高い性能と信頼性を併せもつよう最適化された最新のトレンチ構造の半導体プロセスです。MOSFETは多くの利点があり、1200Vスイッチにおける低いゲート電荷とデバイス容量、整流に対する耐性が高いボディダイオード、温度非依存によるスイッチング損失の低さ、閾値に依存しないオン抵抗特性などがあります。MOSFETは、力率改善(PFC)回路、双方向トポロジ、DC/DCコンバータ、DC/DCインバータなどの、ハードスイッチングや共振スイッチングに最適です。インフィニオンの革新的な車載用エレクトロニクス(SMPS)モータコントロールおよびドライブお使いのブラウザはインラインフレーム(iframe)をサポートしていません。埋め込まれたページはこちらに表示されます。MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。