(JST)は8月24日、帝人フロンティアにおいて進めてられていたSiC、GaN等の難加工材向け研磨パッド開発の成功を発表した。●SiC、GaN等のワイドギャップ半導体は硬く、また化学的・熱的に安定している。このため基板に用いる際の加工が難しく、加工プロセスの高速化、低コスト化が従来より課題となっていた。●今回、以下の2つの技術を組み合わせることで、高研磨レートと表面粗さ・平坦性を高水準で両立する研磨パッドの開発に成功している。1.繊維表面積が大きく、繊維間空隙数の多いナノファイバー繊維注5)(繊維直径700nm)を用いて不織布を作成し、スラリー(研磨剤)の吸込み・付着性を向上させました。ナノファイバーの繊維間で砥粒注6)をキャッチすることで、作用砥粒数が増加し研磨レートが向上しました。ナノファイバーは繊維表面積が大きいことから、大きなゼータ電位注7)をもつため、スラリー中の砥粒の凝集を抑制する効果もあり、表面粗さが向上(ウエハの表面がより滑らかになる)しました。(図1)2.高硬度樹脂を高密度に含浸する技術を確立しました。含浸させる樹脂として、既存樹脂(ウレタン)を用いた研磨パッドの他、次世代樹脂を用いた研磨パッドも開発しました。繊維表面積が大きく、繊維間空隙数の多いナノファイバー繊維(繊維直径700nm)を用いて不織布を作成し、スラリー(研磨剤)の吸込み・付着性を向上さた。ナノファイバーの繊維間で砥粒をキャッチすることで、作用砥粒数が増加し研磨レートが向上している。ナノファイバーは繊維表面積が大きいことから、大きなゼータ電位をもつため、スラリー中の砥粒の凝集を抑制する効果もあり、表面粗さが向上した。高硬度樹脂を高密度に含浸する技術を確立した。含浸させる樹脂として、既存のウレタン樹脂を用いた研磨パッドの他、次世代樹脂を用いた研磨パッドも開発している。