InGaAlAs/InPなどがあり、材料開発が進められたが、結晶成長の容易さなどから最終的に生き残ったのは、InGaAsP/InP系である。InGaAsP/InP系では、エネルギーバンド構造の関係から、レーザー発振のしきい電流値の温度依存性が大きい、レーザーの内部損失が大きいなどの課題があった。このため、きわめて細い領域にレーザー発振を限定する埋め込み(BH)構造が発明され、日本のレーザーメーカー(NEC、日立、富士通)はそれぞれの方法でこれの開発に成功した。BHレーザーは、幅1-2μm、厚さ0.1-0.2μmのフィラメント状のInGaAsP活性層がInP結晶中に埋め込まれた2次元光導波路構造を有する。導波路の大きさが横モード条件を決定するため、特にフィラメントの幅(ストライプ幅)制御が製作上のカギになる。図2にBHレーザーの作成プロセスの一例をしめす。エッチング速度の面方位依存性を利用して、逆三角形状のメサを形成する。n型InP結晶を再度エピタキシャル成長することで、埋め込み構造結晶を得る。埋め込み(BH)構造は、動作電流を小さくすることができ、かつ熱放射にも有利なことから、製作プロセス技術が精力的に開発され、実用化に至った。その後、ひずみ量子井戸構造が導入されて、基本特性が改善されるまで活躍した。2010/10/09。