Solutions技術用語集CVDCVDプロセスは、広範なアプリケーションに使用される成膜技術です。膜のパターニングや、トランジスタ構造内の断熱材、電気回路を形成する伝導性メタルの層間など、幅広い用途に活用されています。アプリケーションの代表的な例は、浅溝分離、プリメタル誘電体、インターメタル誘電体、およびパッシベーションです。これらは、より優れた伝導率によってトランジスタの性能を向上させる、圧縮応力と引張応力を有した膜を使用する歪みエンジニアリングにおいても重要です。(高密度プラズマ化学気相成長)は、数世代にわたって実用性が証明された、業界をリードするCVD装置です。SSWタングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線(最低レベル)の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。CVDタングステンバルクフィルプロセスを組み合わせ、CMP互換のタングステンプラグを提供します。Wタングステンは、その低抵抗率とコンフォーマルなバルクフィル特性により、ロジックのコンタクト、MOL、メタルゲートフィルのアプリケーションで広く用いられています。コンタクトとローカル配線は、トランジスタと回路のその他の部品間の重要な電気通路を形成します。絶縁ライナーとして機能する、高度にコンフォーマルなポリマー互換酸化物を成膜します。PECVD同システムは、ほぼすべての先進的なDRAM、NANDフラッシュ、NORフラッシュ工場で採用されており、業界初の商用PECVDアッシャブルアモルファスカーボン膜を作成し、浅溝分離、ゲート、ビットライン、コンタクト、コンデンサー、配線のパターニングを行います。PECVDTSV製造には、デバイスウェーハの薄化や、ガラスまたはシリコン製の一時的なキャリアへの仮貼り合わせの工程があります。RCスケーリングをさらに進めることができます。IIナノ多孔質Low-k膜は、k値約2.5の45/32nm銅/Low-k配線での業界標準です。ナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。システムは、歪み誘起窒化膜の形成と紫外線硬化プロセスを統合した初のソリューションで、低いサーマルバジェット要件を満たしながら、最高引っ張り応力1.7GPa(2.0GPaまで拡張可能)を達成します。面積当たりの機能をより高めるため、チップ上のトランジスタを小型化し続けています。トランジスタの小型化が進むに連れて、それらの間隔も狭くなり、トランジスタ同士を物理的に分離することがますます困難になってきました。CVDTSVプロセスへの多様化を進めているお客様にとって、InViaシステムはベンチマークプロセスを提供するだけではなく、TSV製造シーケンスにおける導入実績という付加価値をもたらします。同プロセスはビアミドルTSVのサーマルバジェットと等角性要件を唯一、満たすものです。NAND製造へと移行できるようになります。第1世代のHARP膜よりもギャップフィル性能が向上しました。Reserved.[+]。