ダイヤモンド中のカラーセンターは量子情報や量子計測、バイオセンシング等への応用が期待されている。カラーセンターの一種であるシリコン欠陥中心(SiVセンター)は、室温においても発光の約80%がゼロフォノン線に集中しているという特徴を持ち、新たな単一光子源として注目されている。SiVセンターの作製方法としては、バルクダイヤモンドを用いた手法が一般的であったため、SiVセンターを内包するナノダイヤモンドを作製することが課題であった。そこで、今回我々は、新たな手法としてナノダイヤモンドに直接シリコンイオンを注入することでSiVセンターの作製を試みた。