伴い、BGAに代表されるパッケージ基板の配線の狭ピッチ化や樹脂厚の薄膜化が進んでいる。そのため、パッケージ基板を対象とした硫酸銅めっきには、フィリング性と共に優れためっき膜厚均一性が求められている。現在のパターンレイアウトは、最小配線幅10μm以下と非常に微細なため、良好なめっき膜厚均一性を得ることが難しくなっている。生産性向上のため電流密度の高い条件(1.5~2.0A/dm2)が要求され、既存プロセス(~1.5A/dm2)では対応困難な状況である。VF6について紹介する。図1に、膜厚15μm、電流密度1.5A/dm2におけるめっき膜厚の最も厚い箇所(L/S=30μm/150μm)と薄い箇所(L/S=9μm/9μm)を測定した結果を示す。図2に配線の断面写真を示す。VF6は既存プロセスに比べ、膜厚が厚くなりやすい太い配線幅の膜厚を抑制し、その効果で細い配線の膜厚が厚くなる傾向が確認できる。VF6は既存プロセスに比べ約20%の膜厚バラツキの低減を可能にした。VF6)図3に、目標膜厚15μm、電流密度1.5A/dm2におけるフィリング性評価結果(BVH断面観察結果)を示す。この結果から、硫酸濃度が高い条件においても著しいフィリング性の低下は見られないことが確認できる。VF6は良好な膜厚均一性を得られる高い硫酸濃度において使用することが可能である。図1に、膜厚15μm、電流密度1.5A/dm2におけるめっき膜厚の最も厚い箇所(L/S=30μm/150μm)と薄い箇所(L/S=9μm/9μm)を測定した結果を示す。図2に配線の断面写真を示す。VF6は既存プロセスに比べ、膜厚が厚くなりやすい太い配線幅の膜厚を抑制し、その効果で細い配線の膜厚が厚くなる傾向が確認できる。VF6は既存プロセスに比べ約20%の膜厚バラツキの低減を可能にした。VF6)図3に、目標膜厚15μm、電流密度1.5A/dm2におけるフィリング性評価結果(BVH断面観察結果)を示す。この結果から、硫酸濃度が高い条件においても著しいフィリング性の低下は見られないことが確認できる。VF6は良好な膜厚均一性を得られる高い硫酸濃度において使用することが可能である。図4に電流密度を1.0~2.0A/dm2(目標膜厚15μm)まで振った際のめっき膜厚バラツキおよびフィリング性(Recess)を示す。VF6は膜厚バラツキの大幅な増加は見られない。VF6の2.0A/dm2における膜厚バラツキは、既存プロセスの1.0A/dm2の条件よりも小さいことが確認できる。VF6は、高い電流密度での使用が期待できるプロセスである。4に電流密度を1.0~2.0A/dm2(目標膜厚15μm)まで振った際のめっき膜厚バラツキおよびフィリング性(Recess)を示す。VF6は膜厚バラツキの大幅な増加は見られない。VF6の2.0A/dm2における膜厚バラツキは、既存プロセスの1.0A/dm2の条件よりも小さいことが確認できる。VF6は、高い電流密度での使用が期待できるプロセスである。VF6は、良好な膜厚均一性およびフィリング性を有することから、FC-BGA、CSP基板の配線形成に適したプロセスである。今後もパッケージ基板のデザインは微細化が進み、膜厚均一性への要求は高くなることが予想される。そのため、今後もユーザーの声を反映し、高品質で安定した製品開発を進めていく。