お問い合わせ会員登録/ログイン検索内容を選んでください。検索内容を選んでください。値が小さいほど、動作時のロス(電力の損失)が少なくなります。コレクタ電流(IC)のかけ算で表します。MOSFETが消費する電力PDはMOSFET自身が持つオン抵抗にドレイン電流(ID)の2乗をかけ算したもので表します。ID)2この電力は熱となり放出されます。MOSFETのオン抵抗は一般的にΩ単位以下と小さく、一般のトランジスタとくらべて消費する電力は小さくですみます。発熱が少なく、放熱対策はより簡易なものでよくなります。上図左の特性グラフのようにオン抵抗はゲート・ソース間電圧が高いほど小さくなります。同じゲート・ソース間電圧でも電流によって変化します。電力の損失を計算する場合は、ゲート・ソース間電圧とドレイン電流を考慮したオン抵抗値を使用して計算する必要があります。上図右の特性グラフでもわかるように、オン抵抗は温度によっても変化するので、注意が必要です。一般的にMOSFETのチップサイズ(表面積)を大きくすればするほどオン抵抗値は小さくなります。下図はサイズの違う小型パッケージにおけるローム最低レベルのオン抵抗値を比較したものです。パッケージのサイズが大きいほど搭載できるチップサイズも大きくできるので、オン抵抗値が小さくなっている傾向がわかります。ロームでは、さまざまなパッケージサイズで低オン抵抗品のラインアップを用意しています。選定時は大きいサイズのパッケージ製品を選んでいただくと、よりオン抵抗が小さくなります。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。