×この技術を簡単クリック査定この機能をご利用いただくには、会員登録(無料)が必要です。出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。この項目の情報は公開日時点(2016年5月19日)のものです。原料化合物24aを霧化する霧化部24、霧化部24により発生したミストをキャリアガス22で基体まで搬送する搬送部、および該ミストを熱処理して該基体上に成膜する成膜部27を備える成膜装置19において、霧化部24に原料化合物としての無機塩を霧化する霧化手段26を備え、成膜部27に溶媒の気化温度以上の温度で、かつ無機塩が熱酸化温度を有する場合には、熱酸化温度未満の温度でミストを加熱する熱処理手段28を備える成膜装置19。膜を基板上に形成する技術が検討されている。特許文献1には、配向した水酸化物の膜を基板上に形成することが記載されており、実施例では、噴霧法(スプレー法)で水酸化物膜を成膜している。成膜方法として、ミストCVD法が知られている。特許文献2〜5には、ミストCVD法を用いて、金属塩や金属錯体から金属酸化物の膜を成膜することが記載されている。非特許文献1の記載にあるように、ミストCVD法による種々の金属酸化物の成膜が検討されている。ミストCVD法は、酸化膜の成膜に適していると考えられているため、金属水酸化物その他金属塩の膜の成膜への適用についてはあまり検討されておらず、検討例もない。無機塩の膜と基体との密着性に優れており、均質な無機塩の膜を工業的有利に成膜できる成膜装置および成膜方法を提供する。溶媒中の原料化合物24aを霧化する霧化部24、霧化部24により発生したミストをキャリアガス22で基体まで搬送する搬送部、および該ミストを熱処理して該基体上に成膜する成膜部27を備える成膜装置19において、霧化部24に原料化合物としての無機塩を霧化する霧化手段26を備え、成膜部27に溶媒の気化温度以上の温度で、かつ無機塩が熱酸化温度を有する場合には、熱酸化温度未満の温度でミストを加熱する熱処理手段28を備える成膜装置19。温度で前記ミストを加熱する熱処理手段を備えることを特徴とする成膜装置。請求項2前記無機塩が金属塩である請求項1記載の成膜装置。請求項3前記金属塩が金属水酸化物である請求項2記載の成膜装置。請求項4前記金属塩がアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩である請求項2または3に記載の成膜装置。請求項5前記原料化合物がカルシウム化合物である請求項1〜4のいずれかに記載の成膜装置。請求項6前記溶媒が、水を含む請求項1〜5のいずれかに記載の成膜装置。請求項7前記熱処理を、200°C〜500°Cの温度で行う請求項5記載の成膜装置。温度で行うことを特徴とする成膜方法。請求項9前記無機塩が金属塩である請求項8記載の成膜方法。請求項10前記金属塩が金属水酸化物である請求項9記載の成膜方法。請求項11前記金属塩がアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩である請求項9または10に記載の成膜方法。請求項12前記原料化合物がカルシウム化合物である請求項8〜11のいずれかに記載の成膜方法。請求項13前記溶媒が、水を含む請求項8〜12のいずれかに記載の成膜方法。請求項14前記熱処理を、200°C〜500°Cの温度で行う請求項12記載の成膜方法。0001本発明は、無機塩の成膜に有用な成膜装置および成膜方法に関する。背景技術0002従来、水酸化物の膜を基板上に形成する技術が検討されている。特許文献1には、配向した水酸化物の膜を基板上に形成することが記載されており、実施例では、噴霧法(スプレー法)で水酸化物膜を成膜している。特許文献1の方法では、水酸化物膜の密着性において、実用化できるものではなく、また、膜の均質性においても満足のいくものではなく、まだまだ多くの課題があった。0003一方、金属酸化物の成膜方法として、ミストCVD法が知られている。特許文献2〜5には、ミストCVD法を用いて、金属塩や金属錯体から金属酸化物の膜を成膜することが記載されている。非特許文献1の記載にあるように、ミストCVD法による種々の金属酸化物の成膜が検討されている。ミストCVD法は、酸化膜の成膜に適していると考えられているため、金属水酸化物その他金属塩の膜の成膜への適用についてはあまり検討されておらず、検討例もない。発明が解決しようとする課題0006本発明は、無機塩の膜と基体との密着性に優れており、均質な無機塩の膜を工業的有利に成膜できる成膜装置および成膜方法を提供することを目的とする。温度で前記ミストを加熱する熱処理手段を備える成膜装置を用いて、無機塩を成膜すると、得られた無機塩が基体との密着性に優れていること、また、種々の基体上に均質な無機塩の膜を成膜できること、工業的有利に成膜できること等を種々知見し、このような成膜装置が、上記した従来の課題を一挙に解決できることを見出した。0008すなわち、本発明は、以下の発明に関する。温度で前記ミストを加熱する熱処理手段を備えることを特徴とする成膜装置。前記無機塩が金属塩である前記[1]記載の成膜装置。前記金属塩が金属水酸化物である前記[2]記載の成膜装置。前記金属塩がアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩である前記[2]または前記[3]に記載の成膜装置。前記原料化合物がカルシウム化合物である前記[1]〜前記[4]のいずれかに記載の成膜装置。前記溶媒が、水を含む前記[1]〜前記[5]のいずれかに記載の成膜装置。前記熱処理を、200°C〜500°Cの温度で行う前記[5]記載の成膜装置。温度で行うことを特徴とする成膜方法。前記無機塩が金属塩である前記[8]記載の成膜方法。前記金属塩が金属水酸化物である前記[9]記載の成膜方法。前記金属塩がアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩である前記[9]または前記[10]に記載の成膜方法。前記原料化合物がカルシウム化合物である前記[8]〜前記[11]のいずれかに記載の成膜方法。前記溶媒が、水を含む前記[8]〜前記[12]のいずれかに記載の成膜方法。前記熱処理を、200°C〜500°Cの温度で行う前記[12]記載の成膜方法。前記[8]〜前記[14]のいずれかに記載の成膜方法により得られた膜。発明の効果0009本発明の成膜装置は、無機塩の膜と基体との密着性に優れており、均質な無機塩の膜を工業的有利に成膜できるという効果を奏する。図面の簡単な説明0010本発明の実施例で用いたミストCVD装置の構成図を示す。温度で前記ミストを加熱する熱処理手段を備えることを特徴とする。温度で行うことを特徴とする。0013前記原料化合物は、無機塩であれば特に限定されないが、本発明においては、前記無機塩が、カルシウム化合物であるのが好ましい。前記無機塩は、金属塩が好ましく、前記金属塩は、金属水酸化物であるのがより好ましい。前記金属塩は、アルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩であるのも好ましい。アルコキシド、カルボン酸塩、リン酸塩、アジド、オクタン酸塩、ナフテン酸塩などが挙げられる。具体的には、例えば水酸化カルシウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化マグネシウム、水酸化ストロンチウム等の水酸化物、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム等の炭酸塩、例えばリチウムメトキシド、ナトリウムマトキシド、カリウムメトキシド、ルビジウムメトキシド、セシウムメトキシド、カルシウムメトキシド、マグネシウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシドなどのアルコキシド、例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、シュウ酸ナトリウム、シュウ酸カリウム等のカルボン酸塩、例えばリン酸ナトリウム等のリン酸塩、例えばアジ化リチウム、アジ化ナトリウム、アジ化カリウム、アジ化ルビジウム、アジ化セシウム、ジアジドマグネシウム、ジアジドカルシウム、ジアジドストロンチウム等のアジド、オクタン酸リチウム、オクタン酸ナトリウム、オクタン酸カリウム、オクタン酸ルビジウム、オクタン酸セシウム、ビスオクタン酸マグネシウム、ビスオクタン酸カルシウム、ビスオクタン酸ストロンチウム等のオクタン酸塩、例えばナフテン酸リチウム、ナフテン酸ナトリウム、ナフテン酸カリウム、ナフテン酸ルビジウム、ナフテン酸セシウム、ナフテン酸マグネシウム、ナフテン酸カルシウム、ナフテン酸ストロンチウム等のナフテン酸塩などが挙げられる。本発明においては、前記金属塩が、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物であるのが好ましく、アルカリ土類金属の水酸化物であるのがより好ましい。溶媒と混合して、液状またはゾル状で霧化に用いる。前記溶媒としては、水および/または有機溶媒(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、モノメトキシエタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール;アセトン、メチルケトン等のケトン類、又はこれらの混合液等)などが挙げられるが、本発明においては、前記溶媒が水を含むのが好ましく、水または水とアルコールとの混合溶媒であるのが好ましい。0015前記原料化合物と前記溶媒との混合液の配合割合は、混合液に対して、原料化合物0.01〜60質量%であるのが好ましく、ハロゲン化金属塩0.1〜50質量%であるのがより好ましい。0016前記基体は、前記無機塩の膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体材料であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。本発明では、基体の形状によらず、均質な膜を得ることができるので、種々の形状を有する基体に適用可能である。リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されないが、好ましくは、10〜2000μmであり、より好ましくは50〜800μmである。0017前記基板は、絶縁体基板であってもよいし、半導体基板や導電体基板等の導電性基板であってもよいが、本発明においては、前記基板が、絶縁体基板であるのが好ましい。基板材料は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知のものであってよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などが挙げられる。半導体基板としては、例えば、例えば、Si、SiGe、SiCなどが含まれているシリコン系半導体基板、GaAs、GaN、GaPなどが含まれているガリウム系半導体基板、InP、InAsなどが含まれているインジウム系半導体基板などが挙げられる。導電体基板としては、例えば、金属やステンレスなどが含まれている導電体基板等が挙げられる。0018本発明においては、前記基板が、ガラス基板であるのが好ましい。熱や温湿度に対する寸法変化がより少なく、また、後工程において使用される処理液等に対する耐性も汎用性も高いからである。前記ガラス基板は、無アルカリガラス基板が好ましく、このような好適な無アルカリガラス基板としては、例えば、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板などが挙げられる。より発生したミストをキャリアガスで基体まで搬送する搬送部、および該ミストを熱処理して該基体上に成膜する成膜部を備えている。前記霧化部は、前記溶媒中の前記原料化合物を霧化できれば特に限定されない。本発明においては、前記霧化部が、少なくとも超音波振動子を備えており、超音波振動によって、前記原料化合物を霧化する手段を有しているのが好ましい。前記搬送部は、前記霧化部により発生したミストを前記キャリアガスで基体まで搬送できれば特に限定されない。温度で前記ミストを加熱する熱処理手段を備えている。0020本発明では、前記成膜装置を用いて、前記溶媒中の前記原料化合物を霧化し(霧化工程)、発生したミストをキャリアガスで前記基体まで搬送し(搬送工程)、該ミストを熱処理して該基体上に成膜する(成膜工程)。0021霧化工程では、溶媒中の原料化合物を霧化してミストを発生させる。霧化手段は、前記原料溶液を霧化できさえすれば特に限定されず、公知の霧化手段であってよいが、本発明においては、超音波を用いる霧化手段であるのが好ましい。超音波を用いることによって、より密着性に優れた膜を成膜することができる。0022搬送工程では、前記キャリアガスによって前記ミストを前記基体へ供給する。キャリアガスの種類としては、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、例えば、酸素、オゾン、窒素やアルゴン等の不活性ガス、または水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスなどが好適な例として挙げられる。キャリアガスの種類は1種類であってよいが、2種類以上であってもよく、キャリアガス濃度を変化させた希釈ガス(例えば10倍希釈ガス等)などを、第2のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。キャリアガスの供給箇所も1箇所だけでなく、2箇所以上あってもよい。前記キャリアガスの流量は、特に限定されないが、0.01〜20L/分であるのが好ましく、1〜10L/分であるのがより好ましい。0023成膜工程では、前記ミストを熱反応させて、前記基体表面の一部または全部に成膜する。前記熱反応は、酸化を伴わない反応であれば特に限定されない。本発明においては、前記熱処理を、200°C〜500°Cの温度で行うのが好ましく、250°C〜400°Cで行うのが好ましい。ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよいが、本発明においては、酸素雰囲気下が好ましい。酸素雰囲気下で行うことにより、工業上有利に成膜できるからである。大気圧下で行うのも工業上有利に成膜できるので好ましい。膜厚は成膜時間を調整することにより、設定することができる。0024上記のように好適な成膜方法で得られた無機塩の膜は、基板との密着性に優れており、均質な膜が成膜できる。0025以下、本発明の実施例を説明する。0026<実施例1>まず、図1を用いて、本実施例で用いたCVD装置19を説明する。CVD装置19は、絶縁体基板等の被成膜試料20を載置する試料台21と、キャリアガスを供給するキャリアガス源22と、キャリアガス源22から送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23と、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、内径40mmの石英管からなる成膜室27と、成膜室27の周辺部に設置されたヒータ28を備えている。試料台21は、石英からなり、被成膜試料20を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室27と試料台21をどちらも石英で作製することにより、被成膜試料20上に形成される薄膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。図10027水酸化カルシウム水溶液(濃度:0.02g/L)を原料溶液として用いた。この原料溶液24aをミスト発生源24内に収容した。次に、被成膜試料20として、1辺が10mmの正方形で厚さ600μmのガラス基板を試料台21上に設置させ、ヒータ28を作動させて成膜室27内の温度を350°Cにまで昇温させた。次に、流量調節弁23を開いてキャリアガス源22からキャリアガスを成膜室27内に供給し、成膜室27の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を5L/minに調節した。キャリアガスとしては、酸素ガスを用いた。0028次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、原料溶液24aを微粒子化させて、原料微粒子を生成した。この原料微粒子が、キャリアガスによって成膜室27内に導入され、成膜室27内で反応して、被成膜試料20上に薄膜を形成した。得られた薄膜の組成を調べたところ、水酸化カルシウムであった。0029<比較例1>ミストCVD装置の代わりに噴射式のスプレーを用いて成膜したこと以外は、実施例1と同様にして基板上に水酸化カルシウム膜を成膜した。0030<試験例1>実施例1および比較例1で得られた薄膜と、基板との密着性を評価した。手で剥離可能なものを「×」と評価し、金属製の切削工具を用いて剥離可能なものを「△」、全く剥離できなかったものを「○」と評価した。0031実施例0032表1から、実施例1の膜は、基板から全く剥離できずに、密着性が良好であった。比較例1の膜は、すぐに剥がれ、密着性が全くなかった。あらゆる分野に用いることができる。必要がないスパッタリングターゲット材及びスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。Cu、Zn、Ge及びAgのうち1以上と、Irとを含む。データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。”未来を創るためのプラットフォーム”astamuseは、世界中で未来を創るための「仕組み」を提供するため日々改善を進めています。専門用語を解析し、意味や用法を知ることが出来るキーワード情報そしてこれらの情報を最大限活用することで、挑戦したい社会課題を独自の切り口で編集。社会に大きな変化を起こし、未来を創るために活動し続けるのは容易なことではありません。行う為に必要なサービスの提供を行っていきます。それが私たちの考える“未来を創ること”です。