成功を収めたメタライゼーションシステムです。Enduraシステムは、従来の性能をはるかにしのぐ画期的なテクノロジー、信頼性、サービスの容易さ、柔軟性により、半導体のメタライゼーションに革命をもたらしました。過去20年間に作られたマイクロチップは、全世界で100を超えるお客様に向けて出荷された、4500以上のEnduraシステムのいずれかを使用して製造されています。PVD集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。PVD(物理気相成長)システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。PVD今日まで、イオン化物理気相成長(PVD)は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。PVD(物理気相成長)技術は、High-k/メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。マイグレーション性能を提供します。TTN業界をリードするEnduraプラットフォームに統合された、同システムの成膜プロセスは、微細化に向けたCuバリア層およびCu-AlまたはCu-W拡散バリア層への要求に応えます。PVD同システムは、DRAM周辺のダイレクトコンタクトアプリケーション向けに、Siconiプリシリサイドクリーン技術とPVDコバルト、TiNキャップ成膜を統合しています。Ownership)を実現しつつダイの損失を最低限に抑えながら、配線メタルとはんだバンプの統合を促進します。PVDタングステンはプロセスフローや統合のスキームを変更することなく、三次元デバイス構造のゲートスタックに使用することができます。設計者には、より柔軟な回路レイアウトが可能になるという利点があります。PVD集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。Wタングステンは、その低抵抗率とコンフォーマルなバルクフィル特性により、ロジックのコンタクト、MOL、メタルゲートフィルのアプリケーションで広く用いられています。コンタクトとローカル配線は、トランジスタと回路のその他の部品間の重要な電気通路を形成します。技術の用途を提供します。PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。Reserved.[+]。