しての大きな可能性を秘めている。1993年のInGaN/GaN青色LEDの成功以来、GaN系結晶技術が非常に進展し、GaN系高周波・パワーデバイスの開発も加速した。HEMT構造では2次元電子ガスチャネルがえられ、電子移動度は高くなる。HEMTの10倍の高い2次元ガス濃度がえられる。HEMTが最も活発に開発された。HEMT開発で大きな課題となったのが、理論予測よりもゲート耐圧が低く、ゲートリーク電流が大きいこと、走行電子が素子内にトラップされて出力電流が低下する(電流コラプス)現象である。富士通の吉川らは、HEMT構造の表面部分にn型不純物をドープしたGaN層を導入する表面電荷制御構造HEMTを2001年に提案した。酸化しやすいAlを半導体表面に持たないために、表面トラップの発生が防げる。HEMTの開発に成功した。このチップを2個並列使用したプッシュプル型増幅器で250WのW-CDMA信号を得た。HEMTの開発は国内外で活発に続いている。HEMT高出力増幅器(出力電力100W)のサンプル出荷を開始した。Xバンドからミリ波帯での動作報告も国内外から多数あり、このデバイスへの期待は大きい。GaNの破壊電界強度はSiの約10倍なので、ドリフト層厚さを薄く、ドーピング濃度を高くしても、高耐圧を確保できる。今ため超低オン抵抗のスイッチングデバイスが実現できる可能性がある。電源回路用にはエンハンスメント型HEMTが重要である。名古屋大の水谷らはAlGaN層の上にInGaNキャップ層を設けるHEMTを、富士通の金村らはMIS構造HEMTを開発した。HEMTのDC-DCコンバータを2010年2月に発売した。