マテリアルズのProducerは、業界で最も迅速かつコスト効果が高いプラットフォームで、非常にコンパクトな設置面積で1分間に3枚以上のウェーハを処理できます。同システムは、3台セットとなっているプロセスステーション間で同時に4枚のウェーハを移送できるロボットと、独自のダブルデッカー真空ロードロックを備えています。絶縁ライナーとして機能する、高度にコンフォーマルなポリマー互換酸化物を成膜します。PECVD同システムは、ほぼすべての先進的なDRAM、NANDフラッシュ、NORフラッシュ工場で採用されており、業界初の商用PECVDアッシャブルアモルファスカーボン膜を作成し、浅溝分離、ゲート、ビットライン、コンタクト、コンデンサー、配線のパターニングを行います。PECVDTSV製造には、デバイスウェーハの薄化や、ガラスまたはシリコン製の一時的なキャリアへの仮貼り合わせの工程があります。RCスケーリングをさらに進めることができます。IIナノ多孔質Low-k膜は、k値約2.5の45/32nm銅/Low-k配線での業界標準です。ナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。システムは、歪み誘起窒化膜の形成と紫外線硬化プロセスを統合した初のソリューションで、低いサーマルバジェット要件を満たしながら、最高引っ張り応力1.7GPa(2.0GPaまで拡張可能)を達成します。よって最高のスループット密度を提供しながら、シングルチャンバ並みの高い性能とプロセス制御を提供します。面積当たりの機能をより高めるため、チップ上のトランジスタを小型化し続けています。トランジスタの小型化が進むに連れて、それらの間隔も狭くなり、トランジスタ同士を物理的に分離することがますます困難になってきました。CVDTSVプロセスへの多様化を進めているお客様にとって、InViaシステムはベンチマークプロセスを提供するだけではなく、TSV製造シーケンスにおける導入実績という付加価値をもたらします。同プロセスはビアミドルTSVのサーマルバジェットと等角性要件を唯一、満たすものです。Cureナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。OnyxTM集積回路では、導電性銅配線は絶縁(非導電性)材料で絶縁されています。半導体デバイスの小型化が進むに連れ、デバイス速度の向上は絶縁材料の誘電率(k)に著しく影響されるため、誘電率も共に低下させる必要があります。ロジックおよびメモリチップのさらなるスケーリングにおいて、ムーアの法則を継続していく、前例のない能力を提供します。同プロセスでは、一層から複数層まで、これまでにない選択制で膜上の目標物質を除去します。NAND製造へと移行できるようになります。第1世代のHARP膜よりもギャップフィル性能が向上しました。Reserved.[+]。