Devices」のセッションでは,主に90nmおよび65nmノードの高性能CMOSデバイス技術が発表された。ゲート長は65nmノードで25nmまで微細化されている発表があり,量産レベルでの微細化が加速しそうな勢いである。ここでも,プロセス中のひずみを制御する技術が目立った。7件の発表のうち,SOIデバイスが3件を占めた。「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。