Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。2016」で発表した68Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリについて紹介します。Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。2016」で発表した、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用している68Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリについて紹介します。PDFではなく、Webで閲覧する場合は、こちらをクリックしてください。2016」で、3ビット/セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元(3D)NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト/秒だという。NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。メールマガジンの購読登録が必要です。・電子ブックレットはPDFファイルで作成されています。・電子ブックレット内の記事は、基本的に記事掲載時点の情報で記述されています。そのため一部時制や固有名詞などが現状にそぐわない可能性がございますので、ご了承ください。Express)を紹介する。Express)インタフェースを備えた高速のSSDを対象にした規格仕様である。XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。東芝は、3次元NAND型フラッシュメモリの製造に向け、四日市工場の敷地を拡張すべく、同工場の隣接地を取得すると発表した。(産総研)の薬師寺啓氏は、スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の記憶安定性を従来の2倍に向上させることに成功した。素子サイズが20nm以下の大容量SST-MRAMを実現することが可能となる。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。