参照图7C,用SiN在像素区140和非像素区160中形成保护层107a后,用丙烯酰在保护层107a上形成平坦化层107b以使表面平坦化。将平坦化层107b和保护层107a图案化以在像素区140中形成通孔,以暴露源电极106a或漏电极106b的一部分(或预定部分)。106d或106e的一部分(或预定部分)和护圈106f的一部分(或预定部分)。根据该实施例,顺序地形成保护层107a和平坦化层107b,然后将平坦化层107b和保护层107a图案化。107b并将其图案化。106a或漏电极106b的阳极108a,在非像素区160中形成屏蔽层108c。108c之间的寄生电容,将保护层107a和平坦化层107b形成得相对厚。