PECVD同システムは、ほぼすべての先進的なDRAM、NANDフラッシュ、NORフラッシュ工場で採用されており、業界初の商用PECVDアッシャブルアモルファスカーボン膜を作成し、浅溝分離、ゲート、ビットライン、コンタクト、コンデンサー、配線のパターニングを行います。PECVDTSV製造には、デバイスウェーハの薄化や、ガラスまたはシリコン製の一時的なキャリアへの仮貼り合わせの工程があります。IIナノ多孔質Low-k膜は、k値約2.5の45/32nm銅/Low-k配線での業界標準です。ナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。RCスケーリングをさらに進めることができます。システムは、歪み誘起窒化膜の形成と紫外線硬化プロセスを統合した初のソリューションで、低いサーマルバジェット要件を満たしながら、最高引っ張り応力1.7GPa(2.0GPaまで拡張可能)を達成します。Producerは、業界で最もコスト効率の高いウェーハ処理プラットフォームです。Chamber構造により、最大6枚のウェーハの同時処理が可能で、生産性が向上します。第1世代のHARP膜よりもギャップフィル性能が向上しました。よって最高のスループット密度を提供しながら、シングルチャンバ並みの高い性能とプロセス制御を提供します。面積当たりの機能をより高めるため、チップ上のトランジスタを小型化し続けています。トランジスタの小型化が進むに連れて、それらの間隔も狭くなり、トランジスタ同士を物理的に分離することがますます困難になってきました。CVDTSVプロセスへの多様化を進めているお客様にとって、InViaシステムはベンチマークプロセスを提供するだけではなく、TSV製造シーケンスにおける導入実績という付加価値をもたらします。同プロセスはビアミドルTSVのサーマルバジェットと等角性要件を唯一、満たすものです。Cureナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。OnyxTM集積回路では、導電性銅配線は絶縁(非導電性)材料で絶縁されています。半導体デバイスの小型化が進むに連れ、デバイス速度の向上は絶縁材料の誘電率(k)に著しく影響されるため、誘電率も共に低下させる必要があります。ロジックおよびメモリチップのさらなるスケーリングにおいて、ムーアの法則を継続していく、前例のない能力を提供します。同プロセスでは、一層から複数層まで、これまでにない選択制で膜上の目標物質を除去します。NAND製造へと移行できるようになります。Inspectionデザインルールが一桁台のノードまで微細化し、デバイスのアーキテクチャがより高密度かつ複雑になっていくに従い、製造プロセスにはより多くのプロセスが含まれ、プロセス制御の制限はより厳しく、致命的となる欠陥のサイズはより小さくなっていきます。装置は、150mm-300mm向けの枚葉式、自動、マルチチャンバ、電気化学成長システムで、小さな占有面積で高いスループットを提供します。ECDは、メモリおよびロジックデバイスの銅配線ギャップフィル向けのシステムで、ダイナミック電流制御テクノロジー、マイクロ秒のレシピ制御、業界で最も幅広いプロセス薬液(低〜高バス電導性)の使用が可能です。Mは自動化された高性能枚葉式ウェーハECDシステムです。同システムは、個々のプロセスチャンバを備えた精密な全自動ウェーハハンドリングシステムを搭載し、自動薬液管理システムとの互換性も有しています。M-Quattroは、高性能枚葉式ECDシステムで、完全自動精度ウェーハハンドリングとマルチプロセスチャンバを備えています。同システムは、個々のプロセスチャンバを備えた精密な全自動ウェーハハンドリングシステムを搭載し、自動薬液管理システムとの互換性も有しています。CMP統合されたCMP後のDesica®クリーナーは、独自の完全浸漬Marangoni®蒸気乾燥技術を使用して、ウォーターマークの欠陥を実質的に排除し、粒子汚染を大幅に低減します。CMP先進のプロセス制御を備えた6つの研磨ステーションと8つの統合クリーニングステーションを装備し、同システムはこれらの3Dアプリケーションで求められる高精度なプロセスを、比類のない均一性と高いスループットにて提供します。Reserved.[+]。