低オン抵抗特性A・RonTweet2017/02/14スーパージャンクションMOSFETは、プレーナーMOSFETより大幅にオン抵抗とゲート電荷(Qg)を低減したMOSFETです。ロームの600VスーパージャンクションMOSFETは、高速、低ノイズ、高効率といった特性によってシリーズ化が進み、現在、第二世代へと進化しています。電源をはじめPFCなど、様々な電力変換回路で効率の改善に寄与します。ENシリーズ従来のスーパージャンクションMOSFETは、オン抵抗が低くスイッチングスピードが速いことが特長ですが、その高速性のためにノイズが大きいという課題がありました。MOSの低オン抵抗特性を組み合わせたタイプです。ロームの第一世代標準特性のANシリーズ、および他社同等品とENシリーズのノイズ特性を比較したグラフを示します。ENシリーズは、プレーナーMOSFETのノイズレベルをそのままに、オン抵抗がより低いことから、プレーナーMOSFETの導通損失を改善する代替品です。A・Ronの比較では、プレーナーMOSFETに対して従来品のANシリーズが65%低減、ENシリーズは80%低減されています。以下にラインアップを示します。1つの機種に対して、複数のパッケージを用意しています。TO247※機種名の最後のxはパッケージタイプにより該当のアルファベットが入ります。Co.,Ltd.Tweet。