アモルファスシリコン(a-Si)の最大10倍の電子移動度を示します。主な酸化物半導体の候補は、インジウムガリウム酸化亜鉛(IGZO)です。2500mmサイズの基板に酸化物半導体(MO)トランジスタ用の絶縁膜を成膜します。TFTアレイ検査装置は、高い信頼性、短いダウンタイム、低いランニングコストを実現します。電子ビームアレイ検査装置は、複数の平行な電子ビームを使い、高速で広範囲のビーム位置決めを行い、高いスループットを達成します。Reserved.[+]。