お問い合わせ会員登録/ログイン検索内容を選んでください。検索内容を選んでください。MOSFET※3)「SCT3xxxxxHRシリーズ」に計10機種を新たに加え、業界最多13機種のラインアップを実現しました。パワーデバイスにおいて常に業界をリードする製品開発や量産体制の構築を行ってきました。MOSFETの供給を開始しています。MOSFETで、既に2018年12月より月産50万個の体制で量産を開始しています(サンプル価格:500~5,000円/個(税抜)※製品ごとに異なる)。Ltd.(タイ)となります。(EV)は普及が進んでいるものの、航続距離の短さが課題のひとつとなっています。航続距離を延ばすため、搭載バッテリの容量は増加傾向にあり、それに伴い充電時間の短縮も求められています。MOSFETを採用するケースが増えています。欧州を中心に搭載バッテリの高電圧化(800V)の流れもあり、より高耐圧かつ低損失のパワーデバイスが必要とされています。MOSFET合わせて34機種を量産化していることになり、業界トップの品揃えを誇っています。MOSFETにおいては、650V、1200V耐圧のラインアップを揃え、最適なソリューションを提案しています。企業目的のもと、開発から製造までを一貫してグループ内で行う「垂直統合」システムを採用し、あらゆる工程で高い品質を作り込むとともに、確実なトレーサビリティの実現やサプライチェーンの最適化も図っています。SiCパワーデバイスにおいても、ウエハからパッケージングまで自社一貫生産体制を構築し、生産工程でのブラックボックスをなくすことで、高い品質・信頼性を実現します。><採用アプリケーションイメージ><用語説明>*1)DC/DCコンバータ直流電圧を動作に必要な電源電圧に変換する変換器のこと。Q101は、特にディスクリート半導体部品(トランジスタ・ダイオード等)に特化した規格となっている。Transistorの略)金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのことで、FETの中では最も一般的に使用されている構造である。スイッチング素子として使われる。Diode:SBD)金属と半導体を接触させることでショットキー接合が形成され、整流性(ダイオード特性)が得られることを利用したダイオード。少数キャリア蓄積効果が無く高速性に優れているという特徴を持つ。*5)トレンチゲート構造トレンチは溝を意味する。チップ表面に溝を形成し、その側壁にMOSFETのゲートを形成した構造。プレーナー型MOSFETに構造上存在するJFET抵抗が存在せず、プレーナー構造よりも微細化が可能なため、SiC材料本来の性能に近いオン抵抗が期待できる。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。