ノーマリー・オフ動作にも道筋GaNパワー素子の詳しい話の前に、GaNに関する研究の歴史を簡単に振り返りたい。半導体材料としてのGaNの発展を阻む壁は、SiCと同じく結晶成長だった。研究初期の技術では、GaNのバルク結晶の合成が非常に難しかった。「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。