×この技術を簡単クリック査定この機能をご利用いただくには、会員登録(無料)が必要です。出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。この項目の情報は公開日時点(2001年7月24日)のものです。ウェハとする半導体結晶ウェハの研磨方法において、前記貼付プレートとして下記式を満足する直径と厚さとを有する耐撓み性貼付プレートを用いることを特徴とする半導体結晶ウェハの研磨方法。ウェハ等は半導体デバイスのベース半導体結晶ウェハとして大量に生産されるようになってきている。これらのうち化合物半導体結晶ウェハは、ショットキーゲート電界効果トランジスタ(MESFET)、高移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)、受発光デバイス等の半導体デバイスのベース半導体結晶ウェハとして広く用いられている。これらショットキーゲート電界効果トランジスタ(MESFET)、高移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)、受発光デバイス等の半導体デバイスの能動層は、表面を鏡面研磨した化合物半導体結晶ウェハの鏡面上に分子線エピタキシャル成長(MBE法)、有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE法)等により作成されるようになっている。表面を鏡面研磨した化合物半導体結晶ウェハ、例えばGaAs半導体結晶ウェハは、一般に次のような手順により製造されている。略円柱状のGaAs半導体結晶インゴットを製造する。次に、そのGaAs半導体結晶インゴットをスライス装置によりスライスすることにより、GaAs半導体結晶スライスウェハを切り出す。次に、このGaAs半導体結晶スライスウェハを粗研磨装置に装着し、#800〜#3000のアルミナ砥粒を用いて粗研磨する。この粗研磨によりGaAs半導体結晶スライスウェハは、その平坦性が高められる。次に、この粗研磨したGaAs半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨装置の高精度の表面平坦度を持つように仕上られた貼付プレート上にワックス等を用いて貼付ける。−メタノール溶液、コロイダルシリカ等のいずれかを用い、メカノケミカル研磨することにより、表面を鏡面研磨したGaAs半導体結晶ウェハとする。研磨布を貼った定盤にGaAs半導体結晶スライスウェハを貼付た貼付プレートを接触させ、メカノケミカル研磨を行う時、貼付プレートが定盤の回転により飛び回らないようにするためと、メカニカル研磨を行うようにするために貼付プレートの中心には荷重を加えるようになっている。わずかなエッチング作用を有する洗浄液による洗浄処理、超純水による洗浄処理等を順次行う。LY=0850請求項2貼付プレートが、円形のものであることを特徴とする請求項1記載の半導体結晶ウェハの研磨方法。請求項3貼付プレートが、セラミックス製貼付プレートであることを特徴とする請求項1記載の半導体結晶ウェハの研磨方法。請求項4セラミックス製貼付プレートが、アルミナセラミックス製貼付プレートであることを特徴とする請求項3記載の半導体結晶ウェハの研磨方法。請求項5数1に示す(1)式を満足する直径と厚さとを有する耐撓み性貼付プレートを具備する鏡面研磨装置を用いて鏡面研磨して成ることを特徴とする半導体結晶ウェハ。LY=1850請求項6半導体結晶ウェハが、IV族半導体結晶ウェハであることを特徴とする請求項5記載の半導体結晶ウェハ。ウェハであることを特徴とする請求項5記載の半導体結晶ウェハ。ウェハであることを特徴とする請求項5記載の半導体結晶ウェハ。ウェハが、GaAs化合物半導体結晶ウェハ若しくは半絶縁性GaAs化合物半導体結晶ウェハであることを特徴とする請求項7記載の半導体結晶ウェハ。技術分野0001本発明は半導体結晶ウェハの研磨方法及びその研磨方法で得られた半導体結晶ウェハに関するものである。ウェハ等は半導体デバイスのベース半導体結晶ウェハとして大量に生産されるようになってきている。0003これらのうち化合物半導体結晶ウェハは、ショットキーゲート電界効果トランジスタ(MESFET)、高移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)、受発光デバイス等の半導体デバイスのベース半導体結晶ウェハとして広く用いられている。0004これらショットキーゲート電界効果トランジスタ(MESFET)、高移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)、受発光デバイス等の半導体デバイスの能動層は、表面を鏡面研磨した化合物半導体結晶ウェハの鏡面上に分子線エピタキシャル成長(MBE法)、有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE法)等により作成されるようになっている。0005さて、表面を鏡面研磨した化合物半導体結晶ウェハ、例えばGaAs半導体結晶ウェハは、一般に次のような手順により製造されている。0006まず、略円柱状のGaAs半導体結晶インゴットを製造する。0007次に、そのGaAs半導体結晶インゴットをスライス装置によりスライスすることにより、GaAs半導体結晶スライスウェハを切り出す。0008次に、このGaAs半導体結晶スライスウェハを粗研磨装置に装着し、#800〜#3000のアルミナ砥粒を用いて粗研磨する。0009この粗研磨によりGaAs半導体結晶スライスウェハは、その平坦性が高められる。0010次に、この粗研磨したGaAs半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨装置の高精度の表面平坦度を持つように仕上られた貼付プレート上にワックス等を用いて貼付ける。−メタノール溶液、コロイダルシリカ等のいずれかを用い、メカノケミカル研磨することにより、表面を鏡面研磨したGaAs半導体結晶ウェハとする。0012なお、研磨布を貼った定盤にGaAs半導体結晶スライスウェハを貼付た貼付プレートを接触させ、メカノケミカル研磨を行う時、貼付プレートが定盤の回転により飛び回らないようにするためと、メカニカル研磨を行うようにするために貼付プレートの中心には荷重を加えるようになっている。わずかなエッチング作用を有する洗浄液による洗浄処理、超純水による洗浄処理等を順次行う。0014最後に、超純水による洗浄処理を行った鏡面研磨GaAs半導体結晶ウェハは、イソプロピルアルコール蒸気乾燥法又はスピン乾燥法によって乾燥することにより、表面を鏡面研磨したGaAs半導体結晶ウェハの完成品とする。−メタノール溶液、コロイダルシリカ等のいずれかを用いてメカノケミカル研磨することにより、表面を鏡面研磨したGaAs半導体結晶ウェハとするようになっている。0016しかしこの鏡面研磨において同じ研磨布を繰り返し使用すると、貼付プレートの中心側に貼り付けて鏡面研磨中のGaAs半導体結晶スライスウェハの表面には表面荒れが発生するようになる。そこで研磨布はGaAs半導体結晶スライスウェハの表面荒れが発生する前に新品と交換するようになっている。0017換言すれば鏡面研磨に用いる研磨布はその使用回数が重なるに従い貼付プレートの中心側に貼り付けた半導体結晶スライスウェハの表面に荒れが発生するので、そのようになった研磨布は新品の研磨布と交換する。この貼付プレートの中心側に貼り付けた半導体結晶スライスウェハの表面荒れは次のようにして発生するものと考えられる。0018前述したように鏡面研磨装置により半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨するとき貼付プレートは回転定盤に押しつけるが、その際その貼付プレートの中心には荷重を加えるようになっている。このように荷重を加えられた貼付プレートは撓み、特に貼付プレートの中心部近傍はその加工圧力が大きくなる。0019そして貼付プレートの中心部近傍に加工圧力が大きくなると、その貼付プレートの中心部近傍に位置する研磨布の表面多孔質層はそれ以外の所のところに比べて早く潰れてしまうことになる。ところでこの研磨布の表面多孔質層は研磨液を保持すると共に鏡面研磨する半導体結晶スライスウェハの表面に十分な研磨液を供給する役割を担っているものである。従って研磨布の表面多孔質層が潰れてしまうと、それにより研磨液の保持力が低下すると共に鏡面研磨する半導体結晶スライスウェハの表面への十分なる研磨液の供給ができなくなる。0020このように半導体結晶スライスウェハの表面への十分なる研磨液の供給ができなくと、半導体結晶スライスウェハの表面に対する化学作用が小さくなると共に機械作用が相対的に大きくなり、その結果半導体結晶スライスウェハの表面には研磨布で強く擦られた跡の表面荒れが発生するのである。0021つまり研磨布は、貼付プレートの中心部近傍に位置する部分の使用寿命が短く、逆に貼付プレートの中心部近傍より外れた部分の使用寿命が長いのである。このように貼付プレートの中心部近傍のみでも使用寿命が尽きれば、その研磨布は当然ながら新品と交換しなければならない。0022しかし、このように中心部近傍のみが使用寿命が尽きた研磨布であっても、中心部近傍以外の部分は使用寿命が十分残っている。コストの点から得策ではない。ウェハの品質を向上させることができるが、その半面研磨布の交換作業時間のロス、半導体結晶ウェハの生産性の低下、研磨布のコストアップ等の難点が発生する。いずれも低下するという難点がある。顕著に改善することができる半導体結晶ウェハの研磨方法及びその研磨方法で得られた半導体結晶ウェハを提供することにある。課題を解決するための手段0025本発明の要旨とするところは、次の2点にある。ウェハとする半導体結晶ウェハの研磨方法において、前記貼付プレートとして数1に示す(1)式を満足する直径と厚さとを有する耐撓み性貼付プレートを用いることを特徴とする半導体結晶ウェハの研磨方法。00270028(2)数1に示す(1)式を満足する直径と厚さとを有する耐撓み性貼付プレートを具備する鏡面研磨装置を用いて鏡面研磨して成ることを特徴とする半導体結晶ウェハ。00290030本発明において貼付プレートとしては、円形のものであることが好ましい。0031本発明において貼付プレートとしては、セラミックス製貼付プレートであることが好ましい。ここにおいてセラミックス製貼付プレートとしては、アルミナセラミックス製貼付プレートであることが好ましい。ウェハ等であることが好ましい。ウェハとしては、GaAs化合物半導体結晶ウェハ若しくは半絶縁性GaAs化合物半導体結晶ウェハであることが好ましい。ウェハとしては、InPであることが好ましい。0035即ち、本発明者等は鋭意検討した結果、鏡面研磨した半導体結晶ウェハの研磨荒れを低減するには、貼付プレートの剛性を上げてその撓みを抑えることが最も有効であることを見い出し、本発明に至ったものである。換言すれば本発明者等は貼付プレートの撓み量を1μm以下にすれば貼付プレートの中心部近傍に位置する研磨布の使用寿命を顕著に延ばすことができることを見い出し、本発明に至ったものである。0036ここにおいて貼付プレートの撓み量を1μm以下にするには、貼付プレートの厚さを厚くすることによりその剛性を上げることが有効であり、そのために貼付プレートの直径と厚さとの関係式を数1に示す(1)式のように導き出したものである。0037発明を実施するための最良の形態0038次に、本発明の半導体結晶ウェハの研磨方法及びその研磨方法で得られた半導体結晶ウェハの実施例について説明する。0039なお、この本発明の半導体結晶ウェハの研磨方法の実施例に用いた粗研磨半導体結晶スライスウェハは、直径φ4′′の粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハである。0040また、この本発明の半導体結晶ウェハの研磨方法の実施例に用いた鏡面研磨装置は、直径φ360mmの貼付プレートを有するものである。0041この貼付プレートの厚さは、実施例と比較例とにより変えた。0042貼付プレート1枚当たりの研磨時間は5分間で行なった。0043更に、用いた研磨布は同一のロットNo.のものを使用した。0044実験は各々2回ずつ繰り返し行い、データはその2回の平均値をとった。0045(実施例1)まず、鏡面研磨装置の直径φ360mm、厚さ22.1mmの耐撓み性貼付プレート上に、直径φ4′′の粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハを5枚貼付けた。ここにおいて貼付プレートの厚さ22.1mmは、前述の(1)式より算出したものである。0047次に、このようにセットした鏡面研磨装置を稼動させ、それにより粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨した。0048(実施例2)まず、鏡面研磨装置の直径φ360mm、厚さ25.3mmの耐撓み性貼付プレート上に、直径φ4′′の粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハを5枚貼付けた。ここにおいて貼付プレートの厚さ25.3mmは、前述の(1)式より算出したものである。0050次に、このようにセットした鏡面研磨装置を稼動させ、それにより粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨した。0051(比較例1)まず、鏡面研磨装置の直径φ360mm、厚さ15.0mmの貼付プレート上に、直径φ4′′の粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハを5枚貼付けた。0053次に、このようにセットした鏡面研磨装置を稼動させ、それにより粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨した。0054(比較例2)まず、鏡面研磨装置の直径φ360mm、厚さ15.0mmの貼付プレート上に、直径φ4′′の粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハを5枚貼付けた。0056次に、このようにセットした鏡面研磨装置を稼動させ、それにより粗研磨GaAs半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨した。0057(試験方法)試験方法は次の2方法により行った。0058a.研磨布の研磨荒れ発生時間(分)上記の実施例1、実施例2、比較例1、比較例2のそれぞれの条件下で半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨したとき、得られた半導体結晶ウェハの表面に研磨荒れが発生し始めた研磨時間を求めた。上記の実施例1、実施例2、比較例1、比較例2のそれぞれの条件下で半導体結晶スライスウェハを鏡面研磨したとき、半導体結晶ウェハの表面に研磨荒れが発生するまでに鏡面研磨処理した半導体結晶スライスウェハの枚数を求めた。0060更に、この鏡面研磨処理した半導体結晶スライスウェハの枚数を、研磨布1枚当たりの半導体結晶スライスウェハの処理能力向上に換算した。0061(試験方法)表1はこれらの試験結果を示したものである。00620063表1から分かるようにプレート荷重(kg)から区分すると、実施例1と比較例1のプレート荷重(kg)が20kgであり、また実施例2と比較例2プレート荷重(kg)が30kgである。0064このため表1に示す実施例1の研磨荒れ発生時間(分)、処理枚数及び処理能力向上枚数は、比較例1に対比したものである。同様に、表1に示す実施例2の研磨荒れ発生時間(分)、処理枚数及び処理能力向上枚数は、比較例2に対比したものである。多くすることができた。顕著に向上できるものであり、工業上有用である。ページトップへこの技術を出願した法人この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInこの技術を発明した人物この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedInページトップへ関連する挑戦したい社会課題この情報を共有FacebookTwitterGoogle+LinkedIn犯罪者のいない都市を実現する犯罪者のいない都市を実現するためには、年々変化する犯罪への予防対策・解決への取り組みが重要です。盗難や空き巣などは近年減少しており、日本国内では15年前と比べ約1/4に減少したとも言われていま...最終更新日:2018/06/15高い食料自給率を実現する高い食料自給率を実現すると、国内での食料の安定供給や、他国の問題による食料不足などの問題を防止する可能性が高まります。