Solutions技術用語集パターニング最先端の半導体チップに何十億個というトランジスタを集積化するには、複雑なリソグラフィ手法を駆使し、人の髪の毛の千分の一より小さな構造を形成する必要があります。マテリアルズは、現在のリソグラフィ装置の限界を複数世代拡張する技術を使い、光の波長より小さいパターニングを行えるよう、お客様をサポートします。おいて、欠陥のレビュー、分類、解析は、半導体の製造シーケンスにおける個々の工程の品質を監視、管理する手段として、非常に重要です。検査装置は、忠実な空間像と先進の高精細画像を独自に組み合わせた第4世代の193nmベースの検査装置です。CTSマスクコートシリーズ世界トップクラスのCD均一性は、レジストコートの品質に依存します。ナノメータのスケールでは、数多くの要因が精度に影響を与えます。MRCマスク洗浄シリーズ193iおよびEUVリソグラフィーを使用したフォトマスクの洗浄方法は、繊細なマスク材料とマスクが使用される環境によって決まります。SFBマスクベークシリーズフォトマスク製造向けに化学的に増幅されたレジストの使用には、パターン露光によって開始された化学反応を完結する、ポスト露光ベーク(PEB)ステップの厳密な制御が要求されます。最終的なパターン形状はベーク温度および時間の影響を受けます。SFDマスク現像シリーズ露光されたレジストパターンの正確な現像は、コート、露光、ベークにおいて、高度に制御されたプロセスを経たフォトマスクのCD均一性を保つために非常に重要です。これを達成するためには、マスク表面に均一かつ同時に現像液を供給する必要があります。Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。シリコンエッチチャンバの包括的な再設計が促進されました。Ownership)を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。EtchEUVフォトマスクは、193nm波長の光を選択的に透過して回路パターンを投影する従来のフォトマスクとは基本的に異なる。Zは、10nm世代以降のロジック/メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。Inspectionデザインルールが一桁台のノードまで微細化し、デバイスのアーキテクチャがより高密度かつ複雑になっていくに従い、製造プロセスにはより多くのプロセスが含まれ、プロセス制御の制限はより厳しく、致命的となる欠陥のサイズはより小さくなっていきます。PECVD同システムは、ほぼすべての先進的なDRAM、NANDフラッシュ、NORフラッシュ工場で採用されており、業界初の商用PECVDアッシャブルアモルファスカーボン膜を作成し、浅溝分離、ゲート、ビットライン、コンタクト、コンデンサー、配線のパターニングを行います。ロジックおよびメモリチップのさらなるスケーリングにおいて、ムーアの法則を継続していく、前例のない能力を提供します。同プロセスでは、一層から複数層まで、これまでにない選択制で膜上の目標物質を除去します。CD-SEMシステムは、この種の装置では初となるインライン3D機能を備え、1xnmノード以降のロジックやメモリデバイスの大容量計測を実施することができます。Reserved.[+]。