BAS16TH、BAS21TH、BC807Hシリーズ、BC817KHシリーズ:定格温度175°CのダイオードとトランジスタNexperiaは、SOT23パッケージを採用した定格温度175°Cのダイオードと汎用トランジスタ製品を発売した。AEC-Q101準拠で車載用途に適しており、許容損失が増加していることから、ギアボックスなどの高温設計が可能になる。});Nexperiaは2019年7月、SOT23パッケージを採用した、定格温度175°Cのスイッチングダイオードファミリーと汎用トランジスタ製品を発売した。高速スイッチングダイオード「BAS16TH」、高電圧スイッチングダイオード「BAS21TH」、汎用トランジスタの「BC807H」「BC817KH」シリーズだ。定格温度175°Cのダイオード、トランジスタのイメージBAS16THは、スイッチング速度が4ナノ秒、ピーク繰り返し逆電圧が100V。BAS21THは最大スイッチング速度が50ナノ秒、ピーク繰り返し逆電圧が250Vとなっている。BC807Hは45V、50mAのPNP汎用トランジスタで、BC817KHは45V、500mAのNPN汎用トランジスタだ。車載機器の高温設計が可能にいずれの製品も、パッケージサイズが2.9×1.3×1mmで、車載規格AEC-Q101に準拠している。定格温度150°Cのデバイスと比べて、定格温度175°CのSOT23パッケージ機器は許容損失Ptotが25%増加していることから、ギアボックスやモータードライブ、ボンネット下に用いる部品、機器の高温設計が可能になる。AEC-Q101準拠の80VデュアルパワーMOSFETNexperiaは、LFPAK56D(デュアルパワーSO8)パッケージを採用した、車載向け80VデュアルパワーMOSFETの新製品を発表した。MOSバリアショットキーダイオード4種を発表した。5Aの順方向電圧降下が0.36〜0.49Vと低いため、電力損失を削減して、効率性を向上する。US2Hパッケージのショットキーバリアダイオード東芝デバイス&ストレージは、電源回路の整流と逆流防止用途向けショットキーバリアダイオード「CUHS10F60」の量産出荷を開始した。2.5×1.4mmの小型、高放熱パッケージを採用し、熱設計を支援する。AEC-Q101車載グレードのSiCショットキーダイオードオン・セミコンダクターは、車載用規格AEC-Q101に準拠したSiC(炭化ケイ素)ショットキーダイオード「FFSHx0120」「FFSHx065」を発表した。逆回復電流がなく、スイッチング性能は温度に依存しない。SiCショットキーダイオードオン・セミコンダクターは、650Vシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードファミリーを同社製品ラインアップに追加する。動力損失を減らし、デバイスのパラレル化を支援することで、スイッチング性能を向上できる。全容量電荷47〜115nCのSiCショットキーダイオードリテルヒューズは、シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード「GEN2」シリーズに、定格電流8〜20Aの新製品4種を追加した。スイッチング損失が少ないため、逆方向スイッチングのストレスを低減できる。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。