CTSマスクコートシリーズ世界トップクラスのCD均一性は、レジストコートの品質に依存します。ナノメータのスケールでは、数多くの要因が精度に影響を与えます。MRCマスク洗浄シリーズ193iおよびEUVリソグラフィーを使用したフォトマスクの洗浄方法は、繊細なマスク材料とマスクが使用される環境によって決まります。SFBマスクベークシリーズフォトマスク製造向けに化学的に増幅されたレジストの使用には、パターン露光によって開始された化学反応を完結する、ポスト露光ベーク(PEB)ステップの厳密な制御が要求されます。最終的なパターン形状はベーク温度および時間の影響を受けます。SFDマスク現像シリーズ露光されたレジストパターンの正確な現像は、コート、露光、ベークにおいて、高度に制御されたプロセスを経たフォトマスクのCD均一性を保つために非常に重要です。これを達成するためには、マスク表面に均一かつ同時に現像液を供給する必要があります。Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。シリコンエッチチャンバの包括的な再設計が促進されました。CVD装置で製造可能な幅広い製品群に含まれています。マテリアルズの特許取得済みHDP-CVDリアクターデザインとプロセステクノロジーは、STI、プリメタル絶縁膜、ILD、IMD、パッシベーションなどの幅広いアプリケーションにおいて、ドープおよび非ドープ膜の成膜を可能にします。Ownership)を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。マテリアルズのAvatarシステムはステップ間の温度調整と制御を組み合わせ、エッチングシーケンスの各部で正しい温度設定ポイントと安定性を確保します。HD窒化プロセスでは、パルスプラズマを使用して低エネルギーの窒素をシリコン酸化膜中に注入します。デバイス要求に合わせて高窒素濃度SiONをPolyの下に、低窒素濃度SiONをゲートスタックのシリコン上に形成し、高いチャネル移動度を維持します。Epi装置は、世界中で約900台の200mmチャンバで採用されている、製造現場で実績のある枚葉式マルチチャンバ・エピタキシャル・シリコン成膜装置です。目標を満たさねばならず、各ノードにおいて、絶縁膜スタックの厚さを、さらに薄くする必要があります。SSWタングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線(最低レベル)の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。CVDタングステンバルクフィルプロセスを組み合わせ、CMP互換のタングステンプラグを提供します。EpiCMOS技術では、PMOSとNMOSの2種類のトランジスタが必要です。PMOSでは圧縮性の歪みをチャネルに与える(格子を押し縮める)ことが最も効果的で、これにより水平方向の原子間隔が減少して原子間の結合力が強くなり、ホールの移動度が増大します。最大化を促進する中で、装置メーカーは3次元(3D)スキームを使用してチップの組み込みを行っています。Reserved.[+]。