マテリアルズのECDアプリケーションを拡げています。おいて、欠陥のレビュー、分類、解析は、半導体の製造シーケンスにおける個々の工程の品質を監視、管理する手段として、非常に重要です。PVD集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。検査装置は、忠実な空間像と先進の高精細画像を独自に組み合わせた第4世代の193nmベースの検査装置です。Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。シリコンエッチチャンバの包括的な再設計が促進されました。Ownership)を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。マテリアルズのAvatarシステムはステップ間の温度調整と制御を組み合わせ、エッチングシーケンスの各部で正しい温度設定ポイントと安定性を確保します。HD窒化プロセスでは、パルスプラズマを使用して低エネルギーの窒素をシリコン酸化膜中に注入します。デバイス要求に合わせて高窒素濃度SiONをPolyの下に、低窒素濃度SiONをゲートスタックのシリコン上に形成し、高いチャネル移動度を維持します。目標を満たさねばならず、各ノードにおいて、絶縁膜スタックの厚さを、さらに薄くする必要があります。EpiCMOS技術では、PMOSとNMOSの2種類のトランジスタが必要です。PMOSでは圧縮性の歪みをチャネルに与える(格子を押し縮める)ことが最も効果的で、これにより水平方向の原子間隔が減少して原子間の結合力が強くなり、ホールの移動度が増大します。最大化を促進する中で、装置メーカーは3次元(3D)スキームを使用してチップの組み込みを行っています。EtchEUVフォトマスクは、193nm波長の光を選択的に透過して回路パターンを投影する従来のフォトマスクとは基本的に異なる。Zは、10nm世代以降のロジック/メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。(高密度プラズマ化学気相成長)は、数世代にわたって実用性が証明された、業界をリードするCVD装置です。SSWタングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線(最低レベル)の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。CVDタングステンバルクフィルプロセスを組み合わせ、CMP互換のタングステンプラグを提供します。PVDシステムは、チップパッケージングアプリケーションにおいて、金属成膜の生産性および信頼性に新たな標準機能を提供致します。PVD(物理気相成長)システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。PVD今日まで、イオン化物理気相成長(PVD)は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。PVD(物理気相成長)技術は、High-k/メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。マイグレーション性能を提供します。Reserved.[+]。