JavaScriptを有効にして再度、お越しください。ログイン【重要】サーバ移転のお知らせいつも当サイトをご利用いただき誠にありがとうございます。当サイトは2019/03/11にJAIROCloudへサーバ移転致しました。サーバ移転の関係上、2019/03/10以前にブックマークされたURL(URI)にアクセスしますと、「アイテムが削除されています」のアラートBOXが表示されます。)を集積しインターネット上で広く公開するサービスです。JAIROCloudへサーバ移転し、サイトをリニューアルしました。ISプロセスの熱効率向上を目指して、その主反応の一つである膜ブンゼン反応に最適なイオン交換膜を放射線グラフト重合法により作製した。実験では、スチレン、スチレン/ジビニルベンゼンの放射線グラフト重合(それぞれ未架橋膜、架橋膜とする)により得られたイオン交換膜に対し、I2-SO2環境下における電解性能を取得した。未架橋膜を用いた場合、電流密度の増加に伴う急激な電圧上昇が確認され、大きな抵抗増大のために連続電解はできなかった。過去の検討で副反応による膜表面への硫黄の析出が問題になっており、その原因となるHI、SO2の透過が未架橋膜で大きいことが高いセル抵抗の理由と考えられる。このことを言い換えれば、ジビニルベンゼンによる架橋構造が相互汚染(cross-contamination)の抑制能を有していることが示唆される。Society(第10回アセアニアン膜学会)発表年月日2016-07-27著者版フラグnone。