SSDのプロトタイプを展示した。2017年内の製品化を目指すという。6.0Gビット/秒(Gbps)対応SSDのプロトタイプを展示した。産業機器向けとして現在開発中で、「2017年内の製品化を目指している」(同社)という。容量は64M〜2Tバイトになる予定だ。書き込みおよび読み込み速度については、既存のSSDと大きな差はなく、最大容量においてシーケンシャル書き込みが450Mバイト/秒、読み込みが480Mバイト/秒になる見込みだという。NANDフラッシュ搭載SSDのプロトタイプ。NANDフラッシュが使用されている。NANDフラッシュを使用する予定だ。「64層の方が、48層よりもコストメリットに優れていると考えている」と同社は説明する。NANDフラッシュ搭載SSDは、2017年末くらいから本格的に市場に投入され始めるのではないか」と予想する。NANDフラッシュを搭載した既存のSSDと同等レベルの信頼性を目指すという。Cell)ほどの信頼性の実現には、まだ追い付かないと、同社は述べている。Hynixが72層の256ビット3D(3次元)NAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。NANDフラッシュの開発を加速している。FLASH」の生産拡大に向け、四日市工場の新製造棟(第6製造棟)の起工式を行った。第1期の完成は2018年夏になる見込み。NANDフラッシュや新規メモリの開発を行う開発センターも、第6製造棟に隣接して建設される。NAND型フラッシュメモリ(BiCS3)で容量が512Gビットの製品を開発し、三重県の四日市工場で試験生産を始めたと発表した。中国のメモリ戦略は苦難の道をたどるのか半導体技術の強化を図る中国が、メモリ産業に狙いを定めている。メモリは、技術開発にも製造にも膨大な資金がかかる分野だ。中国は、メモリ関連の知識と経験を持つ人材の確保に奔走しているが、「中国は苦しい選択をした」との見方を示す専門家もいる。Electronicsの売上高が、Intelを超える可能性が出てきた。Express)を紹介する。Express)インタフェースを備えた高速のSSDを対象にした規格仕様である。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。