1600的条件下,形成30nm的GaN层。m的GaN层,制作两片GaN外延生长用模板。后,将其中的一片GaN模板和2英寸大小的c面η型GaN晶圆配置在MOCVD炉中。m的GaN漂移层,制作了使用GaN模板的外延衬底A和使用η型GaN晶圆的外延衬底C。制作使用GaN模板的外延衬底B和使用η型GaN晶圆的外延衬底D。(a)是表示外延衬底A、B的PL光谱的图。3eV对应的波长带,该波长区域中,观察到宽发光峰。A、B的部分PL光谱的图。