(NICT)と東京農工大学が、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム(Ga2O3)パワー半導体(トランジスタ)の開発に成功したと発表した。「世界初」(NEDO)とする。(NICT)と東京農工大学が、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム(Ga2O3)パワー半導体(トランジスタ)の開発に成功したと発表した。「世界初」(NEDO)とする。NEDOが管理法人を務める内閣府プロジェクト「戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)/次世代パワーエレクトロニクス」の一環で発表された。イオン注入ドーピング技術は、半導体を形成するための不純物元素(ドーパント)をイオン化した後、運動エネルギー10keV〜数MeV程度に加速し、固体に直接注入する加工方法だ。低コストのプロセスなので汎用性が高く、量産にも適しているので、半導体デバイスの製造に多く使用されている。今回、このイオン注入ドーピング技術を使って縦型Ga2O3トランジスタを製造し、その動作実証に成功したという。Ga2O3を低コストで製造できることが実証された今回の成果によって、電機メーカーや自動車メーカーなどでGa2O3パワーデバイスの開発が本格化し、加速することが予想されると、NEDOはリリースで述べている。出典:NICTGa2O3は、SiCやGaNと並ぶ、次世代パワーデバイス材料である。Ga2O3は、高品質かつ大口径の単結晶基板を簡便で安価に製造できるので、高性能で低コストなデバイスを実現できると期待され、現在、開発が世界的に活発化している。富士経済は、2018年3月に発表した次世代パワーデバイスの調査において、酸化ガリウム系パワーデバイス市場が2030年に1450億円になると予測している。2017」で、酸化ガリウムSBD(ショットキーバリアダイオード)を展示している。2018年に、まずは月産30万個の規模で量産を始める予定だ。今回は、パワーデバイス市場について述べてみたいと思う。Technologies(以下、Infineon)に出資すると発表したことが、筆者としては非常に気になったからである。パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。松尾豊特任教授らは、耐久性をこれまでの10倍に向上させたペロブスカイト太陽電池の作製に成功した。Technologiesは、ドイツの新興企業であるSiltectraを買収した。Split」の獲得が狙い。Siltectraの買収価格は、1億2400万ユーロ(約139百万米ドル)。欧米も注目する“第3の次世代パワーデバイス”の国内開発プロジェクトが今春スタート情報通信研究機構(NICT)は、2014年4月をメドに次世代パワーデバイス材料の1つである酸化ガリウムを使ったデバイスの実用化を目指した本格的な開発プロジェクトを発足させる。メーカー、大学などと連携して2020年までに酸化ガリウムパワー半導体デバイスの実用化を目指す。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。