Transistor)を開発し、発表した。kAのIEGTデバイスを開発した。IEGTはIGBTの更なる高耐圧、大電力化の為、サイリスタ、GTOの様に、N-層全体に過剰キャリア密度を増加させたデバイスである。通常のIGBTは図1に示す様に、コレクタから注入された正孔の密度はエミッタに近づくにつれ、低下する。この結果N−層の過剰キャリア密度が一様ではなく、伝導効果が充分に発揮されない。これに対し、図2に示すIEGTは、ゲート構造をトレンチ構造とした上、エミッタN+領域を間引く事で、エミッタ近傍のN−層内に過剰キャリアを滞留させる。この構造により、N−層全体に渡り、強い伝導変調効果が得られ、オン抵抗値の一層の低減を実現した。Transistor)として発表している。図3にCSTBT構造を示す。IEGTは、通常のIGBTと同様、ゲードドライブが容易である上、サイリスタ、GTOと異なり、自己サステイニング機能があるため、負荷短絡事故時の保護回路が簡単である。スイッチング周波数を高くする事が可能であり、システムの小型、コンパクト化が達成できる。並列接続が可能なため、多数のチップの並列接続が可能である。Pack)を開発し、2000年、IEGTチップを125φマルチチップ型圧接形パッケージに搭載し、4.5kV/4kAのIEGTを完成した。モータ向けのインバータ用にも、従来のサイリスタ、GTOに代わり、使用される様に成った。2010/11/16。