»トランジスタの性能を左右するもっとも重要な工程です。ゲート酸化はトランジスタの性能、信頼性に大きく影響するため、均一な分布の薄く緻密な膜である必要があります。ゲート形成の寸法もトランジスタの性能に大きく影響するため、レジストパターン形成、エッチングともに厳密な寸法管理が必要です。ゲート電極はポリシリコン(多結晶シリコン)をCVD法で形成します。薬品処理で清浄な状態になったシリコン表面を酸化し、ゲート酸化膜を形成します。この酸化膜の膜厚/膜質はトランジスタの性能、信頼性に大きく影響するため、均一な分布の薄く緻密な膜である必要があります。ポリシリコン成長ゲート電極となるポリシリコン(多結晶シリコン)をCVD法で形成します。ゲートレジストパターン形成ゲートレジストパターンを形成します。ゲートエッチングゲートレジストパターンをマスクにポリシリコン、ゲート酸化膜をエッチングしゲートを形成します。エッチング後、レジストパターンは除去します。ゲートの寸法はトランジスタの性能に大きく影響するため、ゲートレジストパターン形成、ゲートエッチングともに厳密な寸法管理が必要です。