トランジスタ」(MOSFET)の実用化につながるプロセス技術を開発した。「JFET」と呼ばれる既存の素子に比べ、MOSFETはスイッチング速度を約2倍に高められる。シリコンの性能をしのぐ高性能な窒化ガリウムパワー半導体の実現が近づく。窒化ガリウムのMOSFETは一般に、ゲート駆動が容易なため高速化できる。しきい値電圧の変動が大きく、素子の特性がバラつくため、実用化に至っていない。JFETはゲート駆動に電流容量が必要で、高速化に課題があった。東芝は今回、窒化ガリウムMOSFETのしきい値電圧の変動が、ゲート絶縁膜に含まれる不純物に起因することを突き止めた。絶縁膜中の不純物である水素原子やフッ素原子を最大限取り除くプロセス技術を開発した。05:00)※このニュースの記事本文は、会員登録(無料・有料)することでご覧いただけます。月11本まで閲覧できるなど、一部機能をご利用いただけます。Pencilポケット付きクリアカバーを発売。外部評価を受けたい調査・分析をしてほしい掲載記事の無断転載を禁じます。SHIMBUN,LTD.マイクリップ機能は会員限定サービスです。有料購読会員は最大300件、無料登録会員は最大30件の記事を保存することができます。会員登録/ログインこのサイトでは、アクセス状況の把握や広告配信などのためにクッキー(Cookie)を使用してしています。このバナーを閉じるか閲覧を継続した場合、クッキーの使用に同意したこととさせていただきます。クッキーの設定や使用の詳細についてはプライバシーポリシーページをご覧ください。