トランジスタ用キャンタイプパッケージ1960年頃トランジスタ用キャンタイプパッケージ〜パッケージング〜1960年頃の黎明期のトランジスタ用パッケージ技術は米国より技術導入され、ゲルマニウム(Ge)トランジスタ素子をタブに半田付けし、トランジスタ素子の表面にリードピンを低融点のインジウム(In)はんだ材料付けする構造であり、はんだ付け後には素子信頼性向上のために鉛丹レジンをコーティングしていた。リードピン接合後には、錫めっきキャツプ(Ne-Ni)をステムに錫ー錫接続法により勘合封止する構造で、キャンタイプトランジスタなどと呼ばれていた。http://www.seminowa.org/seminowa_archive2014/museum/muse_01.pdf【移動ページ】.【最終変更バージョン】2010/12/9。