EtchEUVフォトマスクは、193nm波長の光を選択的に透過して回路パターンを投影する従来のフォトマスクとは基本的に異なる。Zは、10nm世代以降のロジック/メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。(高密度プラズマ化学気相成長)は、数世代にわたって実用性が証明された、業界をリードするCVD装置です。PVDシステムは、チップパッケージングアプリケーションにおいて、金属成膜の生産性および信頼性に新たな標準機能を提供致します。PVD(物理気相成長)システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。PVD今日まで、イオン化物理気相成長(PVD)は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。PVD(物理気相成長)技術は、High-k/メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。マイグレーション性能を提供します。TTN業界をリードするEnduraプラットフォームに統合された、同システムの成膜プロセスは、微細化に向けたCuバリア層およびCu-AlまたはCu-W拡散バリア層への要求に応えます。PVD同システムは、DRAM周辺のダイレクトコンタクトアプリケーション向けに、Siconiプリシリサイドクリーン技術とPVDコバルト、TiNキャップ成膜を統合しています。技術の用途を提供します。PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。Ownership)を実現しつつダイの損失を最低限に抑えながら、配線メタルとはんだバンプの統合を促進します。PVDタングステンはプロセスフローや統合のスキームを変更することなく、三次元デバイス構造のゲートスタックに使用することができます。設計者には、より柔軟な回路レイアウトが可能になるという利点があります。PVD集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。Wタングステンは、その低抵抗率とコンフォーマルなバルクフィル特性により、ロジックのコンタクト、MOL、メタルゲートフィルのアプリケーションで広く用いられています。コンタクトとローカル配線は、トランジスタと回路のその他の部品間の重要な電気通路を形成します。Reserved.[+]。