CNTは触媒微粒子に成長するという特徴を持ちます。ビアホール(穴)の底からCNTを垂直方向にボトムアップ成長することでLSI多層配線の下層と上層を縦方向に架橋する構造を目標としています。触媒はスパッタリングや電子線蒸着により形成することができますが、この方法ではビアホール底へ精度良く触媒を蒸着することは困難になります。配向CNTが得られないという問題が生じます。最適な方法としてイオン注入法が考えられます。図1(b)はイオン注入によるビアへの触媒形成を示しています。Beam)装置を使用しました。FIBは次のようにしてイオンビームを照射します。最初のレンズで1段階目のビームの収束を行います。通常はイオン化したい元素と他の元素との合金を用います。質量による分離を行います。2つめのレンズで2段階目のビームの集束を行う。これによりビームの径が数十nmに集束されてステージ台にある試料に照射されます。打ち込み精度も良いので正確に触媒量を決めることができます。この方法はCNTをLSIのトランジスタや配線に応用する上で非常に有益なものになります。CNTを成長させることに成功しています(図2)。CNTを成長させることを目指します。