧-铝(缩写BAlq)。苯并噻唑l锌(缩写Zn(BTZ)2)。9,10-二(2-萘基)蒽(缩写DNA);以及2,5,8,11-四叔丁基二萘嵌苯(缩写TBP)。:蒽衍生物,例如9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基蒽(缩写t-BuDNA);咔唑衍生物,例如4,4,-二(N-畔唑基)联苯(缩写CBP);以及金属络合物,例如二[2-(2-羟基苯基)吡啶l锌(缩写Znpp2)和二[2-(2-羟基苯基)苯并噁唑l锌(缩写ZnBOX)。二(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基酚氧-铝(缩写BAlq)等。compound.第二导电层304如下所述。如图4所示,第二导电层304为线条形状。笫一导电层763和764或/和笫二导电层304是透光的。例如,如果光由图IIB箭头A所示方向发射,至少第二导电层304必须是透光的。786形成之后再形成。303形成之后再形成。