いう方法でグラニュラ薄膜の膜組成変動の解決をめざした。光応答性ベシクルは、カプセルのような働きをするため、ベシクル内に薄膜作製の反応溶液の1成分を内包させれば、UV光の照射により、ベシクルが崩壊し反応溶液成分を制御できる。本研究では、CeやCoを内包する光応答性ベシクルの作製に成功し、それを用いることで、UV光を照射によりCo-Ce-O金属-酸化物同時電析膜のCoやCeの濃度制御が可能であることが明らかにできた。飽和磁化が大きいFe-Co-Ce-O薄膜の電析に成功した。