条件を指定して絞り込む現在1158件がヒットしています。”、“小型化”への要求は日に日に高まってきています。現在の主流であるSiを材料としたパワーデバイスは物性上の限界値に近づいており、更なる改善は難しくなってきています。した背景からワイドバンドギャップ半導体(SiC/GaNなど)への期待がますます大きくなっています。Technologies(以下Infineon)はシリコン(Si)、シリコンカーバイド(SiC)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、および窒化ガリウム(GaN)デバイス全てを提供する唯一の企業であり、独自の地位を築いています。今回紹介する窒化ガリウム(GaN)もワイドバンドギャップ半導体であり、シリコンのような従来の半導体材料よりもはるかに高い電圧、周波数および温度でデバイスを動作させることができます。現在注目を浴びているSiCとGaNですが今後これらのデバイスの力を発揮できる領域、棲み分けとしてはどのようになっていくのでしょうか?現状SiCに期待されている領域はIGBTの上位互換、より高い電力容量(電流、電圧)への展開です。GaNは高速スイッチングによるシステムの小型化、高効率化に貢献することを期待されています。対象アプリケーション現在GaNの特性を最大限発揮し期待されているアプリケーションの例として以下が上げられます。GaNを使用したフルブリッジトーテムポールPFCを評価可能です。2.5kWフルブリッジトーテムポールPFCでは99%を超える効率を実現しています。