SiCパワーデバイスの特徴を教えて下さい。お問い合わせ会員登録/ログイン検索内容を選んでください。検索内容を選んでください。SearchSiCパワーデバイスの特徴を教えて下さい。FAQお問い合わせFAQ'sSiCパワーデバイスの特徴を教えて下さい。SiCはSiと比較し絶縁破壊電界強度が約10倍高く、数千Vまでの高耐圧が可能で、その他にも単位面積当たりでのオン抵抗が非常に小さく電力損失も優れています。Siでは高耐圧化に伴い、オン抵抗の増大を改善する為にIGBTが主に用いられますが、スイッチング損失が大きいという問題点があります。対して、SiCは高速スイッチング性能にも優れております。詳細な説明は”エレクトロニクス豆知識”を参照下さい。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。