境界上では点状のパターンに加え。網目状の模様が全体的に観測された。転位等の結晶欠陥が高密度に存在していることが推測される。図80118<単結晶ダイヤモンド基板の接合境界部の電気的特性評価>上記で得られた単結晶ダイヤモンド基板について、接合境界部の電気的特性評価を行った。疑似縦型ショットキーバリアダイオードを試作するため、単結晶ダイヤモンド基板の上に、p+導電層およびp−ドリフト層を積層して積層体(疑似縦型ショットキーバリアダイオード(pVSBD)用積層ダイヤモンド)を得た。p+導電層、p−ドリフト層のドーピング濃度は、各1020、1018/cm3程度とした(図9参照。図9の「窒素ドープ半絶縁性基板」が、単結晶ダイヤモンド基板に対応する。この積層体上(p−ドリフト層側)に、リソグラフィーを用いてショットキー電極を形成した。ショットキー電極はMo/Auとし、リフトオフ法によってデバイスを形成した。続いて、オーミック電極として、メタルスルーマスクを用いてTi/Mo/Auを10nm/10nm/30nmの厚さで形成した。それぞれのプロセス条件(CVD合成条件及び電極形成条件)は、以下の通りである。mmΦ0123図10及び図11に、上記で作製した積層体のデバイスマップ(pVSBDデバイスマップ)を示す。μmの電極を配置し、また、接合境界部外(各モザイク部の中央部に位置)に電極径の異なる素子を配置した。μmとし、電気特性による良・不良品率評価(Murphyプロット)から欠陥密度を評価できるようにした。本素子において、フィールドプレートやJTEなどの縁辺終端技術は用いなかった。前記で得られた積層体(疑似縦型ショットキーバリアダイオード)の電流電圧特性を評価した。前記で得られた積層体(疑似縦型ショットキーバリアダイオード)のデバイス構造を図12に示す。μmのショットキー電極が並んでおり、接合界面がデバイス特性に与える影響を評価できる。用い、室温・大気中で測定した。図120125接合境界部上に形成したショットキーデバイスのI−V特性を図13に示す。境界の有無に関わらず、明瞭な整流動作を確認した。A以下のリーク電流が確認された。整流比は最大で108であった。doi:10.1016/j.diamond.2006.08.030.」)が、その結果に反して、接合境界部上においても接合境界部外と同一のデバイス特性が得られることが分かった。29」の論文の方法や、特許文献3、特許第4849691号、国際公開2011/074599A1、特開2015−67516号公報、特開2015−67517号公報などで採用されているモザイク状ダイヤモンドの製造方法のように、接合境界部には空隙が存在していないこと)による効果であると考えられる。具体的には、単結晶ダイヤモンド基板の接合境界部が、レーザ励起波長785nmでのラマンスペクトルにおいて、ダイヤモンドに起因する1332cm-1付近のピークの半値全幅が、接合境界部とは異なる部分でのピーク半値全幅よりも広がって観察される部分であり、かつ、当該接合境界部の幅が200μm以上の接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板を用いていることにより、接合境界部においても、連続的な結晶構造については維持されており、接合境界部においても、デバイスの形成が可能となっていると考えられる。上記で得られた単結晶ダイヤモンド基板について、接合境界部から充分離れた領域において、図14に示す通りショットキー電極の面積が異なるデバイスを作製した。巨大リーク電流が生じ、順方向にオーミックライクの伝導パス(マルチバリア成分)を有する素子を欠品として判定した。