Japanデバイス開発デバイス開発センターでは、主に通信用の光デバイスと高速電子デバイスの開発を行っています。いずれも化合物半導体を技術基盤としており、自社での結晶成長プロセス、微細加工、モジュール化技術をコアとして卓越したデバイスを実現しています。これにより自社の計測器の性能向上、および通信・計測分野の発展に貢献しています。光デバイスネットワークトラフィックの増加が続いている光通信分野において、光増幅器励起用の1.48μm半導体レーザでは世界的な実績があります。このほか実用化され始めた半導体光増幅器(SOA)や波長可変光源用のゲインチップなどの研究開発に取り組んでいます。非通信分野では低コヒーレンス光源であるスーパールミネッセントダイオード(SLD)、ガス検出用の分布帰還型レーザ(DFB-LD)などの開発をしており、多方面で応用されています。高速電子デバイスネットワーク速度が上がるにつれて各種光デバイスを駆動する高速電子デバイスが通信品質のキーとなってきます。今後動作周波数がさらに上がると、これら高速電子デバイスの重要性はますます大きくなってくると見込まれます。デバイスの研究開発に取り組んでいます。なかでもヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を用いた各種ドライバIC、機能デバイス、アンプなどにおいて秀逸な波形品質と高い動作速度を両立しています。