KDD)〜個別半導体・他〜光ファイバの最低損失波長が1.55μm付近にあることが判り、1.55μm帯で1Gb/sを超える高速で、ロングスパン(50km超)の光伝送が要求されるようになった。当時用いられていたファブリペロー型レーザーは、高速変調をかけると多モード発振になり、上記要求を満足できない。高速変調時にも単一縦モード発振を維持する動的単一縦モードレーザーの開発が世界的に活発になった。当時検討された手法は、図1に示すような、(1)分布帰還型(DFB)レーザー、(2)分布反射型(DBR)レーザー、(3)複合共振器レーザー、(4)外部回折格子レーザー、(5)注入同期型レーザー、(6)短共振器レーザーであった。欧米では、半導体チップには手をつけない(1)、(4)、(5)が活発に検討されたが、素子製作技術で先行していた日本では、(1)、(2)のモノリシックレーザーの開発が進められた。NTTの松岡らが分布帰還(DFB)型、東工大の阿部らが分布反射(DBR)型レーザーの室温連続発振に成功し、モノリシック型が世界の主流になった。F-1.6G方式の本格運用に寄与した。Multiplexing)伝送の波長可変光源へ発展した。動的単一モードレーザーは、1.6Gb/s以上の高速変調時に、チャ—ピングと呼ばれる微小な波長変化が生じ波形伝送歪が発生することが判り、チャ—ピング制御が重要課題となった。Well)さらにはひずみ量子井戸構造にする、DFB-MQWレーザーで大幅にチャ—ピングを減らすことに成功した。システムに採用された。