influence)而损坏驱动电路。(或被最小化)时,驱动电路被ESD损坏得更加严重。如图1所示,基底100包括像素区140和非像素区160。104b和数据线106c之间。104b和数据线106b之间。104b和数据线106c之间。与半导体层102绝缘。104b和数据线106c。在图1中,仅示出扫描驱动器220和数据驱动器240。220和数据驱动器240的位置。以围绕驱动电路(或驱动电路单元)。106d或106e结合到地电源(例如,ELVSS)。400),通过设置在基底100和密封基底400之间的密封材料300将像素区140密封起来。通过FPC从外部源输入信号,例如电源电压ELVDD和ELVSS以及数据。向扫描线104b供应扫描信号,数据驱动器240向数据线106c供应数据信号。(例如,扫描驱动器220、数据驱动器240、发射驱动器和DC多路分解器)由TFT形成的非像素区160。并且图4是沿着图1中的线11-12截取的剖视图。缓冲层101形成在像素区140和非像素区160中的基底100上。102形成在缓冲层101上。栅电极104a形成在半导体层102上的栅绝缘层103上。120形成在非像素区160中。104a上,还形成在非像素区160中。105和栅绝缘层103中以暴露半导体层102的部分(或预定部分)。这里,结合到源电极106a和漏电极106b的数据线106c形成在像素区140中。120均形成在非像素区160中。保护层107a和平坦化层107b形成在像素区140和非像素区160中。通孔形成在像素区140的平坦化层107b和保护层107a中以暴露源电极106a或漏电极106b的一部分(或预定部分)。106d或106e的一部分(或预定部分)以及护圈106f的一部分(或预定部分)。106a或漏电极106b的阳极108a形成在像素区140中,屏蔽层108c形成在非像素区160中。或106e以及护圈106f。108a的部分区域(发射区)。并且图5是沿着图1中的线11-12截取的剖视图。