Pチャネル型TFT領域においては、燐イオンの多くは下地膜に注入され、その導電型に大きな影響を与えることはなかった。ドーピング工程の後、KrFエキシマーレーザー(波長248nm、パルス幅20nsec)を照射して、ドーピングされた不純物の活性化をおこなった。818,819,820、821を形成した。以上の工程によって、周辺回路領域が形成された。このようにして、アクティブマトリクス型液晶ディスプレー基板を作製した。[0061]【発明の効果】本発明によって、ゲイト配線乗り越え部における2層目配線の断線を削減することができるのは上記の通りである。集積回路は多数の素子、配線から構成されているのであるが、その中に1か所でも不良があると、全体が使用不能になる可能性がある。本発明によってこのような不良の数を大幅に削減できることは集積回路の良品率を高める上で非常に大きな効果を有することは言うまでもない。circuit.【0062】また、本発明によって、2層目配線の厚さをゲイト電極・配線と同じ程度、具体的には、ゲイト電極・配線±1000〔Å〕とすることも可能である。このことによる効果は大きく、これは、基板表面の凹凸の少ないことの要求される液晶ディスプレーのアクティブマトリクス回路には好適である。"effect"の項で述べたとおりである。TFT集積回路の歩留りを向上させる上で著しく有益である。実施例1によるTFT回路の作製方法を示す。実施例2によるTFT回路の作製方法を示す。実施例3によるTFT回路の作製方法を示す。従来法によるTFT回路の作製法を示す。実施例4によるTFT回路の作製法を示す。実施例5によるTFT回路の作製法を示す。実施例6によるTFT回路の作製法を示す。実施例7によるTFT回路の作製法を示す。前記絶縁物の下方に前記ソース/ドレインよりもN型不純物の濃度の低い不純物領域が形成されていることを特徴とする半導体集積回路。y−1000〔Å〕≦x≦y+1000〔Å〕であることを特徴とする半導体集積回路。transistor型不純物の濃度よりも低いことを特徴とする半導体集積回路。transistor型不純物の濃度と概略同じであることを特徴とする半導体集積回路。territory域とチャネル形成領域との間にあることを特徴とする半導体集積回路。territory域とチャネル形成領域との間にあることを特徴とする半導体集積回路。間にあることを特徴とする半導体集積回路。territory域とチャネル形成領域との間にあることを特徴とする半導体集積回路。region接続された配線とを有し、前記絶縁物の下方にオフセット領域が設けられることを特徴とする半導体装置。region接続された配線とを有し、前記絶縁物の幅だけ、ゲイト電極の幅より長い、真性領域を有することを特徴とする半導体装置。is真性な領域が形成されていることを特徴とする半導体集積回路。is真性な領域が形成されていることを特徴とする半導体集積回路。region形成する第6の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。fifthの工程で導入される不純物の導電型と同一であり、かつ、前記第7の工程で導入する不純物の濃度は第5の工程の濃度より少ないことを特徴とする半導体装置の作製方法。前記半導体膜のソース/ドレイン領域上の前記窒化珪素膜を剥離する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。前記第3及び第6の工程において半導体層中に導入される不純物の濃度は、第3の工程の方が第6の工程よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路の作製方法。前記半導体膜のソース/ドレイン領域上の前記窒化珪素膜を剥離する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。