超伝導体内の磁束線を留めるピンについての様々な条件の違いによって臨界電流密度J_cが変化することが知られている。Ginzburg-Landau方程式(TDGL方程式)は非定常状態の超伝導を記述することができる現象論的モデルとして使われており,TDGL方程式を元にした量子化磁束線の動きに関する研究が多く存在する。そこで,本研究では細い線における近似を用いた3次元のTDGL方程式を,数値的に解くことによって,横磁界下での超伝導体内の量子化磁束線の動きを視覚的に表現し,様々な形状を持つピンにおける臨界電流密度の磁界依存性(J_c-B)および,柱状ピンにおけるJ_cのピンの角度依存性について調査を行った。