来减小阴极111和电源供应线106d或106e之间的接触部分(开口)的大小。140和非像素区160的基底100。在像素区140和非像素区160中的基底100上用SiO2和SiNx形成缓冲层101,在缓冲层101上形成半导体层102。中的半导体层102提供构成驱动电路(或驱动电路单元)的TFT的有源层。参照图7B,在像素区140和非像素区160中并且在半导体层102上形成栅绝缘层103,在半导体层102上的栅绝缘层103上形成栅电极104a。在像素区140和非像素区160中并且在栅电极104a上形成层间绝缘层105。106a和漏电极106b的数据线106c。