>Network>T-BGAT-BGA発熱を伴う高速半導体などへの対応に、背面にヒートスプレッダーを配置したフェースダウン・ファンアウト型BGAパッケージが使用されます。この形態のパッケージには多層のセラミクスや樹脂基板なども使用されますが、ファインピッチTAB技術を応用したT-BGAでは1Metal又は2Metalで基板を形成するため短距離配線が可能であり、低インダクタンス化が可能です。低い比誘電率を有するポリイミドをベース材料とするため低損失の高速伝送に適したパッケージを形成可能です。Reserved.プライバシーポリシー|サイトポリシ。