(松下)〜個別半導体・他〜MOSFETは、入力インピーダンスが高く、熱暴走が起こり難いなどの特徴があり、大電力の高速スイッチング素子として期待された。バイポーラ素子に比べてオン抵抗が高いことが大きな課題であった。MOSFET)が開発されていた。松下電子の上田らは、リアクティブ・イオンビーム・エッチング(RIBE)をもちいて、シリコン基板にU溝(グルーブ)を形成し、グルーブの側面をMOSFETのチャネルにする、図1に示すような断面構造のMOSFETを考案した。図2、3に示すような電流通路モデルでオン抵抗を解析し、図4に示すように新構造が優れていることを示した。MOSFET)と命名したが、世の中ではUMOSFETあるいはトレンチ・ゲート型MOSFETの名前が定着した。UMOSFETは、比較的低い耐圧(30-100V)のスイッチング素子として、PCの電源などに広く使われている。2010/10/08。