ウェブサイトで紹介されました印刷ページ内印刷について戻る半導体シリコン結晶の薄膜成長(気相エピタキシャル成長)では、原料のクロロシラン濃度を上げるとラングミュア型表面過程に従って反応中間体が表面を覆いつくし、成長速度が飽和するという理論的限界があった。成長速度の飽和(理論限界)を打ち破ることにより成長速度を上げるために、表面を覆っている中間体から別経路でありながら同じ生成物を作れるラングミュア型表面過程を見出し、これらを並列にすることを提案した。教授)の共同研究内容が工学的評価の高い研究として認められました。2倍程度に高速化することに成功しました。シリコン水素化物を加えることにより実現しました。科学技術全般にわたる分野の投稿論文を精査し、特に優秀なものを選び定期的に紹介し、研究者や技術者の間で最新鋭の工学的研究に関する情報を共有するサービスを提供しています。