nm帯AlGaInP系レーザー開発(松下、東芝、シャープ、ソニー)〜個別半導体・他〜1982年に製品化した波長780nmのGaAlAsレーザー光源のCDが普及し、1990年代になるとCDサイズの光ディスクにディジタル画像を収録するディジタルビデオディスク(DVD)の開発が要求された。メモリ容量をCDの0.65GBからDVDの4.7GBに増加させるために、光源の波長として650nmが採用された。化合物半導体の中では最も大口径結晶が得られるGaAs基板にエピ成長(格子整合)可能で、650nm発振する結晶としてIn(GaAl)Pがあり、この材料のレーザー開発を各社が推進した。四元系材料なので結晶成長に課題が多かったが、気相エピ成長(VPE)、有機金属(MO)CVD技術の開発により、1985年にNEC,ソニー、東芝がInGaAlP/InGaPダブルヘテロ(DH)構造レーザーの室温連続成長に、世界に先駆けて成功した。1986年には光ディスク応用で必要な横モード制御構造も実現された。Absorbing)を導入する構造を考案し、戻り光ノイズの影響を受けにくい低雑音に自励発振型レーザーを開発した。これらのレーザーを搭載したDVDプレーヤが1996年に発売になり2003年頃から本格普及し始めた。DVD-RW)が開発され、これに向けて光出力20-30mWのレーザーが開発された。記録速度が2倍速、4倍速と高速になるにしたがって、高出力のレーザーが開発された。2003年にはソニー、三菱電機から16倍速に対応する光出力220mWのレーザーが、また2005年には2層DVD+Rディスクへ16倍速記録が出来る光出力350mWのレーザーが三菱電機より市販された。