(1/3)今回は、10nm世代にArF液浸露光技術を適用する場合の2つ目の課題である「製造コストの急増」に焦点を当てる。ArF液浸露光技術とEUV(極端紫外線)露光のコストを比較すると、どんな結果になるのだろうか。Beyond」の前半をご紹介した。本稿(後編)では、Renwick氏による講演の後半をご報告しよう。前編の後半では、10nm世代以降の微細なパターンを量産するときには露光装置(スキャナー)のオーバーレイ(重ね合わせ)誤差が量産の可否を左右することと、露光の繰り返しによってスキャナーのレチクルとレンズが加熱されて変形することがオーバーレイ誤差を変動させることを説明した。Interferometry)」と呼ぶ技術を開発した。ロットの露光を繰り返している途中でオーバーレイ誤差を測定し、レンズの位置を微調整して補正をかける技術である。スキャナーのスループットをそれほど損なわずに、補正を実行できるという特徴を有する。この技術を導入したところ、かなり極端な(悪い)条件でも、オーバーレイ誤差をウエハー間で3nm未満に抑えることができた。10nm世代以降のCMOSロジックの量産に十分な性能である。「高速マルチポイントPMI」技術の導入によるオーバーレイ誤差の実測結果(2番目のロット)。露光条件はドーズ量が55mJとかなり多い。かかわらず、25枚のウエハーを露光したときのオーバーレイ誤差は「平均値プラス(標準偏差の3倍)」で2.40nmに抑えられている(クリックで拡大)最初のロットに続けて2番目のロットを露光したとき(ホットスタート)の実測結果。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。