1979年HEMT(高移動度トランジスタ)の発明(富士通)〜個別半導体・他〜1978年に米ベル研のR.Dingle等が変調ドープ超格子構造(Siをドープしたn型AlGaAs極薄層と高純度GaAs極薄層を交互に多重積層したもの)で、GaAs層への電子蓄積に成功した。Transistor:高電子移動度トランシスタ)と命名した。(MBE)を研究していた富士通研・冷水グループと協力して動作に成功する。1979年12月に特許出願とプレスリリース、1980年6月のDRCの論文発表につなげた。社も同じデバイスの動作に成功しており発明はタッチの差だったことが解かった。取り上げられ、10年計画でスパーコンピュタ向演算素子の開発をめざした。SRAM、1986年には16KSRAM、1988年には1100ゲートロジックLSIが開発された。十分な性能を出すには液体窒素温度動作が必要で、相補型HEMTの性能も上がらないことなどから論理素子としてよりは、マイクロ波、ミリ波通信用素子として発展した。HMMT結晶は半絶縁性GaAs基板上に高純度GaAs層とSiを高濃度にドープしたAlGaAs層を結晶成長する。平坦なヘテロ接合界面を確保し、AlGaAs層成長時にAlやドーパントのSiがGaAs層に拡散してGaAs層の純度を落とさないことが重要である。このため、結晶成長温度が低く、成長の精密制御に優れたMBE(分子線エピ成長)、MOVPEがつかわれる。HEMTの出現で、ヘテロ接合関連技術、MBE技術、MOVPE技術などの重要性が認識され、これらの研究開発を活性化した功績も大きい。