methods,そしてさらに特定的には集積回路のフリップチップ取り付けおよび封入に関する。bump)相互接続が開発された。フリップチップ集積回路のためのはんだバンプ相互接続技術は何らかの形でおよそ20年間使用されてきている。初期の、複雑性の少ない集積回路は典型的には周辺に接点部を有するのに対し、フリップチップバンプ技術はそれが全範囲の領域のアレイに進むに応じて相互接続密度のかなりの増大を許容した。制御された崩壊(コプラス:collapse)チップ接続はダイ上のウエット可能な金属端子に被着されたはんだバンプおよび基板上のはんだによりウエット可能な端子の整合するフットプリントを利用する。上下逆の集積回路(フリップチップ)が基板に整列されかつすべての接合がはんだをリフローすることにより同時に行われる。制御されたコラプス方法においては、はんだのバンプが集積回路の端子上に被着される。正確に形成されたはんだバンプをダイ表面上に被着するための数多くの機構が長年にわたる非常な努力の課題であり、この問題に対する各々の解決方法はかなり欠点を有している。最善の方法でさえもダイにかなりのコストおよび処理ステップを加える。film,基板の金属化部分の先端へのはんだの流れを制限する。substrate.同様に、集積回路上のはんだの流れは集積回路上の化学蒸着されたガラスのパッシベーションの表面被覆に露出した金属上のはんだ可能なパッドの大きさにより制限される。circuit.【0004】はんだ合金の選択は融点に基づき規定される。鉛の多いはんだはその合金の高い融点のため集積回路をアルミナセラミック基板に接合する場合に使用され、組み立てられた回路のさらに他の処理を許容する。assembled.エポキシまたはポリイミド回路板のような有機キャリアへの接合は低い融点のはんだ合金を必要とする。/インジウムはんだ(融点220°C)のようなはんだが使用されてきている。used.【0005】端子の冶金の選択は選択されるはんだに依存する。銀および金はよくない選択であるが、それはこれらがはんだ中に急速に溶解するからである。Therefore,銅、錫、鉛、パラジウム、プラチナ、またはニッケルが一般に回路基板の端子として使用され、かつクロム、チタン、またはニッケル薄膜が一般に集積回路の端子に使用される。circuits.【0006】集積回路を基板に接合するためには、フラックス、水−ホワイトロジンまたは水溶性のフラックス、が集積回路を定位置に保持するための一時的な接着剤として基板上に付加される。該アセンブリはリフロー熱サイクルにさらされ、オーブンまたは炉の中でダイを基板に接合する。はんだの表面張力がダイを基板の端子に自己整列することを助ける。リフローの後、フラックス残留物がダイの腐食を防止するために除去されなければならない。塩素を含む、フッ素を含むあるいは炭化水素の溶剤がロジンを除去するために使用され、あるいは表面活性剤の水溶液が水溶性のフラックスを除去するために使用される。ダイの基板への緊密な接近により(典型的には、0.001から0.004インチ、すなわち0.0254ミリメートルから0.102ミリメートル)、ダイの下からフラックス残留物を除去することは高度なクリーニング体制およびかなりの時間の消費を必要とする困難な作業である。全てのフラックス残留物の完全な除去を保証することが産業上の多くの努力の課題であった。industry.【0007】クリーニングの後、アセンブリは電気的に試験され、かつさらに環境的な保護を与えるためにパッケージングが付加される。パッシベーション、封入、またはカバーの付加が通常の方法である。封入の場合、液体ポリマがダイの回りおよび下に付加される。(silicones)およびエポキシであり、エポキシがより多く好まれていた。エポキシのセラミック基板への付着はシリコーンに比べて優れている。エポキシの膨脹係数はセラミック充填剤を添加することによって低くすることができる。これは基板と封入材との間に生ずる熱的ストレスを低減する。低い膨脹係数を備えたエポキシの接着剤の重要性はフリップチップのアプリケーションに対しては強調しすぎることはない。硬化したエポキシは堅くかつシリコーンの柔軟性を持たない。従って、もしそれらの膨脹係数が充填剤によって低くならなければ、初期のデバイスの故障がダイのクラックの形成から生じ得る。無機充填剤の使用もまた熱伝導率およびイオンの汚染物質のレベルに影響を与える。ions.【0008】ダイおよび基板の間の非常に小さなギャップは装置に対し最大の環境的保護を提供するためには完全に満たされなければならない。デバイスを封入する過去の努力は、米国特許第4,604,644号に述べられているように、ダイの中央部に欠如領域を残し、有機レジンが該ダイの周辺に付加され、かつ前記空間に毛管作用により引き入れられた。ダイの大きさが増大するに応じて、毛管作用の制限された効力はより微妙なものとなりかつダイのさらに大きな領域が保護されないままとなった。[0009]【発明が解決しようとする課題】ダイの表面を封入する他の方法は上記制限を、ダイの中央に位置する、基板の穴を通して有機レジンを付加することにより克服しようと試みた。はんだ付けおよびクリーニング操作の後、封入樹脂がダイの表面の完全なカバレージを保証するために、前記穴に付加されかつダイの周辺回りにも付加された。この方法は前記穴のために使用されない空間を提供するために、回路のない基板の領域を確保する必要性を生ずる。circuit.【0010】明らかに、はんだバンプを除去し、ダイ表面の完全な被覆を保証し、かつ基板の利用可能な領域の最大の使用を許容するフリップチップ集積回路を封入する改良された方法が必要である。summary,本発明によれば、フラックス剤およびはんだの粒子を含む接着材料が金属化パターンを有する基板かあるいは電気的コンポーネントに付加される。該コンポーネントが基板上に配置されかつ接着材料が加熱される。加熱段階の間、フラックス剤がはんだ粒子の基板の金属化パターンおよびコンポーネントへの接着を促進し、かつ接着材料が硬化(キュア)され、基板およびコンポーネントを機械的に相互接続し、封入し、かつパッシベートする。[0012]【実施例】図1を参照すると、電気的終端部150を有する集積回路ダイ130がフラックス剤、硬化剤、および金属粒子を含む接着材料120でコーティングされている。接着材料はダイの表面にわたり一様に広がっており、電気的終端部およびダイの残りの部分の双方を覆っている。図2を参照すると、接着材料220はフラックス剤(図示せず)、硬化剤(図示せず)、および金属粒子240を含みそれにより接着材料が室温で直ちには硬化しないように処方されている。適切な接着材料の例はビスフェノールAおよびエピクロロヒドリンから作られたエポキシ樹脂である。Co.の取引名で商業的に入手可能である。硬化剤またはハードナーはアミン、無水物、あるいは他の適切な反応剤である。適切なハードナーを有するポリエステル樹脂のような他の2材料型樹脂システムもまた互換性がある。フラックス剤の目的は金属粒子240に対するフラックス作用を提供することである。acid,およびポリアクリル酸がフラックス剤として有用であることが分かっている。hydroxyl,ベンジルまたはいずれかの他の電子吸引グループである。接着材料中に存在するフラックス剤の量は特定のフラックス剤の活動、選択された金属合金、および基板の金属化システムに応じて約0.1から約16重量%の範囲とすることができる。使用される金属粒子の量は接着材料の約50から約85重量%に及ぶ。20ミクロンの範囲である。金属粒子として使用される適切な金属は錫,鉛、インジウム、ビスマス、アンチモン、銀、あるいはこれらの金属の合金である。200と整列するように配置される。デバイス230は金属化パターン210と緊密な接触に向けて動かされる。接着剤220はデバイスの表面を環境的な汚染から保護するためにデバイス230と基板200との間に連続的な封入部を提供する。pollution.【0014】図面は集積回路デバイス230が基板に封入されかつ接続されるものを示しているが、他のタイプの表面実装型コンポーネントを用いた実施例もまた本発明の範囲内にある。210への合金化を許容する。加熱処理の間、接着剤は縮みかつ基板−金属粒子−デバイス終端部のインタフェースに圧力を及ぼす。接着システムの特定の化学に応じて、第2のキュアリング後の操作が接着材料220を完全に硬化させるために必要であるかもしれない。リフロー/キュアリング段階の間に、デバイスは封入される。接着材料220はデバイスの表面を環境的な汚染から保護するためにデバイス230と基板200との間に連続的な封入部を提供するから、これ以上のクリーニングまたは封入操作は必要でない。circuitが維持される。maintained.【0016】以下に示す実例は発明の実施のモードを示すものでありかつその請求の範囲を不当に制限することを意図するものではない。次の処方に従ってフラックス剤およびハードナーを含む接着材料が準備された。Companyから入手可能なビスフェノールA−エピクロロヒドリン型エポキシ樹脂である。それは半導体デバイスを封入する用途のために処方されている。ProductsCompanyから入手可能な無水物硬化剤またはハードナーである。他のタイプの2材料型エポキシまたはポリエステル樹脂もまた本発明の範囲内で所望の結果を得るために使用できる。Chemicalのような会社から入手可能である。マリック酸およびエポキシのパートAがアルミニウムの平なべに加えられた。混合物は溶液がクリアになるまで、かき混ぜながら約150°Cまで加熱された。37%鉛)が平なべに加えられ、かつ混合物は一様になるまでかき混ぜられた。混合物の一部が集積回路の終端部に対応するはんだコートされた金属化パターンを含むポリイミド回路板にコーティングされた。ポリイミド板ははんだ球のリフローを保証するため185°Cを越える温度にまで加熱された。約30秒後に、ポリイミド回路板は熱源から外されかつ室温まで冷却された。アセンブリははんだリフローおよび球体のポリイミド回路板かつまた集積回路へのウエッティングを確認するために30倍の顕微鏡のもとで調査された。20重量%のリンゴ酸のメタノール溶液が銅被覆された金属化パターンを含むプリント回路板上にスプレーされ、かつ乾燥された。プリント回路板は約145°Cにまで加熱されかつ支持されない接着剤のフィルムがプリント回路板上に置かれ、金属化パターンを覆った。接着剤は、はんだ球で満たされた、ビスフェノール−Aおよびエピクロロヒドリンから作られたエポキシフィルムであった。よって販売されており、かつ米国特許第4,747,968に記載されている。マリック酸の溶液が接着剤上にスプレーされ、乾燥され、かつ集積回路が接着剤上にフェースダウンで載置された。プリント回路板および集積回路が接合された後、アセンブリは熱源から取り除かれ、室温まで冷却され、かつはんだリフローおよび球体のプリント回路板および集積回路への冶金学的ウエッティングを確認するために30倍の顕微鏡のもとで調査された。[0019]【発明の効果】フラックス特性を有する異方的に伝導する接着剤が表面実装コンポーネント、かつ特にフリップチッフ集積回路をはんだリフローしかつ封入し、そしてパッシベートするために使用できることとなり、この場合集積回路のアクティブ面の外部環境からの保護が維持される。DRAWINGS【図1】本発明に関わる接着材料でコーティングされたデバイスを示す平面図である。invention.【図2】本発明に従いデバイスを基板に取り付けた状態を示す部分的正面図である。具備し、前記金属粒子はリフローの間に溶解して前記電気的コンポーネントと前記基板に対する冶金学的接合を形成し、かつ前記接着材はリフローの後に異方導電特性を有することを特徴とするフラックス剤および金属粒子を有する接着剤。iodine,硫黄、水酸基、ニトリル、およびベンジルからなるグループから選択されることを特徴とする請求項1に記載の接着剤。前記フラックス剤はリンゴ酸であることを特徴とする請求項1に記載の接着剤。具備することを特徴とする電気的コンポーネント組立体。iodine,硫黄、水酸基、ニトリル、およびベンジルからなるグループから選択されることを特徴とする請求項4に記載の電気的コンポーネント組立体。前記フラックス剤はリンゴ酸であることを特徴とする請求項4に記載の電気的コンポーネント組立体。