この結果、高濃度の燐が導入された領域(ソース/ドレイン)611が形成され、また、サイドウォールの下部には低濃度領域(LDD)612が残された。nm,パルス幅20nsec)を照射して、ドーピングされた不純物の活性化をおこなった。surface,CVD法によって酸化珪素膜を厚さ5000Å形成した。614、615を形成した。アルミニウム配線の厚さはゲイト電極・配線とほぼ同じ、4000〜6000Åとした。以上の工程によって、Nチャネル型のLDDを有するTFTが完成された。region,さらに200〜400°Cで水素アニールをおこなってもよい。610の存在によって緩やかになっているため、2層目の配線の厚さがゲイト電極・配線とほぼ同じであるにも関わらず、段切れはほとんど観察されなかった。(F))【0047】本実施例では、窒化珪素膜606をエッチングし、ゲイト絶縁膜603を露出させた。result,コンタクトホールの形成をウェットエッチング法によっておこなう場合に、1段階でおこなうことができた。609,610とゲイト絶縁膜603の間にのみ、残った。図7に本実施例を示す。本実施例は実施例2と同様に同一基板上にLDD型のNチャネル型TFTと通常のPチャネル型TFTを形成する例である。TFTの作製工程断面図を示す。703を形成し、その後、厚さ5000Åのアルミニウム膜によって、ゲイト電極704、705を形成した。705.【0049】さらに、Nチャネル型TFTの部分のゲイト酸化膜をゲイト電極704をマスクとして選択的に除去し、半導体層を露出せしめた。CVD法によって窒化珪素706を100〜2000Å、好ましくは、200〜1000Å、例えば、400Åの膜厚に成膜した。ゲイト電極部をマスクとしてイオンドーピング法によって燐の注入をおこない、低濃度のN型不純物領域707を形成した。加速電圧は20keVとした。このドーピング工程においては、加速電圧が低いため、ゲイト酸化膜703で被覆されているPチャネル型TFTの島状領域708には燐はドーピングされなかった。(A))【0050】その後、Nチャネル型TFTの領域をフォトレジスト709でマスクし、この状態で、イオンドーピング法によって高濃度のホウ素のドーピングをおこなった。加速電圧は65kVとした。この結果、島状領域708にはP型不純物領域710が形成された。本実施例では、低濃度の燐の全面ドーピングの後に、高濃度のホウ素の部分選択ドーピングをおこなったが、この工程は逆にしてもよい。フォトレジストのマスク709を除去した後、プラズマCVD法によって厚さ4000〜8000Åの酸化珪素膜711を堆積した。(C))【0051】そして、実施例2と同様に異方性エッチングによって、ゲイト電極の側面に酸化珪素のサイドウォール712、713を形成した。その後、再び、イオンドーピング法によって、燐を導入した。この場合のドーズ量は、図7(A)の工程のドーズ量より1〜3桁多くなることが好ましい。加速電圧は20kVとした。/ドレイン)714が形成され、また、サイドウォールの下部には低濃度不純物領域(LDD)715が残された。Pチャネル型領域においては、ゲイト酸化膜が存在するため、燐イオンは注入されなかった。実施例2では、Pチャネル型TFTでは燐もホウ素も高濃度に注入されるため、そのドーズ量の大小には制約があったが、本実施例では、ドーズ量に関する制約はない。加速電圧に関しては、上記のように、燐を低く、ホウ素を高くすることが必要である。(E))【0052】ドーピング工程の後、KrFエキシマーレーザー(波長248nm、パルス幅20nsec)を照射して、ドーピングされた不純物の活性化をおこなった。717、718、719、720を形成した。以上の工程によって、Nチャネル型TFTがLDD型である半導体集積回路が完成された。Nチャネル型TFTの部分のゲイト酸化膜を除去するために、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程が1つ余分に必要である。N型、P型各不純物のドーズ量を比較的、任意に変更できるというメリットもある。Pチャネル型TFTのゲイト酸化膜703の表面近傍に注入された燐は、後のレーザー照射工程によって、燐ガラスを形成し、ナトリウム等の可動イオンの侵入を防止するうえで効果がある。図8に本実施例を示す。本実施例はアクティブマトリクス型液晶ディスプレーの作製方法に関し、図8を用いて説明する。TFT、通常型のPチャネル型TFTであり、周辺回路等に用いられる論理回路を示す。右側のTFTはアクティブマトリクスアレーに用いられるスイッチングトランジスタであり、オフセット型のPチャネル型TFTを示す。circuit2)、ゲイト酸化膜として機能する酸化珪素膜803を形成し、さらに、アルミニウム膜(厚さ5000Å)のゲイト電極804、805(周辺回路用)、806(アクティブマトリクス回路用)を形成した。circuit).【0055】さらに、周辺回路用およびアクティブマトリクス回路用のPチャネル型TFTの部分のゲイト酸化膜をゲイト電極804、806をマスクとして選択的に除去し、半導体層を露出せしめた。method,好ましくは、200〜1000Å、例えば、600Åの膜厚に成膜した。アクティブマトリクス回路領域をフォトレジスト807でマスクした。加速電圧は20keVとした。このドーピング工程においては、加速電圧が低いため、ゲイト酸化膜803で被覆されているNチャネル型TFTの領域にはホウ素はドーピングされなかった。(A))【0056】その後、イオンドーピング法によって低濃度の燐のドーピングをおこなった。加速電圧は80kVとした。この結果、Nチャネル型TFTの領域には低濃度のN型不純物領域810が形成された。図面では、フォトレジストのマスク807を除去してドーピングしてあるが、フォトレジストをつけたままドーピングをおこなってもよい。燐の加速電圧は高いので、フォトレジストを残したままドーピングをおこなうと、燐がアクティブマトリクス回路領域に注入されないので、理想的なオフセット型のPチャネル型TFTが得られるが、ドーピングの結果、フォトレジストが炭化し、その除去に手間取ることがある。removal.【0057】フォトレジストを除去した場合にも、燐の加速電圧が高いため、燐の濃度は島状半導体領域の下においてピークを生じる。完全に燐がドーピングされないという保証はなく、微量の燐が半導体領域に形成される。(drain)という構造であり、リーク電流を減らすことが必要とされているアクティブマトリクス回路用のTFTとしてはうってつけである。811,812,813を形成した。(C))【0058】その後、再び、イオンドーピング法によって、ホウ素を導入した。8(A)の工程のドーズ量と同程度となることが望ましい。加速電圧は20keVとした。TFTのソース/ドレインにドーピングされた。この結果、アクティブマトリクス回路のTFTのソース/ドレイン814が形成された。このTFTはゲイト電極とソース/ドレインが離れたオフセット構造となっている。(D))【0059】次に、燐のドーピングをおこなった。8(B)のドーズ量より1〜3桁多くなることが好ましい。