(1/2)今回は、トランジスタ密度をFinFETに比べて、より高められる素子の構造について触れる。代表的なものが、円筒状のチャンネルをウエハー表面と平行に配置する「ホリゾンタルナノワイヤ(HNW)」と、垂直に配置する「バーチカルナノワイヤ(VNW)」である。});円筒状チャンネルの周囲をゲートで取り囲む前々回に述べたように、FinFET(フィンフェット)の時代はプレーナFETの時代に比べると、はるかに短いと予想されている。シリコン面積当たりのトランジスタ数(トランジスタ密度)を、FinFETに比べてより高められるデバイス構造が求められる。その有力な候補が、円筒状のチャンネルの側壁をゲートで囲んだ構造のトランジスタである。FET」、「全周ゲート型トランジスタ」などと呼ばれる。円筒チャンネルの方向は横方向(ウエハー表面と平行な方向)である。円筒の直径は10nm以下であり、ナノメートルサイズの細長い線(ワイヤ)のようであることから、ナノワイヤ(NW)と呼ぶことが少なくない。「ホリゾンタルナノワイヤ(HNW)」と呼ばれることもある。チャンネルの半導体材料はシリコン(Si)が最初の候補である。この場合は「シリコンナノワイヤFET」と呼ぶことが多い。チャンネルの材料をキャリア移動度の高いゲルマニウム(Ge)やインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)にすることも試みられている。FETの最大の特徴は、ゲート電極による制御性が限界まで高まることだ。オフ電流の特性が良好で、オフ電流の値をFinFETやプレーナFETなどに比べ、非常に小さくできる。問題はオン電流があまり大きくないことだ。FETが試作されている。FETのチャンネルを増やして電流量を高める。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。