2500mmサイズの基板に酸化物半導体(MO)トランジスタ用の絶縁膜を成膜します。水素不純物を最小化する新しい高品質な二酸化ケイ素(SiO2)プロセスにより、トランジスタの安定性を改善し、スクリーン性能を最適化します。PECVD装置は、高い膜厚均一性、優れたパーティクル制御により、高い生産歩留まりを達成し、高品質な酸化物半導体ディスプレイを製造の迅速な立ち上げを可能にします。Reserved.[+]。