(与元件基板20A的外周部接近之侧)的隔壁13的头顶部而形成。(功函数为4eV以下)的材料。阴极11的膜厚约为10nm。16的区域形成有第I连接布线(第I阴极布线)22A,第I阴极布线22A与阴极11通过辅助阴极布线24相连接而连通。主要设于元件基板20A的外周部附近。10相同的材料ITO。在本实施方式中,形成了1_宽度的第I阴极布线22A。辅助阴极布线24为了辅助阴极11与第I阴极布线22A的通电而设于阴极11的端部。辅助阴极布线24的膜厚优选为IOOnm〜500nm左右。在本实施方式中,形成了膜厚300nm的辅助阴极布线24。作为该保护层,本实施方式的有机EL装置I具有电极保护层17、有机缓冲层18和阻气层19。通过该电极保护层17,能够防止极薄至20nm以下的阴极11及其下的发光层12的破损。制成无色透明的膜,因而优选。