絶縁性透明基板21として石英基板を用いる場合はプロセス温度は1200°C程度まで許容されるが、ガラス基板では、600°C以下の低温プロセスに制限される。2として固相成長Si薄膜を用いた場合を実施例として説明する。Insulator)を用いても本発明を実施することができる。13.5MHzの高周波グロー放電により分解させて非晶質Si膜22を堆積させる。4分圧は10〜20%、デポジット中の内圧は0.5〜1.5torr程度である。250°C以下、特に180°C程度が適している。赤外吸収測定より結合水素量を求めたところ約8原子%であった。-3程度の弗素を含むことがある。cleaning,ダミーの堆積を行ってから、実際の堆積を行う。フレオン洗浄をせずに、ビーズ処理等の別の方法でチャンバの洗浄を行う場合には、ダミーの堆積は不要となる。500°Cで熱処理して水素を放出させる。この工程は、水素の爆発的な脱離を防ぐことを目的としている。hydrogen.【0032】次に、図3に示すように、非晶質Si薄膜2を固相成長させて固相成長シリコン薄膜23を形成する。固相成長には、石英管により炉アニールを用いるのが便利である。アニール雰囲気としては、窒素ガス、水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを用いることができる。torrの高真空雰囲気でアニールを行ってもよい。固相成長アニール温度は500°C〜700°Cとする。このような低温アニールでは、結晶成長の活性化エネルギーの小さな結晶方位を持つ結晶粒のみが選択的に成長し、しかもゆっくりと大きく成長する。本発明者の実験において、アニール温度600°C、アニール時間16時間で固相成長させることにより2μm以上の大粒径シリコン薄膜が得られている。LPCVD法あるいはスパッタ法や蒸着法等の方法で作製したシリコン薄膜を本発明に用いることができる。invention.【0034】次に、固相成長シリコン薄膜3を例えばフォトリソグラフィ法によって図4に示すように島状にパターニングする。photolithography.【0035】次に、図5に示すように、パターニングされた固相成長シリコン薄膜3上にゲート酸化膜4を形成する。method,ECRプラズマCVD法、あるいは高真空蒸着法、あるいはプラズマ酸化法、あるいは高圧酸化法などのような500°C以下の低温方法を挙げることができる。このような低温方法により成膜されたゲート酸化膜は、熱処理することによってより緻密で界面準位の少ない優れた膜となる。非晶質絶縁基板1として石英基板を用いる場合は、熱酸化法によることができる。この熱酸化法にはドライ酸化法とウェット酸化法とがある。約800°C以上で酸化膜が生成されるが、石英基板を用いるには例えば1000°C以上のなるべく高い温度でドライ酸化させるのが適している。500Åから1500Å程度が適している。Å.【0036】ゲート酸化膜4の形成後、必要に応じてボロンをチャネルイオン注入し、チャネルドープしてもよい。これは、Nch薄膜トランジスタのスレッシュホルド電圧がマイナス側にシフトすることを防ぐことを目的としている。-2程度が適している。