Solutions技術用語集トランジスタトランジスタは半導体チップで最も重要な部品であり、速度など性能向上の鍵を握っています。メーカはトランジスタをコンパクトにし、ミリ単位の面積の中で密度を向上させる努力を続けています。次世代の微細なトランジスタを確実に機能させるためには新しい材料と設計が必要です。Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。Ownership)を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。目標を満たさねばならず、各ノードにおいて、絶縁膜スタックの厚さを、さらに薄くする必要があります。EpiCMOS技術では、PMOSとNMOSの2種類のトランジスタが必要です。PMOSでは圧縮性の歪みをチャネルに与える(格子を押し縮める)ことが最も効果的で、これにより水平方向の原子間隔が減少して原子間の結合力が強くなり、ホールの移動度が増大します。PVD(物理気相成長)システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。PVD(物理気相成長)技術は、High-k/メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。PVDタングステンはプロセスフローや統合のスキームを変更することなく、三次元デバイス構造のゲートスタックに使用することができます。設計者には、より柔軟な回路レイアウトが可能になるという利点があります。ALD継続的なプロセスの微細化が、デバイス性能の新境地を牽引しています。デバイスに不可欠な工程数が増加し続けている、三次元NANDやロジックFinFET製造では、ALD(原子層成長)が非常に重要です。システムは、歪み誘起窒化膜の形成と紫外線硬化プロセスを統合した初のソリューションで、低いサーマルバジェット要件を満たしながら、最高引っ張り応力1.7GPa(2.0GPaまで拡張可能)を達成します。面積当たりの機能をより高めるため、チップ上のトランジスタを小型化し続けています。トランジスタの小型化が進むに連れて、それらの間隔も狭くなり、トランジスタ同士を物理的に分離することがますます困難になってきました。CMP統合されたCMP後のDesica®クリーナーは、独自の完全浸漬Marangoni®蒸気乾燥技術を使用して、ウォーターマークの欠陥を実質的に排除し、粒子汚染を大幅に低減します。CMP先進のプロセス制御を備えた6つの研磨ステーションと8つの統合クリーニングステーションを装備し、同システムはこれらの3Dアプリケーションで求められる高精度なプロセスを、比類のない均一性と高いスループットにて提供します。3D新システムは、VIIStaプラットフォームのビームラインアーキテクチャにおいて実証された、世界トップクラスのパーティクル性能を活用しています。フィルターマグネットは、ソースにある不要な注入物のほとんどを除去します。Ownership)を提供し、同タイプのアニールに欠かせない、期待通りの生産実用性を発揮します。フラッシュトンネル酸化、ONO膜層など、重要な酸化ステップのスケーリング障壁を打破します。rpmウェーハ回転機構といった、実績のあるRadianceチャンバテクノロジーを活用しています。RTP優れた温度均一性に加えて、システムは超低温から超高温(150°C〜1300°C)までの広いプロセス範囲を提供します。3000XP65nmテクノロジーノード以降では、従来のバッチ式高エネルギー注入装置の限界により、高エネルギープロセスにおけるデバイス性能に問題が生じます。次世代デバイス製造に必要な、正確な角度制御、ドーズ量制御、生産性を達成するために、枚葉式アーキテクチャが求められています。900XP再現性のある正確な注入角度制御は、先進デバイスの大量生産における正確なドーピングにおいて非常に重要です。アプリケーションエンベロープ全体を通して、確実にレベルを制御します。HCPデュアルマグネットリボンビームアーキテクチャの革新により、ビームラインの伝送、ウェーハ上のビーム活用、ビーム電流出力を改善しました。PLAD同システムは業界をリードするドーズの保持と均一性を提供し、次のメリットを提供します。Tridentシステムは、半導体業界で最も高度な枚葉式の大電流イオン注入ソリューションです。Reserved.[+]。