世界初高輝度InGaN/GaN青色LED商品化(日亜化学)〜個別半導体・他〜青色LED実現には、バンドギャップが2.6eV程度の半導体材料でpn接合をつくる必要がある。�U−�Y族のZeSe、�V—�X族のGaN系半導体、�W−�W族のSiCなどが研究さたが、SiCは間接遷移なので発光効率が悪い、ZeSeは劣化が激しい、GaNは結晶薄膜が出来ないなどの理由から、光三原色(RGB)の中では最も開発が遅れていた。らはこの頃から精力的に研究を継続し、1989年にAlNバッファー層の採用による結晶欠陥の低減とZnドープ層を電子線照射することでP型GaN層を実現する技術を開発し、世界で初めてpn接合青色LEDの開発に成功した。発光が微弱で実用化には至らなかった。日亜化学・中村らは、加熱したサファイア基板に水平にGa化合物を含む原料ガスを、窒素および水素ガスを基板に垂直に送り込むツーフローMOCVD装置を考案した。後に404特許(特許第2628404号)といわれるものである。この技術と、アモルファスGaNバッファー層の採用により良質のGaNならびにInGaN単結晶が得られるようになった。MgドープGaNを水素フリー雰囲気で熱処理することで、Mgが活性化しp型になることを発見し、そのメカニズムの解明に成功した。高品質InGaN結晶とp型GaNに実現により、1991年にはpnホモ接合型で発光効率0.18%、1993年には、InGaNを発光層に用いたダブルヘテロ構造LEDで発光効率2.7%の青色発光ダイオードを開発し、世界で初めて商品化した。その後、発光層にInGaN量子井戸構造を採用し、発光効率9.2%を達成している。クラッド層にGaN/AlGaN超格子構造を採用した青色半導体レーザーの室温CW発振に成功する。1999年に日亜化学は世界で初めて青色半導体レーザーの市販を開始した。