基本的な動作を世界で初めて実証しました。20ナノ秒の短い書き込みパルスで、20マイクロアンペア以下という高速かつ低電力な書き換えが可能です。書き換え時には100倍以上の大きな抵抗の変化が得られ、1つのメモリセルに複数のビットを記憶する、大容量なMLC(多値記憶)動作の可能性を示しました。信頼性に関してはフラッシュメモリの1000万倍に相当する、1000億(10の11乗)回の書き換えが可能であることを示しました。本研究成果は、2014年6月9日から12日(米国ハワイ時間)に米国・ハワイで開催される「VLSIテクノロジシンポジウム」で発表されます。基本動作を実証しました。NRAMはNantero社が提案した新しい半導体メモリで、電圧印加や微小な電流を流すことで、カーボンナノチューブが接触(低抵抗化)、分離(高抵抗化)することで、データを記憶します(図1)。今回、NRAM素子で構成されるメモリセルアレイ(図2)におけるばらつきや揺らぎに対して、メモリセルに印加する電圧を段階的に増加させることで安定に書き換える手法を提案し、20ナノ秒の短い書き込みパルスで、20マイクロアンペア以下という高速かつ低電力な書き換えを示しました(図3)。書き換え時には100倍以上の大きな抵抗の変化が得られました(図4)。大きな信号変化を得られたことで、1つのメモリセルに複数のビットを記憶する、大容量なMLC(多値記憶)動作が可能になると考えられます。信頼性に関しては1000億(10の11乗)回の書き換えが可能であることを示しました(図4)。従来のフラッシュメモリは書き換え回数が1万回程度という制約があり、用途はデータを長期間保存するストレージに限られていました。今回のNRAMの書き換え回数は、フラッシュメモリの1000万倍に相当し、NRAMがストレージのみならず、メインメモリとしてDRAMを置き換える可能性を示唆しています。今回の評価結果は、140ナノメートルという大きなサイズで、単体の素子を測定したもので、NRAMをLSIとして実用化するためにはごく初期段階の結果にすぎません。実用化に向けては素子を10ナノメートルまで微細化し、ギガビット以上の統計データを評価することが必要になります。貢献する大きな潜在力があることを示しています。*詳細は下記PDFをご覧ください。k-shien☆tamajs.chuo-u.ac.jp(☆を@に変えて送信して下さい)関連情報へのリンク本プレスリリースは発表元企業よりご投稿いただいた情報を掲載しております。お問い合わせにつきましては発表元企業までお願いいたします。【企業の皆様へ】企業情報を掲載・登録するには?御社の企業情報・プレスリリース・イベント情報・製品情報などを登録するには、企業情報センターサービスへのお申し込みをいただく必要がございます。詳しくは以下のページをご覧ください。Japanは、CIOとITマネージャーを対象に、ビジネス課題の解決とITを活用した新たな価値創造を支援します。ついて運営会社サイトマップ当サイトは最新ブラウザでの閲覧を推奨します。permission.このサイトでは、利用状況の把握や広告配信などのために、Cookieなどを使用してアクセスデータを取得・利用しています。これ以降ページを遷移した場合、Cookieなどの設定や使用に同意したことになります。Cookieなどの設定や使用の詳細、オプトアウトについては詳細をご覧ください。