開発(富士通)〜個別半導体・他〜MOSFETはバイポーラトランジスタと異なり、多数キャリヤデバイスであるから、電流−温度係数は負になり電流集中が起こり難いという、高出力トランジスタには極めて有利な性質をもっている。動作周波数も高くなり、数10MHzで出力30WのMOSFETがPhilipsで開発され、UHF帯あるいはマイクロ波帯で動作するMOSFET開発機運が高くなっていた。周波数1GHzで出力4.4Wを得た。ゲート長は5μm、ゲート酸化膜厚120nmである。ドレイン領域にn−ドリフト領域を設けて耐圧55vを確保している。ponp+エピ基板を使用し、p+パイプ拡散層でソース領域と基板裏面を接続し、ソース接地抵抗を低減するなどの工夫がなされている。帯、マイクロ波帯増幅にMOSFETが適していることが示され、その後の発展の基礎となった。2010/10/26。