进行衬底的表面(c面GaN)的清洁。之后,在1050°C的衬底温度、200托的炉内压力及1250的V/III条件下生长GaN漂移层。GaN漂移层的厚度为2微米,在GaN漂移层中添加有IXlO16cnT3的Si。通过这些工序,制作了外延衬底Al。之后,在1000°C的衬底温度、200托的炉内压力及1250的V/III条件下生长GaN漂移层。GaN漂移层的厚度为2微米,在GaN漂移层中添加有IXlO16cnT3的Si。通过这些工序,制作了外延衬底Bi。