more.【0037】上記チャネルイオン注入に代えて、シリコン膜2の堆積時にボロンを添加してもよい。)を流して反応させることによって得られる。deposition.【0038】次に、3層ゲート電極の作製プロセスを説明する。図6に示すようにゲート酸化膜4および絶縁性透明基板1の上に、最下層の不純物添加された多結晶シリコン膜5を成膜する。拡散法を用いた成膜方法について説明する。3拡散法によりPを前記多結晶シリコン膜に添加する。このとき、多結晶シリコン膜上には薄い酸化膜が形成されているので、フッ酸を含む水溶液で上記酸化膜を除去する。イオン注入法によりPを添加することもできる。その他にドープされた多結晶シリコン膜を堆積させることにより最下層膜25とする方法もある。3ガスの混合ガスを分解させることにより成膜する方法である。CVD)法ではグロー放電分解によって不純物添加多結晶シリコン膜が成膜される。PECVD法では300°C程度で非晶質シリコン膜を成膜することができる。前述したような固相成長法により、このドープされた非晶質シリコン膜を高品質な多結晶シリコン膜に成長させることも有効な方法である。500〜2000Å程度堆積させる。00~2000Å.【0040】続いて図7に示すように、最下層膜25の上に中間層のシリサイド膜6を成膜し、多結晶シリコン/シリサイド2層膜を形成する。6等)の熱分解によるCVD法等の方法を選択することができる。シリサイド膜の組成比の制御性が優れている点から、上記の方法のなかで金属とシリコンの混晶ターゲットを用いたスパッタ法が好適である。3.5等のようなストイキオメトリィよりもシリコンリッチな組成比を持つ混晶ターゲットを用いてスパッタリングする。これは成膜された膜をストイキオメトリィな組成に近づけることと、応力を緩和させることを目的としている。thickness,先にも述べたように、シリサイド膜と石英基板とを比べるとその線膨張率は1桁以上も異なるので、シリサイド膜の膜厚は厚くても2500Å程度が限界である。これ以上の膜厚にすると、膜自身にクラックがはいってしまう可能性があるからである。itself.【0042】次に、フォトリソグラフィ法により図8に示すように前記多結晶シリコン/シリサイド2層膜をパターニングする。このとき、多結晶シリコン/シリサイド2層膜のパターンの幅は、薄膜トランジスタのチャネル長よりも少なくとも2μm以上細くする。上層のシリサイド膜6のエッチングレートの方が下層の多結晶シリコン膜5のエッチングレートよりも大きいので、オーバーハングや逆テーパー形状とはならない。tapered.【0043】続いて図9に示すように、3層ゲート電極の最上層となる高抵抗の多結晶シリコン膜7を成膜する。成膜方法については、これまでに述べてきた方法と同様の方法を用いることができるので、その説明を省略する。できるだけ400°C以下の低温成膜方法を用いればシリサイド膜6の表面酸化を防ぐことができる。chamber,これを保持したままで所定の温度に昇温させて成膜すれば問題はない。3層全体の厚さから考えると、最上層の多結晶シリコン膜の膜厚はなるべく薄い方がよい。1000Å以下、できれば500Å以下の膜厚が適している。この膜には高抵抗とするため不純物を添加しない方がよい。film.【0044】次に、図10に示すように、多結晶シリコン/シリサイド2層膜のパターンを完全に覆うようにレジストマスク10を形成し、最上層の高抵抗の多結晶シリコン膜7をエッチングする。1は、少なくとも1μm以上に設定し、1〜1.5μm程度が適している。最上層の高抵抗の多結晶シリコン膜7のパターンとレジストマスク10のパターンが同じになったところでエッチングを終了する。エッチングはドライエッチング装置を用いて行う。)をプラズマ放電させることによって多結晶シリコンあるいはシリサイド膜あるいはポリサイド膜等をプラズマエッチングする。)を混合させるとマスクとなっているレジストもエッチング除去しながらゲート電極を加工していくことができる。従って、テーパー形状のゲート電極が形成される。2ガスのガス分圧を大きくすると、よりなだらかなテーパー形状になる。このように、分圧比によりテーパー形状を制御することができる。6,不純物添加され多結晶シリコン膜5のエッチングレートよりも大きいので、多結晶シリコン/シリサイド2層膜は逆テーパー形状にはならない。layerに対しアクセプター型またはドナー型の不純物をイオン注入し、最上層の高抵抗の多結晶シリコン膜7のパターンに対して上記シリコン薄膜23に自己整合的にソース領域およびドレイン領域を形成する。11,8は高濃度にイオン注入されたソース領域を示し、9はドレイン領域を示している。region.【0046】上記イオン注入のアクセプター型の不純物としては、ボロン(B)等を用いることができる。ドナー型の不純物としては、リン(P)あるいは砒素(As)等を用いることができる。不純物添加方法としては、イオン注入法の他に、イオンシャワードーピング法あるいはレーザードーピング法あるはプラズマドーピング法などの方法を選択することができる。but,レーザードーピング法あるいはプラズマドーピング法を用いる場合には、不純物を添加する部分のシリコン表面を露出させなけれなならない。IBで示される矢印は不純物のイオンビームを表している。1として石英基板を用いていれば熱拡散法を使うことができる。