Memory)における磁性薄膜メモリセルについての検討を行った。本研究では、情報記録層の静磁エネルギーを低減する新積層構造を提案し、4Gbit級のMRAMに用いられるメモリセルの基本構造を構築することを目的とした。検討は主に、0.5μm×0.5μmから2μm×2μmのサイズの正方形メモリセルに関して行った。面内方向には還流磁区構造とならずに情報を安定に保持することができることを明らかにした。長方形メモリセルについても同様の結果を得た。となり情報を失うことを明らかにした。(3)超高集積化が可能であると予想している閉磁路構造を有するリング型メモリセルについての検討を行い、上記リング型メモリセルでは漏洩磁界がなく、隣接するメモリセルの記録情報に与える影響がないことを明らかにした。