前回、トラブル1として「二次側MOSFETがすぐにOFFしてしまう場合」を取り上げ対策を示しまた。同時にこの対策の注意点があることも示しました。今回は、この注意点に対する対処を説明します。以下の回路図は前回示したものと同じもので、二次側MOSFETの誤ONを防ぐための対策1-1として、フェライトビーズの追加とフィルタ用抵抗R1の調整(増加)を示したものです。この対策においてR1の値が大きすぎる場合、軽負荷時に二次側MOSFETが誤ってONしてしまう場合があります。そのメカニズムを右下の図を使って説明します。1:OFFタイミングを決定するR1の抵抗値が大きいためDRAIN端子電圧の検出が遅れ、VGS2がLowにならない。2:VGS2がLowになるまで、IFET2が逆流状態になる。3:逆流したIFET2が蓄積して二次側MOSFETがOFFするため、VDS2の共振振幅が大きくなる。4:VDS2が再度負電圧となりVGS2がHighになってしまう(誤って二次側MOSFETがONしてしまう)。5:2同様にIFET2は逆流した電流が流れ、3、4、5を繰り返す。対策このトラブル2に関しては、対策が4つほどあります。トラブル1の対策に対してこのトラブル2が生じているのと同様に、各対策にはトレードオフとなる注意事項があります。対策が4つあることから、最初に対策と注意事項をまとめました。一次側MOSFETのVDS耐圧マージンが減る※トラブル2に対する対策という意味で「対策2-n」という番号を使用。端子接続抵抗R1を小さくするフィルタ用抵抗R1の値を小さくすることで、VDS2の共振振幅が低くなり、誤って二次側MOSFETがONする動作を防ぐことができます。トラブル1の対策としてR1の値を大きくする方法を挙げましたが、R1を大きくしすぎた場合、もしくは、最初の選択値が大きすぎた場合には、R1の値を見直して小さくする方向で調整を行います。※注意事項:R1を小さくしすぎるとノイズフィルタ効果も小さくなるため、DRAIN端子電圧に発生するノイズにより、トラブル1の「二次側MOSFETがすぐにOFFしてしまう」状態に逆戻りする可能性があります。対策が堂々巡りになる場合は、他の対策を試みることになります。●対策2-2:強制OFF時間が長い機種(IC)に変更する二次側MOSFETがOFFしてから共振一周期(誤ONが発生する期間)より長い時間、二次側MOSFETを強制OFFすることで誤ON動作をマスクすることが可能です。Time)が異なるピン互換シリーズです。強制OFF時間は、DRAIN端子に発生する共振波形で二次側MOSFETの誤ON、つまりトラブル2を防止するためのマスク時間で、同期整流化する回路の条件に基づいて強制OFF時間を選択できるように、BM1R00146F~BM1R00150Fの5機種が用意されています。sec(Typ.)とより長いBM1R00149Fを用いた例を示します。※注意事項:強制OFF時間を長くしすぎると、重負荷時に強制OFF時間によって二次側MOSFETがONするタイミングが遅れてしまうことがあるため、重負荷時での動作確認が必要です。secとこの設計では長すぎるBM1R00150Fを使った場合に生じるONタイミングの遅れと、マスキング効果とOFF時間が適正なBM1R00149Fを使った場合の波形です。●対策2-3:二次側MOSFETのドレイン-ソース間にスナバ回路を追加する下図のように、二次側MOSFETのドレイン-ソース間に、RsnbとCsnbによるスナバ回路を追加することによってVDS2の振幅を減衰させます。※注意事項:共振動作が起こる範囲(無負荷~中負荷)では、スナバ回路の追加によって待機電力が増加し、効率も悪化するので、確認と検討が必要になります。Npを小さくするトランスの巻線比を変更することによってVDS2の振幅を減衰させることができます。※注意事項:波形図が示すように、一次側MOSFETのVDS1が大きくなるため、一次側MOSFETのVDS耐圧マージンが減ります。VDS1が耐圧以上にならないようにトランス巻線比を考慮が必要です。キーポイント・従来の絶縁型フライバックコンバータの二次側の置き換えなので、実際の動作確認は非常に重要。・軽負荷時に二次側MOSFETが共振動作によりONしてしまう場合があり、対策は4つほどある。Npを小さくする・各対策にはトレードオフとなる注意事項がある。Co.,Ltd.Tweet。