次回は、初段のロードラインを設計しようと思います。ロードラインの設計です。初段設計の際は、以下の制約があります。a.デカップリング時定数は、段間の時定数よりも、充分大きいのが望ましい。初段と出力段の位相が逆で、電源発振しないのでデカップリングにあまり神経質になることはないと思います。NFB量が-6dB以下でしたら、デカップリング抵抗は、3K~十数KΩくらいで常識的な数値なら問題ないのでは?。(汗b.負荷抵抗は、真空管の内部抵抗よりも大きくなければならない。2倍以上と決まっている訳ではないようです。(汗c.バイアス-1V以下は、初速度電流領域なので使用しない。負荷抵抗は、これまでと同様に27KΩを想定しています。動作点での6BQ7の内部抵抗は12KΩ位ですので、負荷は2倍以上ある事になります。→負荷100KΩという具合に、とりあえず自分で決めています。初段の負荷にはカーボン・フィルム抵抗を使用しているので、なるべく安価な1W抵抗を購入しています。あたりを10本単位でまとめ買いしています。私の設計では初段の負荷抵抗は上記の値が多いです。(汗そんな訳ですので、27KΩ1Wで、ワッテージのディレーティングを6倍確保すると考えると、流せる電流は2~2.5mA位です。-2~2.5Vという設計が多いです。ロードラインも、実はそのパターンです。-2Vをプロットすると、プレート電圧は、だいたい96Vくらいでした。その動作点から、27KΩの負荷線(ロードライン)を引いてみますロードラインの引き方が判らないという方もいらっしゃるので詳しく書きます。動作点のプレート電流値2mA(D点)に、負荷27KΩを掛けます。54Vこの54Vは、負荷27KΩ抵抗の電圧降下分です。プレート電圧96V(B点)に、負荷抵抗の電圧降下分54Vを足します。150Vこの150Vが、ロードラインの起点(C点)です。プレート電流ゼロの、グラフの横軸の値になります。5.6mAこの、5.6mAは、プレート電圧ゼロ、グラフの縦軸の値(E点)です。ロードラインは、(電圧、電流)とすると、(0V、5.6mA)/(96V、2mA)/(150V、0mA)の3点を通る事になります。初段の供給電圧(Ebb)、つまりデカップリング後の電圧値となります。(←デカップリング電圧降下)この、79Vを、プレート電流2mAで割れば、デカップリング抵抗の値になります。39.5KΩデカップリング抵抗は、39KΩとしました。これまでの、結果をまとめますと、プレート電圧96V、プレート電流2mA、バイアス-2V、カソード抵抗1KΩ、負荷抵抗27KΩ、デカップリング抵抗39KΩとなります。デカップリング抵抗の値も充分な様ですので、この動作点に決定しました。【電源平滑部】の設計まず、電源トランスの出力電圧を予想します。P.111に書いてあります。273V出力電圧は273Vとしました。回路の総電流36.9mAで割れば、電源平滑部の抵抗値が求まります。284Ωよって、電源部の抵抗は、300Ωを2個、270Ωを2個、使用します。次回は、ゲイン配分の確認と、最大出力の計算をご紹介する予定です。変更しても、プレート電圧が数ボルト異なるだけですので、まったく同一の回路定数でいけそうです。5670http://www.mif.pg.gda.pl/homepages/frank/sheets/093/5/5670.pdfWE396A/2C51http://www.westernelectric.com/spec_sheets/396A.pdf5670/2C51/WE396A/6N3P等の球を沢山お持ちの方は、初段を5670にして検討してもよいと思います。6BQ7系と5670系は、ピンアサインが全く異なりますので、差し替えはできません。19:49引き続き、6BQ7-6CH6シングル真空管アンプの設計です。今回は、回路のゲイン配分と最大出力を確認します。これを実施しておかないとNFBを掛けたら出力段バイアスをフルスイングできなくなった!という事が起こりがちです。私自身、何度も経験しました。初段の動作条件は、プレート電圧96V、プレート電流2mA、バイアス-2V、カソード抵抗1KΩ、負荷抵抗27KΩ、デカップリング抵抗39KΩでした。6CH6の自己バイアス時グリッド抵抗最大値は220KΩですので、出力段グリッド・リーク抵抗を220KΩとした場合の初段負荷27KΩとの合成交流負荷は24KΩとなります。グラフが読みやすいように初段を±1Vスイングさせると、基準バイアス-2Vを中心にして、交流負荷24KΩのロードライン上の、バイアス-1から-3Vまでスイングします。117V-96V=21V特性曲線の右下のバイアスの間隔が詰まっているので、カットオフ側【21V側】は、どん詰まりになって、このように歪む訳です。(←二次歪みの発生)シングル二段増幅は、初段と出力段の位相が逆になるので、このどん詰まりの【21V側】は、出力段のゼロバイアス側をスイングする事になります。(←コレ重要)出力段のバイアスは、-6Vですので、6Vを21Vで、割ると、6÷21V=0.286まあなんと言いますか、アタマの中で仮に、NFBが掛かって初段のゲインが、0.286倍になった。初段のゲインは変化しないのですけど、便宜上そう考えて下さい。(汗それで、初段のゼロバイアス側【26V側】は、26V×0.286=7.44Vとなり、NFBがかかって、初段のゲインが、0.286倍されたと想像すると。7.44Vとなって、初段をワザと歪ませると、出力段のバイアスを、カットオフ側に-7.44V。1.44V分を余計に、オーバー・スイングしてくれる訳です。カットオフ側のバイアスは、6V+7.44V=13.44Vまで振り込むので、およそバイアスを-13.4Vまでスイングさせたとすると。