100上,以及磁阻存储器件(图I的140)。磁阻存储器件140是一个磁阻隧道结,其包括下电极141,第一磁层142,阻挡层143,第二磁层】44和上电极145。例如铝或铪,形成上电极145。.参看图3,下电极141形成在半导体衬底100上。其和第一磁层142的铁磁性材料相对,使得阻挡层143插在第一磁层142和第二磁层144之间。金属离子,进入半导体衬底100。100上形成MOS晶体管。O”导通和*T'截止写入数据。PtMn,或FeMn。Ta,或Ru,通过PVD制成参见图8,下电极层14U阻挡层143和上电极145的叠层被成形,从而完成存储器件140。