(STI)ユニットプロセスで要求される厳しいギャップフィルの要件を満たします。第1世代のHARP膜よりもギャップフィル性能が向上しました。この結果、従来よりも強固で密度の高い膜ができ、アスペクト比12:1を超える形状でシームレスかつボイドフリーのギャップフィルが可能になりました。32nmのロジックでのギャップフィルと、複雑な3Dアイランド形状での設計と垂直プロファイルを採用した4Xnmデバイスのアプリケーションにおいて実績があります。4XnmフラッシュのSTIフィルに初めて対応したCVDソリューションです。eHARPのTEOS/オゾンをベースとしたプロセスは、ロジックデバイスにおけるトランジスタ駆動電流と、メモリデバイスでの保持時間を飛躍的に増大する歪み誘起膜を形成することにより、トランジスタの性能も向上しました。統合の煩雑さとコストも最低限に抑えています。Chambers®で最大6枚のウェーハを同時にプロセス可能な、高スループットのProducerプラットフォームを使用します。Reserved.[+]。