108a和屏蔽层108c时,阳极108a和屏蔽层108c彼此电分离。ACX(—种Al合金)、Ag或Au。ITO、IZO或ΙΤΖ0。参照图7D,在像素区140中形成像素限定层109,将像素限定层109图案化以具有开口,从而暴露阳极108a的部分区域(发射区)。109a上形成有机薄层110,在像素区140中并且在有机薄层110上形成阴极111,以使阴极111结合到电源供应线106d或106e(参照图4)。根据另一个实施例,在像素区140和非像素区160中形成像素限定层109,将像素限定层109图案化以在像素区140中形成开口,从而暴露阳极108a的部分区域(发射区)。或106e的一部分(或预定部分)。106d或106e(参照图5)。300将基底100和密封基底400彼此附着,以密封像素区140。420,以密封像素区140。