kgfはSI単位ではないですが、質量の数値をそのまま重さとして考えることができるのがメリットですね。>>>ある試験片に40kgの重りをつけた時の荷重は何Nをかけてあげると、重り40kgをつけたときの荷重と同等になるのでしょうか?なんか、日本語が変ですね。「ある試験片に40kgの重りをつけた時の引っ張りの力は何Nの力で引っ張るのと同じですか?」ということですか?・・・であるとして、回答します。40kgのおもりなので、「おもりにかかる重力」は40kg...続きを読む他の回答も見るQ金属、半導体の抵抗の温度変化について金属は温度が高くなると抵抗が大きくなり、半導体は温度が高くなると抵抗が小さくなるということで、理論的にどうしてそうなるのでしょうか。金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。あと自分で調べていたところ「バンド理論」というのを目にしました。関係があるようでしたらこれも教えて頂くとありがたいです。Aベストアンサーこんにちは。>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?だいたい合っています。金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。半導体の中において金属の自由電子に相当するものは、電子とホールです。この2つは電流を担う粒子ですので、「キャリア」(運ぶ人)と言います。ホールは、半導体物理学においてプラスの電子のように扱われますが、その実体は、電子が欠けた場所のことを表す「穴」のことであって、おとぎ話の登場人物です。電子の濃度とホールの濃度に違いがあったとしても、一定の温度においては、両者の濃度の積は一定です。濃度の積が一定(10^(-14)mol^2/L^2)であるのと実は同じことなのです。戻る反応が劣勢になります。それと同様に、真性半導体においても、温度が上がると電子とホールが発生しやすくなるのに比べて、両者が出合って対消滅する反応が劣勢になるため、両者の濃度の積は増えます。キャリアが増えるので、電流は流れやすくなります。>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?だいたい合っています。金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。半導体...続きを読む他の回答も見るQミラー指数:面間隔bを求める公式について隣接する2つの原子面の面間隔dは、ミラー指数hklと格子定数の関数である。質問:「(1)式を証明せよ」と言われたのですが、どうすれば言いかわかりません。「格子定数」「ミラー指数」などと出てくると構えてしまいますが、この問題の本質は3次元空間での簡単な幾何であり、高校生の数学の範囲で解くことができます。l)の組をミラー指数という(*1)」といった具合に説明しています。逆数にするの?という辺りから話がこんがらがることがしばしばです。大雑把に言えばミラー指数は法線ベクトルのようなものです。立方晶であれば法線ベクトルと全く同じになります。立方晶の(111)面の法線ベクトルは(1,1,1)ですし、(100)面の法線ベクトルは(1,0,0)です。法線ベクトルなら「ミラー指数」よりずっと親しみがあり解けそうな気分になると思います。(hkl)面に相当する平面の方程式を一つ考えてみましょう。(0,0,0)を通る平面で法線ベクトルは(h,k,l)です。これに平行な、隣の平面の式はどうでしょうか。(2b)のいずれかです。これがすぐ隣の平面である理由(そのまた間に他の平面が存在しない理由)は脚注*2に補足しておきました。(3)と求められます。点と直線の距離の公式を使わなくとも、次のようにすれば求められます。原点Oから法線ベクトル(h,k,l)の方向に進み、平面(2a)とぶつかった点をA(p,q,r)とします。(4)の関係があります。