Electronicsは、ファウンドリー技術のロードマップを発表した。FET)」のリスク生産を開始する予定だという。Electronicsは2017年5月24日(米国時間)、ファウンドリー技術の開発ロードマップを更新した。それにより、第2世代のFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プラットフォーム、5nmまで縮小されたいくつかのバルクシリコンFinFETプロセス、4nmの“ポストFinFET”構造を持つプロセスの詳細が明らかになった。同社は、4nmプロセスを用いたリスク生産を2020年に始める計画だという。Foundry」という別の事業ユニットに正式に分社化した。同社は、2018年にはEUV(極端紫外線)リソグラフィーを導入した7nmプロセスでの生産を開始すると発表している。Low氏は水曜日の発表に先立ち行われたインタビューの中で、「当社はロードマップに関して極めて積極的な姿勢を取っている。今後3〜4年間の計画も積極的に発表していく方針だ」と述べた。今回のロードマップは、Samsungが米国カリフォルニア州サンタクララで開催したファウンドリー技術関連の年次イベントで発表されたものだ。FET)」と呼ばれる次世代のデバイスアーキテクチャだ。Around)FET技術であると説明されており、ナノシートデバイスを用いることで、FinFETアーキテクチャの物理的なスケーリングと性能の限界を克服したという。Plus)プロセスを用いて、MBCFETのリスク生産に入る計画になっている。今から2020年までの計画を具体的に述べると、Samsungは2017年に8nmのLPPプロセスを用いた生産を開始した後、2018年にはEUVリソグラフィを導入した7nmのLPPプロセス、2019年には5nmおよび6nmのLPPプロセスを用いた生産に入るという。EUVリソグラフィは長年にわたり、193nm液浸リソグラフィの後継技術になると見込まれてきたものの、実用化がなかなか進まなかった。そのEUVリソグラフィがようやく導入されようとしている。SamsungのライバルであるTSMCとGLOBALFOUNDRIESはいずれも、EUVを用いた生産を2019年に開始する意向を明らかにしている。Samsungはプロセス開発において、出力250WのEUV光源を用いた生産を目標としている。Low氏はEUVリソグラフィを導入したプロセスの生産性において鍵となる数値は「1日当たりウエハー1500枚の処理能力」だという。Samsungは既に1日1000枚の処理能力を達成しているが、1日1500枚も達成できる可能性が大きいとしている。米国カリフォルニア州で開催されたSamsungのイベントに登壇したLow氏は「われわれは、EUVリソグラフィを導入した7nmプロセスを2018年に開始できると自信を持っている。これはもはや、単なる構想ではない」と述べた。Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。Packaging)」を取り上げる。今回はTSMCなど各社のFOWLPによるパッケージ開発事例を見ていく。パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。Intel方針転換の真意を探る2016年、Intelはモバイル事業からの撤退を決めるなど方針転換を行った。した方針転換の真の狙いを、Thunderbolt用チップ、そして、7年前のTSMCとの戦略的提携から読み取ってみたい。Substrate)」を解説する。CoWoSの最大の特長はシリコンインターポーザを導入したことだが、では、なぜシリコンインターポーザが優れているのだろうか。シリコンインターポーザに至るまでの課題と併せて説明する。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。