[0001]【産業上の利用分野】本発明は、圧電基板上にIDTと反射器とを備えてなる弾性表面波共振子フィルタに関する。miniaturization,無調製化の一役を担っている。of.【0003】ところで、各種通信機器の中でも携帯電話用の用途では、25MHz以上の広い通過帯域幅を有しかつ低損失なフィルタが要求される。3基板かの、いずれかの基板を用いることが考えられていた。3基板を用いた弾性表面波共振子フィルタとしては、ラダー型やIIDT型等の設計方法が実用化されているものの、モード結合を利用した一般的な弾性表面波共振子フィルタでは、帯域幅を比帯域幅(フィルタの中心周波数に対する通過帯域幅の比)で約2%程度しか得ることができず、比帯域幅を少なくとも3%必要な携帯電話用としては実用化に至っていない。3基板を用いた弾性表面波共振子フィルタでは、比帯域幅を4%得ることができ、携帯電話用として従来から実用されているものの、製造が容易でなく製造コストが高くなるという問題があった。なくとも一方に阻止域が存在しており、さらには、これら阻止域のいずれか一方、もしくは両方において所定の減衰量を得ることが必要とされており、一般に、この減衰量は20dB以上必要とされている。したがって、減衰量20dBレベルにおける帯域幅が狭いフィルタほどフィルタのシェイプファクタ(これは通過帯域幅/減衰帯域幅で表される)が良好で製造しやすくなる。good.【0007】このことを図7の例で説明する。Mobil)向けに設計されたものである。20dB以上が必要とされる。inB以上の減衰量があることが望ましい。changes,それに伴い減衰量も変動する。よって、低域、高域側それぞれに減衰量20dB以上を確保するためには、それに応じた周波数精度が必要とされる。20dBの帯域幅Aが狭いほど弾性表面波共振子フィルタの中心周波数の変動が大きくても減衰量20dB以上が得られることになる。低域側と高域側とに、それぞれ20dB以上の減衰量を得るためには弾性表面波共振子フィルタの減衰量20dBにおける帯域幅が重要な要素となる。MHz)からロス20dBの帯域幅(片側28MHz)と低域側阻止域C(片側12.5MHz)を差し引いた値に等しい。-2575°Cの範囲で常温に対し±3MHz変動するので、実用にはこの値を引いて、1.5MHzが低域側の製造余裕に相当する。高域側についても全く同様であり説明は略するが、同様に1.5MHzの製造余裕となる。1.5MHzの製造余裕では、製造ロット毎に電極膜厚や電極線幅を厳密に管理しなければならず、このことが製造上の困難さや製造コストを増大さす原因となっていた。manufacturing.【0012】したがって、本発明においては、製造が容易でコスト低減を図ることができる弾性表面波共振子フィルタの提供を目的としている。≦0.10であることに特徴がある。0.6≦M/Pであるのが好ましい。第1実施例を図面を参照して詳細に説明する。drawings.【0016】図1は、本発明に係る弾性表面波共振子フィルタに共通する構成を示した平面図であり、図2はこの弾性表面波共振子フィルタのIDTおよび反射器の要部を拡大した断面図である。3BA〜4Cが形成されている。3BおよびIDT4A〜4Cは複数の電極指5...を備えている。両側のIDT4A,4Cは電気的に並列接続され、入出力端子6に接続されている。中央のIDT4Bは入出力端子7に接続されている。3基板2にAlの薄膜を成膜した後、フォトエッチング工程を経て形成されるが、リフトオフ法等の手法により選択的に付着形成してもよい。IDT4A〜4Cおよび反射器3A,3Bの電極膜厚を、この弾性表面波共振子フィルタ1で発生する弾性表面波の波長によって規定したことに特徴がある。0.10以下(0.06≦h/λ≦0.10)としており、このようにすることで、製造余裕を拡大して、製造の容易性とコストダウンを得ている。reduction.【0020】以下、その理由を説明する。3基板2を用いた弾性表面波共振子フィルタは共振子のQが大きくなって前述したシェイプファクタが向上することはよく知られている。3基板2を用いた弾性表面波共振子フィルタは、従来例で説明したように、そのままでは、携帯電話用として十分な通過帯域幅が得られない。3基板2を用いた弾性表面波共振子フィルタでは通過帯域幅を拡大する工夫が必要となる。詳細にいえば、GSM等の900MHz帯の携帯電話では、温度変動分を含めて最低でも30MHzの通過帯域幅が必要となる。この必要となる通過帯域幅は、フィルタの中心周波数に対する通過帯域幅の比である比帯域幅として換算すると、比帯域幅3.3%である。IDT4A~4Cおよび反射器3A,3Bの電極膜厚hを厚くすれば、反射器3A,3Bのストップバンド幅が広がり、これによって通過帯域幅の拡幅が図れることを見いだし、その比較実験を行った。その結果を図3に示す。図3は本実施例の同様の構造を備えた弾性表面波共振子フィルタの電極膜厚比h/λを変化させた場合の比帯域幅を測定した実験結果である。2倍以上、すなわち、h/λ≧0.06とする必要があるのがわかる。λ,それに応答して比帯域幅も増大するのは、図3の結果から明白であるが、あまり、電極膜厚比h/λを大きくすると通過帯域が低域側や高域側の阻止域に重なることになり、これでは減衰量が不足する原因となるので望ましくない。ここで低域側と高域側との阻止域の周波数差は図7から65MHzであるから、比帯域幅に換算して6.9%以上に拡大することは望ましくなく、図3の結果から電極膜厚比h/λは0.10以下とする必要がある。less.【0025】次に、このように構成された第1実施例の弾性表面波共振子フィルタ1の特性を測定した結果を図4に基づいて説明する。0.6として、そのほかの構造を従来例と同様に構成した本実施例の弾性表面波共振子フィルタ1の特性を測定した結果を示している。この図から明らかなように、減衰量20dBレベルでの帯域幅Aは48MHzとなっており、従来例より8MHz改善されている。従来例と同様に算出した製造余裕は片側5.5MHzとなっており、従来例の約3.6倍となっている。減衰量の実力値も30dB近くまで得られているのがわかる。attenuation.【0026】ところで、IDT4A〜4Cおよび反射器3A,3Bの電極膜厚hを厚くすれば、通過帯域幅の拡幅を図れるものの、反射器3A,3Bの反射率が増大してストップバンド幅が大きくなり、それがシェイプファクタを悪化させる要因となってしまう。そこで本願発明者は、IDT4A〜4Cや反射器3A,3Bの電極指線幅を変化させることによってシェイプファクタが向上することを見いだし、この点に着目して、第2実施例の弾性表面波共振子フィルタ10を構成した。3基板と、反射器と、IDTとを備え、これら反射器およびIDTは複数の電極指を備えており、これらの基本構成は第1実施例と同様である。IDT4A〜4Cおよび反射器3A,3Bの電極膜厚hを、この弾性表面波共振子フィルタ1で発生する弾性表面波の波長λによって規定し(これは第1実施例と同様)、さらに、電極指5の線幅を、電極指5の形成ピッチによって規定したことに特徴がある。3Bの電極指形成ピッチをP、同電極指幅をMとした場合に、電極指形成ピッチPに対する電極指線幅Mの大きさM/P(以下、電極指デューティーM/Pと称す)を0.6以上(0.6≦M/P)としており、このようにすることで、製造余裕を拡大して、製造の容易性とコストダウンを得ている。reduction.【0030】以下、その理由を説明する。Pを変化させた場合の減衰量20dBレベルにおける帯域幅の変動を測定した実験結果である。この実験結果から明らかなように、電極指デューティーM/Pの値が大きいほど減衰量20dBレベルでの帯域幅が狭くなり、したがって、シェイプファクタが向上するのがわかる。≧0.6であれば、最良の効果が得られることがわかる。obtained.【0032】なお、図5の実験結果より、電極指デューティーM/Pを0.4以下にしても若干の改善効果が得られる。この効果はごく僅かであるうえ、電極指13の幅を狭くすることは、電極指抵抗の増大を来して挿入損失を悪化させるので、電極指13の幅を狭くするは望ましくない。13,電極指13間の隙間形成技術)の限界により決定されるものであり、特にここで限定する必要はない。here.【0033】次に、このように構成された第2実施例の弾性表面波共振子フィルタ10の特性を測定した結果を図6に基づいて説明する。=0.6、電極指デューティーM/P=0.6として、そのほかの構造を従来例と同様に構成した本実施例の弾性表面波共振子フィルタ10を2セクション縦続接続して構成したフィルタの特性を測定した結果を示している。20dBレベルでの帯域幅Aは40MHzとなっており、従来例に比べて16MHz改善されている。MHz,従来例の約6.3倍となっている。減衰量の実力値も30dB以上得られているのがわかる。embodimentを1セクション、あるいは3セクション以上縦続接続して構成したものであっても、同様の効果を奏することができるのはいうまでもない。3基板2上に、IDT4A〜4Cを2組、あるいは4組以上備えて構成された弾性表面波共振子フィルタにおいても本発明を実施できるのはいうまでもない。フィルタを広帯域でしかもシェープフアクタの良好なものとすることができた。そのため、減衰量20dBレベルでの帯域幅が狭くなり、製造余裕が拡大して製造しやすくなり、その分、コストダウンが図れるようになった。reduced.【0037】また、従来の同様の製造余裕のもとで、この弾性表面波共振子フィルタを製造すれば、より高い減衰量が得ることができるという効果もある。フィルタのシェープフアクタはより向上し、その分、さらに、製造余裕が拡大して、コストダウンが図れるようになるとともに、この弾性表面波共振子フィルタを従来の同様の製造余裕のもとで製造すれば、さらに高い減衰量が得られるという効果も発揮できる。DRAWINGS【図1】本発明の第1実施例、第2実施例に係る弾性表面波共振子フィルタの構造を示す平面図である。embodiment.【図2】第1実施例、第2実施例に係る弾性表面波共振子フィルタのIDTおよび反射器の部分を拡大した断面図である。フィルタにおける電極膜厚比h/λと通過帯域幅(比帯域幅)との関係を示す線図である。bandwidth).【図4】第1実施例の弾性表面波共振子フィルタの特性を示す線図である。フィルタにおける電極指デューティーM/Pと減衰量20dBレベルでの帯域幅との関係を示す線図である。level.【図6】第2実施例の弾性表面波共振子フィルタの特性を示す線図である。embodiment.【図7】従来例の弾性表面波共振子フィルタの特性を示す線図である。あることを特徴とする弾性表面波共振子フィルタ。あることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波共振子フィルタ。