お問い合わせ会員登録/ログイン検索内容を選んでください。検索内容を選んでください。OFF状態で、ドレイン電位が上昇する際、ゲート-ドレイン間容量のACカップリング現象により、ゲート電位が持ち上がる可能性があります。代表的なアプリケーションとしては、直列接続したブリッジ駆動です。誤オンによる短絡破壊を防ぐために、マイナスバイアスをお使いいただくことを推奨します。ゲート・ソース間に容量を追加いただくことでもゲート電位の持ち上がりを抑えることができます。ミラークランプMOSFETをゲート-ソース間に接続し、確実に短絡するすることで、ゲート電位の持ち上がりを防止できます。ミラークランプMOSFETの駆動にはノイズによる誤動作にご注意ください。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。