0132各電極において、n,ΦB値を求めた。表1に、接合境界部外に形成したショットキーバリアダイオードのデバイス特性を示す。表2に、接合境界部上に形成したショットキーバリアダイオードのデバイス特性を示す。接合境界部上の電極を除くArea−A〜Dの領域での評価結果)。結晶中央部での境界を境として、挿入図に示すようにそれぞれArea−A〜Dと区分した。regionsとして表示した。n値は1.15〜1.33と見積もられた。理想因子n=1に近い値が得られており、拡散電流が支配的であることが分かった。