41的前端部的第1偏差量。根据粗校正量,在步骤117中,对边缘进行移动,使掩模图形变形。在步骤115中,对预测复制图形42前的第2偏差量进行评价。32a、32b及衬线32。在步骤121中,移动衬线32的边缘,使掩模图形变形。3偏差量T3进行评价。33a、33b及衬线33。因此,第1~第3偏差量为T3>>T2>T1。OPC时,累积次数为10~20次。10次以内及1~2次。18中安装掩模坯料4。如图7A所示,掩模坯料4在透明基板51上堆积的遮光膜52上涂敷抗蚀剂膜53。53上,形成抗蚀剂掩模53a~53c。52,如图7C所示,形成遮光部52a~52c。如图8A所示,准备涂敷了抗蚀剂55的晶片6,并安装在晶片台26上。26.(b)如图8B所示,通过曝光,在抗蚀剂55上复制光掩模5的电路图形,形成抗蚀剂图形55a、55b、55c、...。56a、56b、56c、56d、...。