MOSFETゲートドライバIC概要CoolSiCTMMOSFETに最適なゲートドライバICCoolSiCTMMOSFETなどの超高速スイッチング1200Vパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使い容易に制御できます。そのため、インフィニオンのコアレストランス技術に基づく、EiceDRIVERTMガルバニック絶縁ゲートドライバICのご使用をお勧めします。MOSFETを駆動するうえで重要な機能やパラメータを実装しています。製品ハイライト絶縁ゲートドライバのラインナップについては、インフィニオンのEiceDRIVERTMゲートドライバ・セレクションガイドの製品ラインナップ概要をご覧ください。MOSFETを駆動するうえで重要な機能やパラメータを実装しています。推奨ドキュメント技術資料他ボードソフトウエア&ツールシミュレーションビデオすべてのスイッチにはドライバが必要。すべてのドライバにはスイッチが必要。1:41クリックをして、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージを揃えた包括的なゲートドライバのラインナップ詳細についてご覧ください。インフィニオンの専門家の知識を、ぜひお客様のアプリケーションにご活用ください。モータドライブ、ソーラーインバータ、UPS、スイッチドモードパワーサプライ、高電圧照明など、様々なアプリケーションに最適な理由をご説明します。インフィニオンのゲートドライバについてご関心をお持ちですか?インフィニオンのゲートドライバ製品のラインナップについて、ぜひビデオをご覧になってください。MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。