黎明期からトランジスタ研究に参画するが、力を発揮するのはIC、LSI、超LSIなどの集積回路であり、集積技術そのものの先導者である。1968年に電子ビーム露光装置、翌年にショットキTTL、更にその翌年にはDSAMOSトランジスタを発案し、世界で最初に発表する。このプロジェクトを通してNMOSトランジスタを用いた144ビットSRAMを日本電気に委託、ハイブリッドLSIを日立に委託し完成させている。所長を務め、4年の開発期間で超LSIプロセス基盤技術を確立し、サブミクロンプロセスへの道を開くことにより、その後の日本半導体産業の隆盛を確実なものとする。1990年SSDM(固体素子・材料)アワード、1991年C&C賞、1995年紫綬褒章などを受章。2010/10/25↑TOPへ。